1、VCC_DDR覆銅寬度需滿足芯片的電流需求,連接到芯片電源管腳的覆銅足夠?qū)挘窂讲荒鼙贿^孔分割太嚴(yán)重,必須計(jì)算有效線寬,確認(rèn)連接到CPU每個(gè)電源PIN腳的路徑都足夠。
2、VCC_DDR的電源在外圍換層時(shí),要盡可能的多打電源過孔(9個(gè)以上0.5*0.3mm的過孔),降低換層過孔帶來的壓降;去耦電容的GND過孔要跟它的電源過孔數(shù)量保持一致,否則會(huì)大大降低電容作用。
3、如圖1所示,原理圖上靠近RK3588的VCC_DDR電源管腳的去耦電容務(wù)必放在對(duì)應(yīng)的電源管腳背面,電容的GND PAD盡量靠近芯片中心的GND管腳放置,其余的去耦電容盡量靠近RK3588,如圖2所示。
4、RK3588 芯片 VCC_DDR 的電源管腳,每個(gè)管腳需要對(duì)應(yīng)一個(gè)過孔,并且頂層走“井”字形,交叉連接,如圖3所示,建議走線線寬 10mil。
圖1 RK3588芯片VCC_DDR的原理圖電源管腳去耦電容
圖2 電源管腳背面去耦電容放置
圖3 VCC_DDR&VDDQ_DDR電源管腳“井”字形鏈
當(dāng)LPDDR4x 時(shí),鏈接方式如圖6-49所示:
圖6-49 RK3588芯片LPDDR4x模式VCC_DDR/VCC0V6_DDR的電源管腳走線和過孔
5、VCC_DDR電源在CPU區(qū)域線寬不得小于120mil,外圍區(qū)域?qū)挾炔恍∮?00mil,盡量采用覆銅方式,降低走線帶來壓降(其它信號(hào)換層過孔請(qǐng)不要隨意放置,必須規(guī)則放置,盡量騰出空間走電源,也有利于地層的覆銅,如圖6-50所示)。
圖 6-50 RK3588 芯片 VCC_DDR&VDDQ_DDR 電源層覆銅情況
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原文標(biāo)題:RK3588 DDR電源電路設(shè)計(jì)詳解
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