一文讀懂碳化硅設計中的熱管理

決定逆變器效率的主要因素之一是所使用的半導體器件（IGBT / MOSFET）。這些器件表現(xiàn)出兩種主要類型的損耗：導通損耗和開關損耗。導通損耗與開通狀態(tài)下的導通電阻 (R_DS(ON)) 成正比，計算方法為漏極電流 (I_D) 與漏源電壓 (V_DS) 的乘積。

將 SiC MOSFET 的 V_DS 特性與類似 Si IGBT 的特性進行比較，可以觀察到，對于給定電流，SiC 器件的 V_DS 通常較低。還值得注意的是，與 IGBT 不同，SiC MOSFET 中的 V_DS 與 I_D成正比，這意味著它在低電流下的導通損耗會顯著降低。這在高功率應用（例如汽車和太陽能）中非常重要，因為它意味著在這些應用中，逆變器在其工作生命周期的大部分時間處于小功率工況，效率會有顯著提高，損耗更低。

圖 2.Si IGBT 和 SiC MOSFET 的 V_DS 比較

驅動損耗與開關器件所需的柵極電荷 (Qg) 成正比。這是每個開關周期都需要的，使其與開關頻率成正比，并且 Si MOSFET 比 SiC 器件更大。設計人員熱衷于提高開關頻率以減小磁性元件的尺寸、重量和成本，這意味著使用 SiC 器件會帶來顯著優(yōu)勢。

電源系統(tǒng)中的所有損耗都會變成熱量，這會影響元件密度，從而增加終端應用的尺寸。發(fā)熱組件不僅會升高其自身的內部溫度，還會升高整個應用的環(huán)境溫度。為確保溫升不會限制運行甚至導致組件故障，需要在設計中進行熱管理。

SiC MOSFET 能夠在比硅器件更高的頻率和溫度下運行。由于它們可以承受更高的工作溫度，因此減少了對熱管理的需求，可以允許器件本身產(chǎn)生更大的熱量。這意味著，將基于硅的設計與等效的基于 SiC 的設計進行比較時，熱管理要求要低得多，因為 SiC 系統(tǒng)產(chǎn)生的損耗更低，并且可以在更高的溫度下運行。

通過比較，一個典型的 SiC 二極管在 80kHz 下工作時，損耗比同等硅二極管低 73%。因此，在太陽能應用和電動汽車的大功率逆變器中，SiC 器件的效率優(yōu)勢將對降低電力系統(tǒng)的熱管理需求產(chǎn)生非常顯著的影響，可能降低 80% 或更多。

盡管 SiC 器件投入實際使用已經(jīng)有一段時間了，但人們認為基于 SiC 的設計最終成本將高于硅基設計，因而在某些方面減緩了 SiC 器件的采用速度。然而，若是直接比較硅基器件和SiC器件的相對成本，而不考慮每種技術對整體系統(tǒng)成本的影響，可能會使設計人員得出錯誤的結論。

如果我們考慮 30 kW 左右的硅基電源解決方案，用于開關的半導體器件加起來約占物料清單成本的10%。主要的無源元件（電感器和電容器）占剩余成本的大部分，分別為 60% 和 30%。

雖然 SiC 器件的單位成本確實高于等效的硅基器件，但 SiC 器件的性能降低了對電感器和電容器的要求，顯著降低了系統(tǒng)的尺寸、重量和成本。僅此一項就可以將 SiC 的物料清單的總成本低于同等硅基解決方案。然而，正如我們所見，基于 SiC 的解決方案中的熱管理成本也明顯更低。因此，加上這種成本節(jié)約意味著 SiC 設計更高效、更小、更輕，而且一定程度上成本更低。

安森美 (onsemi) 最新的 1200 V 和 900 V N 溝道 EliteSiC MOSFET具有低反向恢復電荷的體二極管，可以顯著降低損耗，即使在更高的頻率下操作也是如此。芯片尺寸小有助于高頻操作，減少柵極電荷，減小米勒 (Crss) 和輸出 (Coss) 寄生電容，從而減少開關損耗。

這些新器件的 I_D 額定電流高達 118 A，可提高整體系統(tǒng)效率并改善EMI，同時允許設計人員使用更少（和更?。┑臒o源元件。如果需要處理更高電流，這些器件可以配置為并聯(lián)工作，因為它們具有正溫度系數(shù)而不受溫度影響。

主要有兩種熱管理方法：主動或被動。被動方法使用散熱片或其他類似器件（例如熱管）將多余的熱量從發(fā)熱器件轉移到外殼，進而消散到周圍環(huán)境中。散熱片的散熱能力隨著尺寸的增加而增加，散熱能力與可用的表面積成正比，為了在最小的體積中實現(xiàn)最大的表面積，這通常會引入復雜的設計。

主動散熱通常涉及某種形式的降溫裝置，例如電動汽車應用中的風扇或冷卻液。由于它們會產(chǎn)生強制氣流，因此它們可以在受限空間內提供更多散熱。然而，也有一些明顯的缺點，包括風扇可靠性和需要在逆變器外殼上開孔以允許氣流流通（這也可能導致灰塵或液體進入）。此外，風扇需要額外的電能才能運行，這會影響整體系統(tǒng)的效率。

電源設計人員面臨著提供更高效、更可靠和體積更小的解決方案的挑戰(zhàn)，他們正在尋求 SiC等新技術來幫助他們應對這些挑戰(zhàn)并降低總成本。

基于 SiC 的開關器件使設計人員能夠讓系統(tǒng)在更高的溫度和頻率下以更低的損耗運行，這是應對這些挑戰(zhàn)的關鍵。此外，這些電氣性能優(yōu)勢意味著無源器件的熱管理要求和元件值的顯著降低，從而進一步降低成本和尺寸/重量。因此，SiC 方案能夠以更小的尺寸和更低的成本實現(xiàn)更高的性能水平。