0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

碳化硅將推動車載充電技術(shù)隨電壓等級的提高而發(fā)展

汽車與新動力 ? 來源:汽車與新動力 ? 2023-09-20 17:03 ? 次閱讀

雖然“續(xù)航焦慮”一直存在,但混合動力、純電動等各種形式的電動汽車 (EV) 正被越來越多的人所接受。汽車制造商繼續(xù)努力提高電動汽車的行駛里程并縮短充電時間,以克服這個影響采用率的重要障礙。電動汽車的易用性和便利性受到充電方式的顯著影響。由于高功率充電站數(shù)量有限,相當一部分車主仍然需要依賴車載充電器 (OBC) 來為電動汽車充電。為了提高車載充電器的性能,汽車制造商正在探索采用碳化硅 (SiC) 等新技術(shù)。這篇技術(shù)文章將探討車載充電器的重要性,以及半導體開關(guān)技術(shù)進步如何推動車載充電器的性能提升到全新水平。

如今市場上有多種使用不同推進系統(tǒng)的汽車,包括僅由內(nèi)燃機 (ICE) 提供動力的汽車、結(jié)合使用內(nèi)燃機和電力系統(tǒng)的混合動力汽車 (xHEV) 和純電動汽車 (xEV)。xHEV 包括兩種不同類型的汽車,分別為輕度混合動力電動汽車 (MHEV) 和全混合動力電動汽車 (FHEV)。

MHEV 主要依靠內(nèi)燃機,同時集成了一個小型電池(通常為 48V)。但是,MHEV 無法僅依靠電力行駛,電動機旨在幫助適度降低油耗。

相比之下,F(xiàn)HEV 具有更強的靈活性,因為它可以無縫結(jié)合使用內(nèi)燃機和電動機,其中電動機由電池供電(通常工作電壓范圍為 100-300 V)。FHEV 還可以利用制動能量回收技術(shù)為電池充電,利用制動過程中捕獲的能量來提高效率。

所有 xEV,包括插電式混合動力電動汽車和純電池電動汽車 (BEV),都配備再生制動系統(tǒng)。然而,由于具有較大的電池容量,這些汽車在很大程度上依賴車載充電器進行充電。

0bea60b8-5790-11ee-939d-92fbcf53809c.png

如今存在多種多樣的電動汽車,包括 MHEV、FHEV、PHEV 和 BEV

最簡單的充電方式差不多就是通過線纜將電動汽車車載充電器連接到墻上插座(通常需要接地故障保護)。盡管這種充電方式非常便利,但大多數(shù)住宅 1 級系統(tǒng)(或 J1772 標準中定義的 SAE AC 1 級)的工作功率約為 1.2 kW,充電一小時只能增加 5 英里的里程 。2 級系統(tǒng)(或 SAE AC 2 級)通常使用電網(wǎng)的多相交流供電,最常見于公共建筑和商業(yè)設施。功率最高可達 22 kW,充電一小時可以增加 90 英里的里程。

無論是 1 級還是 2 級充電器,都是為電動汽車提供交流電,因此車載充電器是將交流輸入轉(zhuǎn)換為直流輸出來為電池充電的關(guān)鍵。目前,市面部署的大多數(shù)充電器都是 2 級充電器。

大功率直流充電樁通常稱為 3 級、SAE 1 級和 2 級直流充電樁或 IEC 模式 4 充電器,它輸出直流電壓,可以直接為電池充電,而無需車載充電器。這些直流充電樁的功率范圍從 50 kW 到超過 350 kW,可以在大約 15-20 分鐘內(nèi)充電至電池容量的 80%。考慮到高功率水平和需要對電網(wǎng)基礎設施進行改造,盡管快速充電站的數(shù)量正在迅速增加,但仍然相對有限。

許多汽車制造商目前正在將 400V 電池改為 800V 電池。這種轉(zhuǎn)變旨在通過提高系統(tǒng)效率、提升性能、加快充電速度和減輕線纜和電池重量來延長電動汽車的續(xù)航里程。

車載充電器分析

車載充電器通常是二級電源轉(zhuǎn)換器,由功率因子校正級 (PFC) 和隔離型 DC-DC 轉(zhuǎn)換器級組成。需要注意的是,雖然非隔離型配置是可行的,但很少使用。功率因子校正級對交流供電進行整流,將功率因子保持在 0.9 以上,并為 DC-DC 級生成調(diào)節(jié)的總線電壓。

