ROHM100V耐壓雙MOSFET以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻

近年來，在通信基站和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，為了降低電流值、提高效率，以往的12V和24V系統(tǒng)逐漸被轉(zhuǎn)換為48V系統(tǒng)，電源電壓呈提高趨勢。此外，用來冷卻這些設(shè)備的風(fēng)扇電機(jī)也使用的是48V系統(tǒng)電源，考慮到電壓波動，起到開關(guān)作用的MOSFET需要具備100V的耐壓能力。而另一方面，提高耐壓意味著與其存在權(quán)衡關(guān)系的導(dǎo)通電阻也會提高，效率會變差，因此，如何同時兼顧更高耐壓和更低導(dǎo)通電阻，是一個很大的挑戰(zhàn)。風(fēng)扇電機(jī)通常會使用多個MOSFET進(jìn)行驅(qū)動，為了節(jié)省空間，對于將兩枚芯片一體化封裝的雙MOSFET的需求增加。

在這種背景下，ROHM采用新工藝開發(fā)出Nch和Pch的MOSFET芯片，并通過采用散熱性能出色的背面散熱封裝形式，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的新系列產(chǎn)品。

新產(chǎn)品通過采用ROHM新工藝和背面散熱封裝，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低的導(dǎo)通電阻（Ron）*3（Nch+Nch產(chǎn)品為HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ）。與普通的雙MOSFET相比，導(dǎo)通電阻降低達(dá)56%，非常有助于進(jìn)一步降低應(yīng)用設(shè)備的功耗。另外，通過將兩枚芯片一體化封裝，可以減少安裝面積，有助于應(yīng)用設(shè)備進(jìn)一步節(jié)省空間。例如HSOP8封裝的產(chǎn)品，如果替換掉兩枚單MOSFET（僅內(nèi)置1枚芯片的TO-252封裝），可以減少77%的安裝面積。

新產(chǎn)品已于2023年7月開始暫以月產(chǎn)100萬個（樣品價格550日元/個，不含稅）的規(guī)模投入量產(chǎn)。

目前，ROHM正在面向工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域擴(kuò)大雙MOSFET的耐壓陣容，同時也在開發(fā)低噪聲產(chǎn)品。未來，將通過持續(xù)助力各種應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步降低功耗并節(jié)省空間，為解決環(huán)境保護(hù)等社會問題不斷貢獻(xiàn)力量。

產(chǎn)品陣容

Nch+Nch 雙MOSFET

Nch+Pch 雙MOSFET

*預(yù)計產(chǎn)品陣容中將會逐步增加40V、60V、80V、150V產(chǎn)品。

應(yīng)用示例

? 通信基站用風(fēng)扇電機(jī)

?FA設(shè)備等工業(yè)設(shè)備用風(fēng)扇電機(jī)

?數(shù)據(jù)中心等服務(wù)器用風(fēng)扇電機(jī)

通過與預(yù)驅(qū)動器IC相結(jié)合,

為電機(jī)驅(qū)動提供更出色的解決方案

ROHM通過將新產(chǎn)品與已具有豐碩實(shí)際應(yīng)用業(yè)績的（找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城）單相和三相無刷電機(jī)用預(yù)驅(qū)動器IC相結(jié)合，使電機(jī)電路板的進(jìn)一步小型化、低功耗和靜音驅(qū)動成為可能。通過為外圍電路設(shè)計提供雙MOSFET系列和預(yù)驅(qū)動器IC相結(jié)合的綜合支持，為客戶提供滿足其需求且更出色的電機(jī)驅(qū)動解決方案。

與100V耐壓雙MOSFET相結(jié)合的示例

HT8KE5（Nch+Nch 雙MOSFET）和

BM64070MUV（三相無刷電機(jī)用預(yù)驅(qū)動器IC）

HP8KE6（Nch+Nch 雙MOSFET）和

BM64300MUV（三相無刷電機(jī)用預(yù)驅(qū)動器IC）等

電機(jī)用新產(chǎn)品的規(guī)格書數(shù)據(jù)下載頁面

從ROHM官網(wǎng)可以下載包括新產(chǎn)品在內(nèi)的低耐壓、中等耐壓和高耐壓MOSFET的規(guī)格書。

術(shù)語解說

*1）MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的縮寫）

金屬－氧化物－半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，是FET中最常用的結(jié)構(gòu)，被用作開關(guān)器件。

*2）Pch MOSFET和Nch MOSFET

Pch MOSFET：通過向柵極施加相對于源極為負(fù)的電壓而導(dǎo)通的MOSFET。可用比低于輸入電壓低的電壓驅(qū)動，因此電路結(jié)構(gòu)較為簡單。

Nch MOSFET：通過向柵極施加相對于源極為正的電壓而導(dǎo)通的MOSFET。相比Pch MOSFET，漏極與源極之間的導(dǎo)通電阻更小，因此可減少常規(guī)損耗。

*3）導(dǎo)通電阻（Ron）

使MOSFET啟動（ON）時漏極與源極之間的電阻值。該值越小，運(yùn)行時的損耗（電力損耗）越少。

審核編輯 黃宇