0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

靜電放電ESD三種模型及其防護(hù)設(shè)計(jì)

上海雷卯電子 ? 2023-09-15 08:02 ? 次閱讀

ESD:Electrostatic Discharge,即是靜電放電,每個(gè)從事硬件設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的工程師都必須掌握ESD的相關(guān)知識(shí)。為了定量表征ESD特性,一般將ESD轉(zhuǎn)化成模型表達(dá)方式,ESD的模型有很多種,下面介紹常用的三種:

1.HBM:Human Body Model,人體模型:(1500Ω±10% / 100PF±10%) 該模型表征人體帶電接觸器件放電,Rb為等效人體電阻,Cb為等效人體電容。等效電路如下圖。圖中同時(shí)給出了器件HBM模型的ESD等級(jí)。

11434fd6-535b-11ee-a20b-92fbcf53809c.jpg

2.MM:Machine Model,機(jī)器模型:(0Ω±10% / 200PF±10%) 機(jī)器模型的等效電路與人體模型相似,但等效電容(Cb)是200pF,等效電阻為0,機(jī)器模型與人體模型的差異較大,實(shí)際上機(jī)器的儲(chǔ)電電容變化較大,但為了描述的統(tǒng)一,取200pF。由于機(jī)器模型放電時(shí)沒(méi)有電阻,且儲(chǔ)電電容大于人體模式,同等電壓對(duì)器件的損害,機(jī)器模式遠(yuǎn)大于人體模型。

114e8af4-535b-11ee-a20b-92fbcf53809c.jpg

3.CDM:Charged Device Model,充電器件模型半導(dǎo)體器件主要采用三種封裝型式(金屬、陶瓷、塑料)。它們?cè)谘b配、傳遞、試驗(yàn)、測(cè)試、運(yùn)輸及存貯過(guò)程中,由于管殼與其它絕緣材料(如包裝用的塑料袋、傳遞用的塑料容器等)相互磨擦,就會(huì)使管殼帶電。器件本身作為電容器的一個(gè)極板而存貯電荷。CDM模型就是基于已帶電的器件通過(guò)管腳與地接觸時(shí),發(fā)生對(duì)地放電引起器件失效而建立的,器件帶電模型如下:

11593544-535b-11ee-a20b-92fbcf53809c.jpg

器件的ESD等級(jí)一般按以上三種模型測(cè)試,大部分ESD敏感器件手冊(cè)上都有器件的ESD數(shù)據(jù),一般給出的是HBM和MM。

通過(guò)器件的ESD數(shù)據(jù)可以了解器件的ESD特性,但要注意,器件的每個(gè)管腳的ESD特性差異較大,某些管腳的ESD電壓會(huì)特別低,一般來(lái)說(shuō),高速端口,高阻輸入端口,模擬端口ESD電壓會(huì)比較低。

ESD防護(hù)是一項(xiàng)系統(tǒng)工程,需要各個(gè)環(huán)節(jié)的控制。下圖是一個(gè)ESD防護(hù)的流程圖:

1171602e-535b-11ee-a20b-92fbcf53809c.jpg

ESD防護(hù)設(shè)計(jì)可分為單板防護(hù)設(shè)計(jì)、系統(tǒng)防護(hù)設(shè)計(jì)、加工環(huán)境設(shè)計(jì)和應(yīng)用環(huán)境防護(hù)設(shè)計(jì),單板防護(hù)設(shè)計(jì)可以提高單板ESD水平,降低系統(tǒng)設(shè)計(jì)難度和系統(tǒng)組裝的靜電防護(hù)要求。當(dāng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)還不能滿(mǎn)足要求時(shí),需要進(jìn)行應(yīng)用環(huán)境設(shè)計(jì)防護(hù)設(shè)計(jì)。ESD敏感器件在裝聯(lián)和整機(jī)組裝時(shí),環(huán)境的ESD直接加載到器件,所以加工環(huán)境的ESD防護(hù)是至關(guān)重要的。

一般整機(jī)、單板、接口的接觸放電應(yīng)達(dá)到±2000V(HBM)以上的防護(hù)要求。器件的ESD防護(hù)設(shè)計(jì)是在器件不能滿(mǎn)足ESD環(huán)境要求的情況下,通過(guò)衰減加到器件上的ESD能量達(dá)到保護(hù)器件的目的。ESD是電荷放電,具有電壓高,持續(xù)時(shí)間短的特點(diǎn),根據(jù)這些特點(diǎn),ESD能量衰減可通過(guò)電壓限制、電流限制、高通濾波、帶通濾波等方式實(shí)現(xiàn),所以防護(hù)電路的形式多種多樣。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • ESD
    ESD
    +關(guān)注

    關(guān)注

    48

    文章

    1998

    瀏覽量

    172624
  • 靜電
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    495

    瀏覽量

    36295
  • 硬件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    11

    文章

    3211

    瀏覽量

    66062
  • 模型
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    3112

    瀏覽量

    48658
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    Microphone靜電放電防護(hù)方案

    Microphone靜電放電防護(hù)方案 方案簡(jiǎn)介 麥克風(fēng)(Microphone)是一能將聲音信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)的能量轉(zhuǎn)換裝置,這種轉(zhuǎn)換過(guò)程使得聲音能夠被錄制、放大或傳輸,廣泛應(yīng)用于各種場(chǎng)
    的頭像 發(fā)表于 09-19 17:01 ?289次閱讀
    Microphone<b class='flag-5'>靜電</b><b class='flag-5'>放電</b><b class='flag-5'>防護(hù)</b>方案

    全芯片ESD防護(hù)網(wǎng)絡(luò)

    據(jù)統(tǒng)計(jì),靜電放電(Electro-Static Discharge, ESD)造成的芯片失效占到集成電路產(chǎn)品失效總數(shù)的38%。完好的全芯片ESD防護(hù)
    的頭像 發(fā)表于 06-22 00:31 ?671次閱讀
    全芯片<b class='flag-5'>ESD</b><b class='flag-5'>防護(hù)</b>網(wǎng)絡(luò)

    選擇ESD有哪些建議?

