為什么說大功率器件氮化鎵遙遙領先

氮化鎵和碳化硅作為第三代半導體材料，整體發(fā)展較晚，滲透率較低。隨著半導體化合物的穩(wěn)定發(fā)展，第三代半導體具有高穿透電場、高導熱率、高電子遷移率、高操作溫度等特點。與第一代硅基半導體和第二代砷化邈相比。該設備具有更大的功率和更好的頻率特性，用于代表物質制造。 氮化鎵的能量間隙很寬，是3.4電子伏特，可用于大功率、高速光電元件，如紫光激光二極管，非線性半導體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）紫光激光(405nm)在條件下產(chǎn)生。

Keep Tops氮化鎵的特點：

1、氮化鎵芯片KT65C1R200D擁有強大的擊穿電壓：材料本身具有很高的抗壓能力，目前相對完善的Si基GaN設備的耐壓性一般在650V-1200V，長時間應用于高功率領域。

2、GaN最好的優(yōu)點是開關頻率高。 GaN可以解決更高頻率和更高功率的問題。與硅設備相比，它可以在尺寸和能耗減半的情況下運輸相同的功率，從而提高功率，有利于設計師滿足更高的功率要求，而不增加設計空間。

3、更高的頻率交換意味著GaN可以一次轉換更廣泛的功率，減少復雜設計中的功率轉換。因為每一次功率轉換都會形成新的能耗，這對于許多高壓應用來說是一個明顯的優(yōu)勢?；贕an的新電源和轉換系統(tǒng)功率損失較低，產(chǎn)生的熱量較少。

由于高溫會增加使用成本，影響數(shù)據(jù)信號，造成機械故障，這些特性尤為重要。 氮化鎵和碳化硅作為第三代半導體材料，整體發(fā)展較晚，滲透率較低。數(shù)據(jù)顯示，目前氮化鎵半導體器件的滲透率僅為0.2%左右，可大規(guī)模發(fā)展。由于單晶爐產(chǎn)量有限，氮化鎵的成本遠高于硅基和碳化硅。

然而，與光電器件相比，基于硅和碳化硅的氮化鎵射頻和功率器件的成本較低，這是目前滲透率提高的主流方向。 Gan的演變還沒有完成。未來，Gan將繼續(xù)擴展到客戶電子設備等領域，打造更薄的平板顯示器，減少能源浪費。可以說，如果你只需要提高3%或4%的能效，你可以通過許多其他方式來完成。但是，如果你想讓功率翻倍，KeepTops氮化鎵芯片KT65C1R200D是你的首選。

審核編輯 黃宇