安建采用7層光罩工藝的第七代12-inch 1200V-25A IGBT晶圓

背景介紹

依托于***的光罩(Litho)工藝是半導體芯片加工流程中的核心工藝，光罩的層數(shù)是影響半導體芯片工藝復雜度及加工成本的關鍵指標。當代溝槽-場截止型IGBT一般采用9-10層光罩進行加工。安建早于2019年即在國內(nèi)頂尖8-inch晶圓廠成功開發(fā)并量產(chǎn)了僅采用7層光罩工藝的第七代溝槽-場截止IGBT技術，是國內(nèi)第一家量產(chǎn)第七代IGBT的國產(chǎn)廠家，并完全擁有相關自主知識產(chǎn)權。

技術突破

近期，安建將自有專利的第7層光罩工藝流程成功轉(zhuǎn)移至國內(nèi)頂級12-inch IGBT加工平臺，也是國內(nèi)首家推出基于7層光罩工藝的12-inch第七代IGBT的國產(chǎn)廠家。此項技術突破表征了安建在國內(nèi)IGBT芯片及加工工藝設計方面的雙重技術領先優(yōu)勢。

產(chǎn)品特點

下圖為安建采用7層光罩工藝的第七代12-inch 1200V-25A IGBT晶圓。

光罩層數(shù)的減少并未對器件性能、堅固性及可靠性造成任何影響。下圖為采用上述晶圓封裝的第七代1200V-25A PIM模塊，型號為JG1A25P120DG2(pin-to-pin兼容國外進口的第七代EasyPIM-1B模塊)。相應的模塊產(chǎn)品已通過工業(yè)變頻及伺服驅(qū)動等客戶測試認證。

相應模塊在某知名客戶4kW高頻電機變頻器(載頻16kHz)完全通過各類極限工況測試，測試結果如下：

驅(qū)動波形：

相間短路波形：

1s急減速測試波形：

審核編輯：湯梓紅