0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

R課堂 | 用戶測(cè)評(píng):碳化硅評(píng)估板P02SCT3040KR-EVK-001性能實(shí)測(cè)分享

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) ? 來源:未知 ? 2023-10-11 16:25 ? 次閱讀

※文章轉(zhuǎn)載自與非網(wǎng)羅姆技術(shù)社區(qū),作者為y369369

很感謝羅姆社區(qū)給了這一次評(píng)測(cè)【P02SCT3040KR-EVK-001評(píng)測(cè)板】的機(jī)會(huì),確實(shí)拿到手沉甸甸,不得不說,羅姆的工藝還是很不錯(cuò)的,由于最近家里邊這邊洪水泛濫,耽擱了不少時(shí)間來評(píng)測(cè)本次開發(fā)板,周末利用空隙抓緊就評(píng)測(cè)評(píng)測(cè)。言歸正傳,接下來就進(jìn)入正題開始分享。

產(chǎn)品介紹

羅姆的碳化硅MOSFET評(píng)估板“P02SCT3040KR-EVK-001”是一款專為高效率要求的服務(wù)器電源、太陽(yáng)能逆變器以及電動(dòng)汽車充電站等設(shè)計(jì)的評(píng)估板。采用了溝槽柵結(jié)構(gòu)的碳化硅MOSFET,該評(píng)估板具有高速開關(guān)性能,并且采用了電源源極引腳和驅(qū)動(dòng)器源極引腳分離的封裝。

wKgaomUt2pCAF62GAA_KR6ZS3YQ201.png

(開箱老生常談,就不開了,直接接線正面圖給大家看。)

01

產(chǎn)品的特性

P02SCT3040KR-EVK-001”評(píng)估板提供了豐富的板在資源和內(nèi)部特性,以滿足各種應(yīng)用場(chǎng)景的需求。它包括多個(gè)電源源極引腳和驅(qū)動(dòng)器源極引腳分離的封裝,方便連接外部設(shè)備和其他硬件模塊。此外,通過數(shù)據(jù)手冊(cè)我們可以看到,3040KR SiC mos管的參數(shù):

wKgaomUt2pCAMeaWAAECkUxMySs878.png

引腳連接圖:

wKgaomUt2pCAbGYZAANXOSH56qQ675.png

從上邊這些數(shù)據(jù)來看,羅姆的這個(gè)MOSFET開發(fā)板真的相當(dāng)哇塞。

咨詢或購(gòu)買產(chǎn)品

掃描二維碼填寫相關(guān)信息

將由工作人員與您聯(lián)系

wKgaomUt2pGAKpWQAAAWeSvOFMU559.png

02

性能測(cè)試

在性能測(cè)試方面,我們對(duì)“P02SCT3040KR-EVK-001”評(píng)估板進(jìn)行了多項(xiàng)測(cè)試以評(píng)估其性能。首先,我們測(cè)試了其輸出功率和效率。通過連接適當(dāng)?shù)呢?fù)載,我們測(cè)量了評(píng)估板在不同負(fù)載情況下的輸出功率,并計(jì)算了其效率。結(jié)果顯示,該評(píng)估板在高負(fù)載情況下仍能保持較高的效率,非常適用于高效率要求的應(yīng)用。

下邊是測(cè)試連接圖,線有點(diǎn)多,不過為了更好的測(cè)試他的性能也值了。

wKgaomUt2pGAQwmgABBamTfHOCk617.png

另外,我們還測(cè)試了評(píng)估板的開關(guān)速度和響應(yīng)時(shí)間。通過對(duì)輸入信號(hào)的變化進(jìn)行監(jiān)測(cè)和測(cè)量,我們?cè)u(píng)估了評(píng)估板的開關(guān)速度和響應(yīng)時(shí)間。

結(jié)果顯示:“P02SCT3040KR-EVK-001”評(píng)估板具有出色的開關(guān)速度和響應(yīng)時(shí)間,能夠快速、高效地響應(yīng)輸入信號(hào)。

03

電源管理測(cè)試

評(píng)估板具備出色的電源管理功能,能夠?qū)崿F(xiàn)高效、穩(wěn)定的供電。我們對(duì)其進(jìn)行了功耗測(cè)試和電源穩(wěn)定性測(cè)試,結(jié)果顯示,評(píng)估板在不同負(fù)載情況下的功耗表現(xiàn)良好,并且電源穩(wěn)定性高,能夠保證系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。

