午夜一级无码福利视频,av在线网站无码不卡的

共創(chuàng)寬禁帶半導(dǎo)體未來，看碳化硅技術(shù)如何推動(dòng)下一代直流快充樁發(fā)展

點(diǎn)擊藍(lán)字關(guān)注我們

寬禁帶半導(dǎo)體是指具有寬禁帶能隙的半導(dǎo)體材料，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，由于其能夠承受高電壓、高溫和高功率密度等特性，因此具有廣泛應(yīng)用前景。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)，寬禁帶半導(dǎo)體市場(chǎng)的全球規(guī)模預(yù)計(jì)將從 2020 年的 27.6 億美元增長(zhǎng)到 2027 年的 86. 5億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到 17.5%。其中，碳化硅（SiC）半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模較大，占據(jù)了市場(chǎng)份額的大部分。預(yù)計(jì)未來幾年，隨著新能源汽車的普及和5G基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的加速推進(jìn)，寬禁帶半導(dǎo)體市場(chǎng)將持續(xù)保持高速增長(zhǎng)。

由深圳市電子商會(huì)和 Bodo’s 功率系統(tǒng)雜志主辦的Bodo’s 寬禁帶半導(dǎo)體論壇將于今年10月12日在深圳國(guó)際會(huì)展中心(寶安新館) 3號(hào)館 3H88 會(huì)議區(qū)線下舉辦，分享寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展和最新成就。安森美(onsemi)電源方案部產(chǎn)品經(jīng)理Jerry也將在現(xiàn)場(chǎng)為大家概述安森美的EV充電設(shè)計(jì)生態(tài)系統(tǒng)和應(yīng)用于充電樁的智能電源產(chǎn)品和方案，包括碳化硅(SiC)、電源模塊和門極驅(qū)動(dòng)器等，以及參考設(shè)計(jì)和支持工具，助您簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，最大化能效以及減小尺寸。

演講主題

碳化硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)下一代直流快速充電樁的發(fā)展

時(shí)間地點(diǎn)

2023年10月12日 15:00 - 15:30

深圳國(guó)際會(huì)展中心(寶安新館) 3號(hào)館 3H88 會(huì)議區(qū)

掃描

二維碼

免費(fèi)預(yù)約座席

歡迎注冊(cè)參加。所有提前注冊(cè)的與會(huì)者將享受如下禮遇：

免費(fèi)參會(huì)
礦泉水以及會(huì)議資料袋
參會(huì)當(dāng)天午餐券
現(xiàn)場(chǎng)抽獎(jiǎng)

本次論壇同時(shí)提供在線直播，如無法線下參與，論壇主辦方也將于10月10日通過郵件向提前注冊(cè)的參會(huì)人發(fā)送在線直播地址。

點(diǎn)個(gè)星標(biāo)，茫茫人海也能一眼看到我

「點(diǎn)贊、在看，記得兩連~」

原文標(biāo)題：共創(chuàng)寬禁帶半導(dǎo)體未來，看碳化硅技術(shù)如何推動(dòng)下一代直流快充樁發(fā)展

文章出處：【微信公眾號(hào)：安森美】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。舉報(bào)投訴

安森美

安森美

+關(guān)注

關(guān)注
32

文章
1588

瀏覽量
91743

原文標(biāo)題：共創(chuàng)寬禁帶半導(dǎo)體未來，看碳化硅技術(shù)如何推動(dòng)下一代直流快充樁發(fā)展

文章出處：【微信號(hào)：onsemi-china，微信公眾號(hào)：安森美】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

評(píng)論

相關(guān)推薦

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件正以其獨(dú)特的性能和優(yōu)勢(shì)，逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶

發(fā)表于 09-13 10:56 ?169次閱讀

Nexperia斥資2億美元,布局未來寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

下一代寬禁帶半導(dǎo)體（WBG）的研發(fā)和生產(chǎn)，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等高性能材料，進(jìn)

發(fā)表于 06-28 16:56 ?644次閱讀

安世半導(dǎo)體Nexperia將在漢堡投資2億美元研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品(WBG)

半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，計(jì)劃投資2億美元（約合1.84億歐元）研發(fā)下一代寬禁

發(fā)表于 06-28 09:30 ?649次閱讀

注冊(cè)開放，搶占坐席 | 英飛凌寬禁帶論壇全日程首發(fā)

半導(dǎo)體已成為綠色能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推動(dòng)力，幫助實(shí)現(xiàn)更高的功效、更小的尺寸、更輕的重量、以及更低的總成本。英飛凌提供廣泛的寬禁

發(fā)表于 06-18 08:14 ?254次閱讀

CNBC對(duì)話納微CEO，探討下一代氮化鎵和碳化硅發(fā)展

近日，納微半導(dǎo)體CEO Gene Sheridan做客CNBC，與WORLDWIDE EXCHANGE主持人Frank Holland對(duì)話，分享了在AI數(shù)據(jù)中心所需電源功率呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的需求下，下一代氮化鎵和碳化硅將迎來怎樣的火

發(fā)表于 06-13 10:30 ?420次閱讀

納微半導(dǎo)體宣布將參加亞洲充電展，最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來

下一代氮化鎵和碳化硅技術(shù)為移動(dòng)電子、電動(dòng)汽車和工業(yè)領(lǐng)域注入超快充動(dòng)力

發(fā)表于 03-15 15:05 ?484次閱讀

寬禁帶半導(dǎo)體：聊聊碳化硅（全是干貨！）#電路知識(shí) #電工 #電工知識(shí)

碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體

微碧半導(dǎo)體VBsemi
發(fā)布于 :2024年01月17日 17:55:33

碳化硅特色工藝模塊簡(jiǎn)介

碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等

發(fā)表于 01-11 17:33 ?650次閱讀

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用及發(fā)展

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶

發(fā)表于 12-28 09:25 ?419次閱讀

氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體的區(qū)別

氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材

發(fā)表于 12-27 14:54 ?1172次閱讀

碳化硅和氮化鎵哪個(gè)好

碳化硅和氮化鎵的區(qū)別? 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種常見的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在電子、

發(fā)表于 12-08 11:28 ?1668次閱讀

如何保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡

如何保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡

發(fā)表于 11-23 17:00 ?317次閱讀

直播回顧 | 寬禁帶半導(dǎo)體材料及功率半導(dǎo)體器件測(cè)試

點(diǎn)擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！寬禁帶材料是指禁帶寬度大于 2.3eV 的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最為常見，典型代表有

發(fā)表于 11-03 12:10 ?661次閱讀

寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料碳化硅襯底到底貴在哪里？

碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，碳化硅

發(fā)表于 10-09 16:38 ?772次閱讀

第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅功率器件的應(yīng)用

SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。在眾多的半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿

發(fā)表于 09-26 16:42 ?691次閱讀