華為技術有限公司最近增加了多項專利信息,其中一項是“半導體器件”,公開號碼為cn116868342a。
根據(jù)專利摘要,該公開是關于半導體元件及其制造方法的。半導體器件包括電裝效應晶體管。電場效應晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導體溝道。漏極和源極分別位于氧化物半導體通道的兩端。漏極和源極分別接觸氧化物半導體通道的多個表面,增加源極和泄漏極和氧化物半導體溝道的接觸面積,減少接觸電阻。由于半導體器件的接觸電阻降低,在相同電壓下的電流會增加,從而提高差額效應晶體管的電流驅動能力和響應速度。
據(jù)了解,截至2022年底,華為擁有有效授權專利超過12萬項,主要分布在中國、歐洲、美洲、亞太、中東、非洲。華為在中國和歐洲分別擁有4萬多項專利,在美國擁有22000多項專利。
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