    放電、接觸放電和耦合放電 常見(jiàn)的放電模式:HBM(人體放電模型)、CDM(帶電器件
    發(fā)表于 06-04 07:22

    ESD靜電放電的原理和危害

    ESD靜電放電的原理和危害? ESD靜電放電是指當(dāng)兩個(gè)物體之間的
    的頭像 發(fā)表于 01-03 14:29 ?2293次閱讀

    ESD靜電放電影響及分類(lèi)

    ESD靜電放電影響及分類(lèi)? ESD靜電放電是指在兩個(gè)或多個(gè)物體之間發(fā)生的電荷轉(zhuǎn)移的過(guò)程。
    的頭像 發(fā)表于 01-03 14:29 ?762次閱讀

    ESD靜電放電有幾種主要的破壞機(jī)制 ESD失效的原因

    ESD靜電放電有幾種主要的破壞機(jī)制 ESD失效的原因? 靜電放電(
    的頭像 發(fā)表于 01-03 13:42 ?4329次閱讀

    如何從利用靜電防護(hù)器件來(lái)降低ESD危害?

    如何從利用靜電防護(hù)器件來(lái)降低ESD危害? 靜電防護(hù)器件,也稱(chēng)為ESD
    的頭像 發(fā)表于 01-03 13:42 ?683次閱讀

    電子設(shè)備ESD危害原理及防護(hù)意義

    電子設(shè)備ESD危害原理及防護(hù)意義? 電子設(shè)備中的靜電放電ESD)是一常見(jiàn)的現(xiàn)象,它會(huì)對(duì)設(shè)備造
    的頭像 發(fā)表于 01-03 11:20 ?2248次閱讀

    ESD靜電屏蔽防護(hù)的方法及原理分析

    ESD靜電屏蔽防護(hù)的方法及原理分析 ESD靜電放電是指兩個(gè)物體之間由于電荷不平衡而產(chǎn)生的電能放出
    的頭像 發(fā)表于 01-03 11:09 ?1015次閱讀

    ESD靜電防護(hù)原理及應(yīng)用方案設(shè)計(jì)

    隨著電子設(shè)備的普及,靜電放電ESD)已經(jīng)成為一個(gè)越來(lái)越嚴(yán)重的問(wèn)題。
    的頭像 發(fā)表于 12-31 15:33 ?2109次閱讀

    什么是ESD保護(hù)區(qū)?什么是靜電防護(hù)區(qū)?

    詳細(xì)介紹ESD保護(hù)區(qū)和靜電防護(hù)區(qū)的重要性、組成、設(shè)立與管理措施。 一、靜電帶來(lái)的危害 靜電是指由于電子的分析或聚積而形成的電荷差異。當(dāng)兩個(gè)帶
    的頭像 發(fā)表于 12-20 14:13 ?1417次閱讀

    ESD靜電保護(hù)區(qū)和非靜電防護(hù)區(qū)之間的通道的最小距離

    ESD靜電保護(hù)區(qū)和非靜電防護(hù)區(qū)之間的通道的最小距離 ESD靜電保護(hù)區(qū)是指為了防止
    的頭像 發(fā)表于 12-20 13:54 ?758次閱讀

    靜電放電模型中的阻容參數(shù)

    依據(jù)靜電放電產(chǎn)生原因及其對(duì)集成電路放電方式的不同,靜電放電
    的頭像 發(fā)表于 11-24 08:13 ?644次閱讀
    <b class='flag-5'>靜電</b><b class='flag-5'>放電</b><b class='flag-5'>模型</b>中的阻容參數(shù)

    【華秋干貨鋪】靜電威脅無(wú)處不在,電子元件的靜電防護(hù)很重要

    導(dǎo)致的電子產(chǎn)品損失,高達(dá)數(shù)十億美元。 因此在SMT生產(chǎn)中,實(shí)施靜電防護(hù)措施非常重要,本文將從靜電的產(chǎn)生到元件和場(chǎng)景的防護(hù)等方面,詳細(xì)介紹如何做好靜電
    的頭像 發(fā)表于 11-16 19:05 ?664次閱讀
    【華秋干貨鋪】<b class='flag-5'>靜電</b>威脅無(wú)處不在,電子元件的<b class='flag-5'>靜電</b><b class='flag-5'>防護(hù)</b>很重要

    靜電威脅無(wú)處不在,電子元件的靜電防護(hù)很重要

    導(dǎo)致的電子產(chǎn)品損失,高達(dá)數(shù)十億美元。 因此在SMT生產(chǎn)中,實(shí)施靜電防護(hù)措施非常重要,本文將從靜電的產(chǎn)生到元件和場(chǎng)景的防護(hù)等方面,詳細(xì)介紹如何做好靜電
    的頭像 發(fā)表于 11-15 14:52 ?1381次閱讀
    <b class='flag-5'>靜電</b>威脅無(wú)處不在,電子元件的<b class='flag-5'>靜電</b><b class='flag-5'>防護(hù)</b>很重要