過去幾年中,市場對雙向系統(tǒng)的需求顯著增加。雙向系統(tǒng)讓電動汽車能夠提供從電池到電源的反向功率流,以支持各種用途,例如動態(tài)平衡電網(wǎng)負載(V2G:車輛到電網(wǎng))或管理電網(wǎng)停電(V2L:車輛到負載)。

傳統(tǒng)的功率因子校正方法涉及到結(jié)合使用二極管整流橋與升壓轉(zhuǎn)換器。整流橋?qū)⒔涣麟妷恨D(zhuǎn)換為直流電壓,而升壓轉(zhuǎn)換器則負責升高電壓。該基本電路的增強版本采用交錯式升壓拓撲,通過并聯(lián)多個轉(zhuǎn)換器級,以減少紋波電流并提高效率。這些功率因子校正拓撲通常采用硅技術(shù),如超結(jié) MOSFET 和低 Vf 二極管。

隨著寬禁帶 (WBG) 功率開關(guān)的出現(xiàn),特別是 SiC 功率開關(guān),新的設計方法得以實現(xiàn)。這類功率開關(guān)具有較低的開關(guān)損耗、較低的 RDS(on) 和低反向恢復體二極管優(yōu)勢。

在中高功率的功率因子校正應用(通常為 6.6 kW 及以上)中,無橋圖騰柱拓撲變得越來越普及。如圖 2 所示,在這種拓撲中,慢橋臂 (Q5-Q6) 以電網(wǎng)頻率 (50-60 Hz) 開關(guān),而快橋臂 (Q1-Q4) 則會進行電流整形和升壓,并在硬開關(guān)模式下以更高頻率(通常為 65-110 kHz)運行。盡管無橋圖騰柱拓撲大幅提高了效率并減少了功率元件的數(shù)量,但它提高了控制方面的復雜性。

0c123228-5790-11ee-939d-92fbcf53809c.png

無橋圖騰柱拓撲

DC-DC 級通常采用隔離式拓撲,使用變壓器提供隔離,主要目的是根據(jù)電池的充電狀態(tài)調(diào)節(jié)輸出電壓。盡管可以采用半橋拓撲,但當前主要采用雙有源橋 (DAB) 轉(zhuǎn)換器方案,例如諧振轉(zhuǎn)換器(比如 LLC、CLLC)或相移全橋 (PSFB) 轉(zhuǎn)換器。近來,諧振轉(zhuǎn)換器,特別是 LLC 和 CLLC,因其具備多項優(yōu)勢而受到廣泛關(guān)注,具體優(yōu)勢包括寬軟開關(guān)工作范圍、雙向工作能力以及將諧振電感和變壓器整合到單個功率變壓器中的便利性。

0c29e6f2-5790-11ee-939d-92fbcf53809c.png

雙向 DC-DC 允許在用電高峰期間將電力返回電網(wǎng)

車載充電器應用中的 SiC

對于 400 V 電池組,通常首選 SiC 650 V 器件。然而,對于 800 V 結(jié)構(gòu),由于具有更高的電壓要求,因此需要使用額定電壓為 1200 V 的器件。

車載充電器領(lǐng)域采用 SiC 的原因是其各項品質(zhì)因數(shù) (FOM) 表現(xiàn)出色。SiC 在單位面積的具體 RDS(on)、開關(guān)損耗、反向恢復二極管和擊穿電壓方面具備優(yōu)勢。這些優(yōu)勢使得基于 SiC 的方案能夠在更高的溫度下可靠地運行。利用這些出色的性能特點,可以實現(xiàn)更高效、更輕量的設計。因此,系統(tǒng)可以實現(xiàn)更高的功率水平(最高可達 22 kW),而這是使用基于硅的傳統(tǒng)方案(如 IGBT 或超結(jié))難以實現(xiàn)的。

雖然電動汽車采用更高功率的車載充電器可能不會直接影響汽車的續(xù)航里程,但它能夠顯著縮短充電時間,有助于解決續(xù)航焦慮問題。為了實現(xiàn)更快的充電速度,車載充電器的功率正在不斷提高。SiC 技術(shù)發(fā)揮著至關(guān)重要的作用,使這些系統(tǒng)變得更加高效,確保高效地轉(zhuǎn)換電網(wǎng)電力,避免能源浪費。該技術(shù)使人們能夠設計更緊湊、輕量和可靠的車載充電器系統(tǒng)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 混合動力汽車
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    182

