(1)內(nèi)部晶體振蕩電路,可外接4MHz~40MHz晶體或陶瓷諧振器
(2)外部方波輸入時鐘:最高可達50MHz
(3)內(nèi)部48MHz高速RC振蕩器(FIRC)
(4) 內(nèi)部8MHz低速RC振蕩器(SIRC)
(5)內(nèi)部128kHz低功耗振蕩器(LPO)
(6)內(nèi)部鎖相環(huán)(PLL),提供高速的系統(tǒng)運行時鐘
FIRC、SIRC是內(nèi)部時鐘源的,不必從硬件設計角度考慮。外部振蕩器的工作范圍為4~40MHz,為PLL及部分外設提供時鐘源。
一、EXTAL和XTAL引腳
此類引腳為晶體提供接口,以控制內(nèi)部時鐘發(fā)生器電路,EXTAL是晶體振蕩器放大器的輸入,XTAL是晶體振蕩器放大器的輸出。Pierce振蕩器提供了一個強大、低噪音、低功耗的外部時鐘源,可為典型的晶體振蕩器提供最佳啟動余量。CVM01xx系列支持4~40MHz的晶體或諧振器。
△表1CVM01xx - EXTAL和XTAL引腳
△圖1參考振蕩器電路
△表2振蕩器電路的組成部分
二、關于振蕩器電路PCB布局的建議
晶體振蕩器是一個模擬電路,必須根據(jù)模擬板布局規(guī)則仔細設計,具體如下:
(1)建議將PCB板送至晶體制造商,以確定負向振蕩余量及電容最佳值。數(shù)據(jù)表中包含對振蕩回路電容的建議,這些值與預期PCB、引腳等雜散容量值一起,作為一個起點
(2)XTAL/EXTAL引腳、晶體和外部電容之間的信號走線須盡可能短,這些走線應只連接到所需振蕩器元件,而不能連接到任何其他設備或元件。在MCU和外部振蕩器之間的連接不應有超過一個接地的通孔,可最大限度減少寄生電容并降低對串擾和EMI的敏感性
(3)盡量使其他數(shù)字信號線,特別是時鐘線、模擬和頻繁跳變的信號線遠離晶體連接線,來自數(shù)字信號的串擾可能會對振蕩器信號的低幅值造成影響
(4)應在晶體振蕩器區(qū)域下方放置一個接地區(qū)域,該地平面須是連接到CVM01xx的VSSx基準的干凈地。切勿將接地保護環(huán)與電路板上的任何其他接地信號相連,同時要避免實現(xiàn)接地環(huán)路
(5)主要的振蕩回路電流在晶體和負載電容之間流動,此信號路徑(晶振到晶振)應盡可能短,并應有一個對稱布局,因此兩個電容器的地線應盡可能靠近
如下圖所示,為振蕩器布局的推薦位置和PCB走線。
△圖2建議的晶體振蕩器布局
當gmXOSC>5 xgmcrit時,晶體振蕩器電路提供非常安全的穩(wěn)定振蕩。
gmcrit定義為:gmcrit= 4 x (ESROSC+ RsEXT) x (2π x FOSC)2x (CO_OSC+ CLOAD)2
其中:
△表3超導方程 - 參數(shù)
例如,在CVM01xx單片機中設計振蕩回路,最大的放大器跨導值為gmOSCX=27 mA/V,頻率范圍為4 ~ 40MHz,選擇晶體AT-16.000MAGE-x - 16MHz /TXC晶體。
該設計具有以下特性:
△表4皮爾斯振蕩器設計示例
gmcrit= 4 x(50 + 100) x (2πx [16 x 106])2x ([10 x 10-12] + [10.5 x 10-12]2
gmcrit= 2.548 mA/V
5 x gmcrit= 12.742 mA/V
由于晶體振蕩器的超導(27 mA/V)高于5 xgmcrit,因此對增益余量的估計足以啟動振蕩。預計振蕩器將在數(shù)據(jù)手冊中規(guī)定的典型延遲后達到穩(wěn)定振蕩?;谡袷幤髦圃焐痰姆治龊吞匦?,RsEXT以及CEXTAL和CXTAL的值可被調(diào)整或重新定義,以確保安全振蕩余量。
頻率計設備可用于檢查和測量晶體振蕩或任何其他信號特性,但一般不建議使用示波器和頻譜分析儀,因為這此類設備通常不能區(qū)分主振蕩和假振蕩,同時,若示波器探針(盡管有些探針的阻抗很低)直接連接到振蕩電路,它將停止并可能影響或削弱晶體振蕩。
來源:深圳曦華科技
審核編輯:湯梓紅
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