5-100v電流倒灌和高邊開關(guān)的解決方案介紹

MX16171D100是無錫明芯微的一款耐壓100V的理想二極管，自適應(yīng)驅(qū)動外部的NMOSFET，使得回路的壓降低于20mV，并且具有低于1us的反向快速關(guān)斷功能

MX5069是無錫明芯微的一款耐壓100V的高邊驅(qū)動器，產(chǎn)品集成了輸入過壓、欠壓、過流等保護功能；另外此款產(chǎn)品還具有軟起動功能尤其適合較大的容性負載以及電池欠壓充電的狀態(tài)；內(nèi)置的PGOOD可以為SOC提供狀態(tài)指示

在充電電流比較大的應(yīng)用中，用戶往往使用多顆PMOSFET并聯(lián)使用作為高邊開關(guān)，成本較高，且體積較大。在此電路中MX5069配合NMOSFET不僅可以降低成本、縮小體積，而且可以實現(xiàn)多種保護功能。

而在防反電路中用戶往往使用肖特基并聯(lián)，不僅體積大、壓降大，而且由于肖特基壓降的負溫度特性導(dǎo)致并聯(lián)失衡，容易炸管。推薦用戶使用MX16171D100配合MOSFET可以完美解決上述肖特基帶來的問題。

MX5069除了應(yīng)用于充電回路以外，在BMS的放電回路同樣適用，如果用戶為了實現(xiàn)負端地的連續(xù)性，往往使用高邊放電NMOSFET，如下圖所示

當用戶系統(tǒng)電壓低于40V且充電電流小于5A時，可以選用無錫明芯微的單芯片集成方案MX26631DL，內(nèi)部集成30mΩ的高邊NMOSFET用于開關(guān)，僅僅增加外部NMOSFET就可以實現(xiàn)防反的功能。MX26631同時集成了過壓、欠壓、過流及軟起動的功能，為用戶節(jié)約大量的開發(fā)周期及冗余電路。另外MX26631DL還可以為SOC提供當前的工作狀態(tài)以及報告當前的通路電流，實現(xiàn)系統(tǒng)工作狀態(tài)的全面監(jiān)控。

如果用戶目前開發(fā)的AFE充放電管理的驅(qū)動都可以實現(xiàn)，此時用戶只需要增加防反的理想二極管，可以選用無錫明芯微電子的MX5050T、MX16171D100或者MX5052S以及MX74610T等產(chǎn)品。

審核編輯：湯梓紅