    瀏覽量

    26515
  • 電力系統(tǒng)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    17

    文章

    3236

    瀏覽量

    54413
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    2632

    瀏覽量

    48520

原文標題:報道 | 碳化硅將推動車載充電技術(shù)隨電壓等級的提高而發(fā)展

文章出處:【微信號:汽車與新動力,微信公眾號:汽車與新動力】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻,然后在特定的大氣和環(huán)境條件下在高溫下燒結(jié)。然后一層黃銅作為電觸點
    發(fā)表于 03-08 08:37

    碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點

    的正向損耗小。  (2)碳化硅功率器件由于具有高的擊穿電場具有高的擊穿電壓。例如,商用的硅肖特基的電壓小于300V,第一個商用的
    發(fā)表于 01-11 13:42

    碳化硅的歷史與應用介紹

    硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過,自1893 年以來,粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
    發(fā)表于 07-02 07:14

    碳化硅深層的特性

    。 碳化硅近幾年的快速發(fā)展 近幾年來,低碳生活也是隨之而來,隨著太陽能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,作為光伏產(chǎn)業(yè)用的材料,碳化硅的銷售市場也是十分火爆,許多磨料磨具業(yè)內(nèi)人開始關(guān)注起
    發(fā)表于 07-04 04:20

    碳化硅二極管選型表

    應用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員!附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購!碳化硅(SiC)半導體材料是自第一代元素半導體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導體材料(GaAs
    發(fā)表于 10-24 14:21

    碳化硅基板——汽車電子發(fā)展新動力

    精細化,集成化方向發(fā)展。  在新技術(shù)驅(qū)動下,汽車電子行業(yè)迎來新一輪技術(shù)革命,行業(yè)整體升級。在汽車大量電子化的帶動之下,車用電路板也會向上成長。車用電路板穩(wěn)定訂單和高毛利率的特點吸引諸多碳化硅
    發(fā)表于 12-16 11:31

    碳化硅基板——三代半導體的領(lǐng)軍者

    ??寡趸砸彩撬蟹茄趸锾沾芍泻玫摹J菢O其優(yōu)秀的陶瓷材料。碳化硅(SiC)的市場前景隨著信息科技的飛速發(fā)展,我國對半導體需求越來越多,我國已經(jīng)成為全球最大的半導體消費國,半導體消費量占全球消費量的比重
    發(fā)表于 01-12 11:48

    傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

    設計,不管是車身上的動力總成(Powertrain)系統(tǒng),還是固定安裝在路邊或車庫里的充電樁,導入碳化硅組件的進度都非常快。對車載應用而言,設備的大小跟重量非常關(guān)鍵。若車上的逆變器(Inverter)、
    發(fā)表于 09-23 15:02

    國產(chǎn)碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術(shù)

    國產(chǎn)碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術(shù):1 車載電源OBC與最新發(fā)展2 雙向OBC關(guān)鍵
    發(fā)表于 06-20 16:31

    歸納碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)

    的一大難點所在。3 多功能集成封裝技術(shù)3.1 多功能集成封裝技術(shù)碳化硅器件的出現(xiàn)推動了電力電子朝著小型化的方向發(fā)展,其中集成化的趨勢也日漸明
    發(fā)表于 02-22 16:06

    碳化硅SiC技術(shù)導入應用的最大痛點

    更小、更輕,所以電池充電的續(xù)航里程更長?! ?b class='flag-5'>碳化硅技術(shù)仍在不斷發(fā)展,有望獲得更好的性能。在下一代中,導通電阻隨著開關(guān)損耗進一步下降,額定
    發(fā)表于 02-27 14:28

    淺析碳化硅器件在車載充電機OBC上的應用

    碳化硅功率器件?! ?b class='flag-5'>而作為車載產(chǎn)品,且承擔的是充電這一功率變換部分,整車廠對于產(chǎn)品中元器件使用的要求,也相應提高。為了更好的滿足這樣的要求
    發(fā)表于 02-27 14:35

    淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動的區(qū)別

      硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動兩者電氣參數(shù)特性差別較大,碳化硅MOSFET對于驅(qū)動的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件,主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個
    發(fā)表于 02-27 16:03

    碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

    、15A三等級電流測試中,碳化硅肖特基二極管的反向恢復電流比硅快恢復二極管小,有利提升產(chǎn)品效率?! ?、基本半導體碳化硅肖特基二極管主要特性參數(shù)及應用  最高反向工作電壓(VRSM):
    發(fā)表于 02-28 16:34

    圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應用

    的混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)新型場截止IGBT技術(shù)碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合,為硬開
    發(fā)表于 02-28 16:48