上下滑動(dòng)查看更多圖片

負(fù)載電感測(cè)量:

wKgaomUt2pGALdWpAA-qXNKGlW4831.png

測(cè)試示波器和萬用表數(shù)據(jù)顯示:

wKgaomUt2pKAWqPCABKd5Vj19jw471.png

再來個(gè)特寫數(shù)據(jù)展示:

wKgaomUt2pKAEW4hAA4d-qro1lo992.png

測(cè)試結(jié)果:
從整個(gè)測(cè)試的數(shù)據(jù)反映,在頻率15KHz,占空比20%,測(cè)量數(shù)據(jù),示波器顯示的Mos管開關(guān)部分波形,萬用表現(xiàn)實(shí)降壓后輸出電壓,電源為HVdc供電50V/0.9A,負(fù)載電阻40歐姆。

咨詢或購(gòu)買產(chǎn)品

掃描二維碼填寫相關(guān)信息

將由工作人員與您聯(lián)系

wKgaomUt2pGAKpWQAAAWeSvOFMU559.png

04

可靠性和穩(wěn)定性

P02SCT3040KR-EVK-001”評(píng)估板的硬件設(shè)計(jì)和制造質(zhì)量非??煽?,能夠在長(zhǎng)時(shí)間的使用中保持穩(wěn)定的性能。在測(cè)試中,我們對(duì)其進(jìn)行了長(zhǎng)時(shí)間的運(yùn)行和負(fù)載測(cè)試,結(jié)果顯示,評(píng)估板在各種負(fù)載情況下均能夠保持良好的工作狀態(tài),沒有出現(xiàn)異常情況。

綜上所述,羅姆碳化硅MOSFET評(píng)估板“P02SCT3040KR-EVK-001”在性能、接口和擴(kuò)展性、電源管理以及可靠性和穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色。對(duì)于要求高效率的服務(wù)器電源、太陽(yáng)能逆變器以及電動(dòng)汽車充電站等應(yīng)用,該評(píng)估板是一個(gè)理想的選擇。

總結(jié)

羅姆的碳化硅MOSFET評(píng)估板“P02SCT3040KR-EVK-001”是一款專為高效率要求的服務(wù)器電源、太陽(yáng)能逆變器以及電動(dòng)汽車充電站等設(shè)計(jì)的評(píng)估板。它采用了溝槽柵結(jié)構(gòu)的碳化硅MOSFET,具有高速開關(guān)性能。評(píng)估板提供了豐富的接口和擴(kuò)展選項(xiàng),方便連接外部設(shè)備和其他硬件模塊。幫助開發(fā)者快速上手和進(jìn)行開發(fā)。評(píng)估板具備出色的電源管理功能,能夠?qū)崿F(xiàn)高效、穩(wěn)定的供電。在可靠性和穩(wěn)定性方面,評(píng)估板經(jīng)過長(zhǎng)時(shí)間的運(yùn)行和負(fù)載測(cè)試,表現(xiàn)良好。另外,羅姆官網(wǎng)也有很多不錯(cuò)的技術(shù)資料,應(yīng)用筆記等等值得大家去學(xué)習(xí),歡迎參考!

wKgaomUt2pKAHo9eAAJ_jeDa55M745.png

點(diǎn)擊前往 羅姆官網(wǎng)碳化硅支持頁(yè)面

咨詢或購(gòu)買產(chǎn)品

掃描二維碼填寫相關(guān)信息

將由工作人員與您聯(lián)系

wKgaomUt2pGAKpWQAAAWeSvOFMU559.png

END

點(diǎn)擊閱讀原文 了解更多信息


原文標(biāo)題:R課堂 | 用戶測(cè)評(píng):碳化硅評(píng)估板P02SCT3040KR-EVK-001性能實(shí)測(cè)分享

文章出處:【微信公眾號(hào):羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。


聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 羅姆
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4

    文章

    382

    瀏覽量

    66196

原文標(biāo)題:R課堂 | 用戶測(cè)評(píng):碳化硅評(píng)估板P02SCT3040KR-EVK-001性能實(shí)測(cè)分享

文章出處:【微信號(hào):羅姆半導(dǎo)體集團(tuán),微信公眾號(hào):羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡(jiǎn)稱SiC)功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率器件在性能和效率方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。本文將深入探討碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?180次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    IPAC碳化硅直播季丨如何設(shè)計(jì)2000V CoolSiC?驅(qū)動(dòng)評(píng)估

