中芯國際“NAND閃存器件及其形成方法”專利獲授權(quán)

中芯國際近日新增多條專利信息，其中一條名稱為“NAND閃存器件及其形成方法”，公開號為CN113078099A，法律狀態(tài)顯示該專利已獲授權(quán)。

專利摘要顯示，一種NAND閃存器件及其形成方法，方法在形成第一源漏摻雜區(qū)之后，刻蝕減薄第一初始間隙壁結(jié)構(gòu)，使第一初始間隙壁結(jié)構(gòu)形成第一間隙壁結(jié)構(gòu)；形成第一間隙壁結(jié)構(gòu)之后，在第一槽中形成底部介質(zhì)層；形成底部介質(zhì)層之后，去除第一間隙壁結(jié)構(gòu)，以在底部介層和第一柵極結(jié)構(gòu)之間、以及底部介質(zhì)層和第二柵極結(jié)構(gòu)之間形成第一開口；在第一開口的內(nèi)壁和第一開口上、以及底部介質(zhì)層上形成頂部介質(zhì)層，第一槽中底部介質(zhì)層分別和第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)之間具有第一空隙，第一空隙被頂部介質(zhì)層的材料包裹；形成貫穿頂部介質(zhì)層和底部介質(zhì)層的第一導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)，第一導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)與第一源漏摻雜區(qū)電學(xué)連接。上述的方案，可以提高NAND閃存器件的成品率。

中芯國際方面表示：“nand閃存憑借較高的單元密度和存儲器密度、快速使用和刪除速度等優(yōu)點，已成為廣泛使用在閃存上的結(jié)構(gòu)。”目前主要用于數(shù)碼相機(jī)等的閃存卡和mp3播放器。其中，現(xiàn)有的nand閃存部件是將空空間作為空氣側(cè)壁使用，與側(cè)壁材料相比，空氣的每個常數(shù)（每個常數(shù)）較小，因此設(shè)置空氣側(cè)壁可以減少nand閃存部件相鄰線之間的電容器。通過這種方式，可以改善nand閃存配件在程序設(shè)計過程中出現(xiàn)混亂問題和nand閃存配件反復(fù)讀寫的能力。但據(jù)悉，三星電子認(rèn)為，nand閃存元件的性能仍應(yīng)得到提高，因此提交了該專利。