晶能首款SiC半橋模塊試制成功

1，瑞聯(lián)新材擬4.91億元投建光刻膠及高端新材料產(chǎn)業(yè)化項目

近日，瑞聯(lián)新材發(fā)布公告稱，公司擬投建光刻膠及高端新材料產(chǎn)業(yè)化項目。根據(jù)公告，該項目的實施主體為公司的全資子公司大荔海泰新材料有限責任公司，項目選址位于渭南市大荔縣經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)，計劃總投資金額為4.91億元，首期項目投資為8310.96萬元。

項目擬分期建設完成，首期新建綜合辦公樓1棟、生產(chǎn)車間1棟及其配套的輔助工程和服務設施，用于光刻膠、醫(yī)藥中間體及其它電子精細化學品等產(chǎn)品的生產(chǎn)。

瑞聯(lián)新材表示，光刻膠作為半導體、平板顯示及PCB行業(yè)制造環(huán)節(jié)的關鍵材料，近年來，伴隨國內(nèi)外晶圓廠商產(chǎn)能擴張逐步落地，半導體相關材料需求旺盛，呈穩(wěn)步上升趨勢。在PCB、顯示面板和集成電路產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化進程加速、產(chǎn)業(yè)鏈自主可控需求迫切的背景下，作為上游關鍵材料的光刻膠呈現(xiàn)明顯的進口替代趨勢，國產(chǎn)半導體用光刻膠將迎來快速發(fā)展的機遇。

瑞聯(lián)新材稱，通過本項目的建設，公司將有效擴大電子化學品產(chǎn)能規(guī)模，匹配下游日益增長的市場需求，加快國產(chǎn)替代市場占有步伐，培育新的利潤增長點。

2，晶能首款SiC半橋模塊試制成功

今日，據(jù)晶能官微消息，近日，晶能首款SiC半橋模塊試制成功，初測性能指標達到國際一流水平。

■晶能SiC半橋模塊

據(jù)悉，該模塊電氣設計優(yōu)異，寄生電感5nH；采用雙面銀燒結與銅線鍵合工藝，配合環(huán)氧樹脂轉(zhuǎn)模塑封工藝，持續(xù)工作結溫達175℃，在800V電池系統(tǒng)中輸出電流有效值高達700Arms。

此次SiC半橋模塊是為應對新能源汽車主牽引驅(qū)動器的高功率密度、高可靠性等需求研發(fā)的重要產(chǎn)品。涵蓋750V/1200V耐壓等級，至多并聯(lián)10顆SiC芯片，可應對純電及混動應用場景下的不同需求挑戰(zhàn)。

晶能微電子是吉利孵化的功率半導體公司，聚焦于Si IGBT和SiC MOS的研制與創(chuàng)新，發(fā)揮“芯片設計+模塊制造+車規(guī)認證”的綜合能力，為新能源汽車、電動摩托車、光伏、儲能、新能源船舶等客戶提供功率解決方案。

編輯：黃飛