    英飛凌繼推出市面首款擊穿電壓達(dá)到2000V的CoolSiCMOSFET分立器件,再次推出首個(gè)應(yīng)用于2000VCoolSiCMOSFET的評(píng)估。本次IPAC直播間特邀評(píng)估開發(fā)團(tuán)隊(duì),免
    的頭像 發(fā)表于 08-02 08:14 ?187次閱讀
    IPAC<b class='flag-5'>碳化硅</b>直播季丨如何設(shè)計(jì)2000V CoolSiC?驅(qū)動(dòng)<b class='flag-5'>評(píng)估</b><b class='flag-5'>板</b>

    碳化硅(SiC)功率器件的開關(guān)性能比較

    (JFET)以及現(xiàn)在的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。碳化硅功率器件在這些碳化硅功率器件的開關(guān)性能中,制造商通常需要在柵極驅(qū)動(dòng)復(fù)雜性和所需性能之間進(jìn)行權(quán)衡
    的頭像 發(fā)表于 05-30 11:23 ?409次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)功率器件的開關(guān)<b class='flag-5'>性能</b>比較

    英飛凌推出用于2kV碳化硅MOSFET模塊的數(shù)字驅(qū)動(dòng)評(píng)估

    半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新者英飛凌科技近日發(fā)布了一款革命性的數(shù)字驅(qū)動(dòng)評(píng)估——EVAL-FFXMR20KM1HDR,專為2kV碳化硅MOSFET模塊設(shè)計(jì)。這款評(píng)估
    的頭像 發(fā)表于 05-11 11:33 ?568次閱讀

    新品 | 用于2kV碳化硅MOSFET模塊的數(shù)字驅(qū)動(dòng)評(píng)估

    新品用于2kV碳化硅MOSFET模塊的數(shù)字驅(qū)動(dòng)評(píng)估評(píng)估EVAL-FFXMR20KM1HDR可以幫助客戶快速啟動(dòng)基于2kV
    的頭像 發(fā)表于 05-09 08:13 ?233次閱讀
    新品 | 用于2kV<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET模塊的數(shù)字驅(qū)動(dòng)<b class='flag-5'>評(píng)估</b><b class='flag-5'>板</b>

    碳化硅MOS在直流充電樁上的應(yīng)用

    MOS碳化硅
    瑞森半導(dǎo)體
    發(fā)布于 :2024年04月19日 13:59:52

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏
    發(fā)表于 03-08 08:37

    一文了解SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢(shì)

    共讀好書 碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。 碳化硅MOSFET具
    的頭像 發(fā)表于 02-21 18:24 ?1124次閱讀
    一文了解SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET的應(yīng)用及<b class='flag-5'>性能</b>優(yōu)勢(shì)

    SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢(shì)

    碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。
    的頭像 發(fā)表于 01-20 17:18 ?855次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET的應(yīng)用及<b class='flag-5'>性能</b>優(yōu)勢(shì)

    碳化硅特色工藝模塊簡(jiǎn)介

    碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)。由于這些優(yōu)異的性能,碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。然而,由于
    的頭像 發(fā)表于 01-11 17:33 ?650次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>特色工藝模塊簡(jiǎn)介

    碳化硅的特性、應(yīng)用及動(dòng)態(tài)測(cè)試

    SiC是碳化硅的縮寫。它是一種由硅原子和碳原子組成的化合物。碳化硅以其優(yōu)異的性能著稱,是一種用途廣泛的材料。
    的頭像 發(fā)表于 01-09 09:41 ?600次閱讀

    碳化硅功率器件簡(jiǎn)介、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

    碳化硅二極管和碳化硅晶體管。由于其出色的性能,碳化硅功率器件在電動(dòng)汽車、可再生能源系統(tǒng)、智能電網(wǎng)、軌道交通等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
    的頭像 發(fā)表于 01-09 09:26 ?2433次閱讀

    三種碳化硅外延生長(zhǎng)爐的差異

    碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工,需要在其上經(jīng)過外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓,這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn),高質(zhì)量的碳化硅同質(zhì)外延材料是碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 12-15 09:45 ?2288次閱讀
    三種<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延生長(zhǎng)爐的差異

    碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化
    的頭像 發(fā)表于 12-08 09:49 ?1471次閱讀

    碳化硅器件介紹與仿真

    本推文主要介碳化硅器件,想要入門碳化硅器件的同學(xué)可以學(xué)習(xí)了解。
    的頭像 發(fā)表于 11-27 17:48 ?1428次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件介紹與仿真