三星西安工廠將引進236層NAND芯片生產(chǎn)設備

三星電子決定將其西安NAND閃存工廠過渡到200層NAND工藝。三星生產(chǎn)236層（第8代）NAND產(chǎn)品的舉措被視為克服全球NAND需求低迷而導致業(yè)績下降的戰(zhàn)略步驟。

業(yè)內(nèi)消息人士透露，三星高管已批準其西安工廠的NAND工藝升級，并已開始廣泛的擴張工作。三星已開始為這一轉(zhuǎn)型采購最新的半導體設備，新設備預計將在2023年底交付。

三星西安工廠是該公司唯一的海外存儲半導體生產(chǎn)基地。2014年竣工的西安工廠到2020年擴建了第二個工廠，成長為每月能生產(chǎn)20萬個12英寸晶片的世界最大的nand制造基地。占三星nand總生產(chǎn)量的40%以上。在這樣的背景下，三星計劃到2024年在西安工廠接連引進能夠生產(chǎn)nand 236段（第8代）的設備。

三星決定升級西安工廠的原因大致有兩個。第一，在nand閃存市場尚未出現(xiàn)恢復跡象的情況下，在nand閃存市場保持世界領先地位。受從去年年底開始的it景氣低迷和半導體景氣低迷的影響，三星nand的銷量增加，從而使虧損擴大。

在政策性減產(chǎn)后，業(yè)績改善緩慢，因此打出了工程升級牌。隨著批量生產(chǎn)最新第八代產(chǎn)品，可以確保價格競爭力和需求，第八代產(chǎn)品比第六代經(jīng)過更多的工程，可以自然地減少30%左右的晶片投入。這意味著有平衡市場供求的潛力。

實際上，三星在今年4月正式宣布減產(chǎn)。第六代（128段）v - nand的主力生產(chǎn)基地西安工廠的開工率也大幅下降。現(xiàn)有產(chǎn)品（128層）的需求受到限制，也不能確保價格競爭力，因此全體工廠的開工率下降到了20%左右。

三星和sk海力士暫時放寬半導體限制規(guī)定，以便在中國運營工廠，這也是程序變更的另一個背景。美國政府去年10月要求允許向中國本土半導體生產(chǎn)基地銷售128段以上14納米以下的nand閃存和18納米以下d內(nèi)存使用的本國設備。隨著美國政府發(fā)表對三星電子和sk海力士等半導體企業(yè)免除1年出口管制的措施，國內(nèi)半導體企業(yè)在中國工廠的運轉(zhuǎn)可能會受到制約的憂慮和不安感正在增大。

但是，美國商務部產(chǎn)業(yè)安全局（bis） 10月13日正式公布，將無限期免除美國對三星電子和sk海力士中國工廠的對華半導體設備限制規(guī)定，從而允許三星和sk海力士所需的半導體制造設備入境。