一種高能效、高可靠性氮化鎵芯片進入電子領域

作為氮化鎵快充控制器國產化的先行者，KeepTops率先實現(xiàn)了氮化鎵控制芯片的自主可控性，并成功量產集成GaN直驅的控制器。得到了業(yè)界的廣泛認可，現(xiàn)已推出。

KeepTops繼推出氮化鎵控制器后，再次推出高集成度氮化鎵功率芯片KT65C1R120D，將控制器、氮化鎵驅動器、GaN功率管集成到DFN8*8個小體積封裝。通過將它們全部集成到一個封裝中，降低了寄生參數(shù)對高頻開關的影響，在提高可靠性的同時提高了效率，并簡化了氮化鎵充電器的設計。

氮化鎵芯片

KT65C1R120D是一種高能效、高可靠性的高頻準諧振反激變換器。轉換器內置高壓啟動電路，可實現(xiàn)超低待機功耗和超快的啟動速度。KT65C1R120D提供自適應頻率折疊式，在滿載范圍內實現(xiàn)高效率。在QR和DCM模式下，山谷被打開以提高效率。無負載時，芯片工作在突發(fā)模式下，以降低待機功耗。

內部集成了一個650V耐電壓氮化鎵開關管，以及一個高電壓啟動電路，軟啟動電路，以及超寬輸出范圍分段電源電路。在突發(fā)和故障模式下具有超低的工作電流，最大工作頻率為175KHz，支持頻率抖動以改善電磁干擾性能，支持谷導通，并在輕載和空載模式下以突發(fā)模式工作，以降低功耗和提高效率。

芯片內置過熱保護、電源過壓保護、電源欠壓鎖定、逐周期限流、兩級過流保護、輸出過壓保護、輸出短路保護和過載保護，提供完整全面的保護功能。

在同步整流管的背面是KeepTops KT65C1R120D同步整流控制器，KT65C1R120D 是一顆自適應開通檢測和快速關斷同步整流控制器，無需輔助線圈供電，輸出電壓最低可低至 0V，專利的自適應開通檢測電路避免同步整流管誤開通，兼容多種 MOS，具有超低的靜態(tài)電流，支持多種工作模式，支持高側和低側同步整流，外圍元件非常精簡。

氮化鎵芯片

氮化鎵的重要性
許多由氮化鎵制成的東西正在改變電力電子的行業(yè)。今天，你可以買到小型的USB-C充電器，這些充電器的電量足以同時為你的筆記本電腦、手機和平板電腦充電，即使它們的電量并不比我們多年來使用的小設備差多少。版本要大得多。

將一種電壓電平轉換為另一種電壓電平的電力電子設備也是電動汽車許多方面的關鍵。它們體積更小、重量更輕、效率更高、散發(fā)的熱量更少，讓電動汽車充一次電可以行駛更遠的距離。這些產品還非常善于從太陽能電池板等可再生能源中榨取更多電力。即使是少量的能量轉換效率，當它們發(fā)生多次時也會增加，例如在包括電池存儲在內的可再生能源電網中。

GaN可能是一種神奇的材料，但它面臨著來自久經考驗的硅和越來越多的新材料的競爭，這些新材料有可能徹底改變我們的電子產品。不過，它的用途仍在擴大,降低功耗和廢熱可以轉化為大量節(jié)省電費。然而，其數(shù)據(jù)中心的客戶都沒有公開承認使用過這項技術。

與硅相比，GaN可以處理相對較大的電流。它有一個不尋常的特性，既能很好地移動電子，又能很好地阻止它們去你不想讓它們去的地方，這使得它既有用又相對安全。除了導電能力外，GaN還能在比硅高得多的頻率下工作。在商業(yè)應用中快30到500倍這使得充電器比傳統(tǒng)充電器更小或提供更多的功率。

審核編輯 黃宇