摘要:
等離子體工藝是干法清洗應(yīng)用中的重要部分,隨著微電子技術(shù)的發(fā)展,等離子體清洗的優(yōu)勢越來越明顯。文章介紹了等離子體清洗的特點(diǎn)和應(yīng)用,討論了它的清洗原理和優(yōu)化設(shè)計方法。最后分析了等離子體清洗工藝的關(guān)鍵技術(shù)及解決方法。
1 引言
半導(dǎo)體器件生產(chǎn)過程中,晶圓芯片表面會存在各種顆粒、金屬離子、有機(jī)物及殘留的磨料顆粒等沾污雜質(zhì)。為保證集成電路IC集成度和器件性能,必須在不破壞芯片及其他所用材料的表面特性、電特性的前提下,清洗去除芯片表面上的這些有害沾污雜質(zhì)物。否則,它們將對芯片性能造成致命影響和缺陷,極大地降低產(chǎn)品合格率,并將制約器件的進(jìn)一步發(fā)展。目前,器件生產(chǎn)中的幾乎每道工序都有清洗這一步驟,其目的是去除芯片表面沾污、雜質(zhì),現(xiàn)廣泛應(yīng)用的物理化學(xué)清洗方法大致可分成濕法清洗和干法清洗兩類,尤其是干法清洗發(fā)展很快,其中的等離子體清洗優(yōu)勢明顯,在半導(dǎo)體器件及光電子元器件封裝領(lǐng)域中獲得推廣應(yīng)用。
2 等離子體清洗
等離子體就是由正離子、負(fù)離子、自由電子等帶電粒子和不帶電的中性粒子如激發(fā)態(tài)分子以及自由基組成的部分電離的氣體,由于其正負(fù)電荷總是相等的,所以稱為等離子體。這也是物質(zhì)存在的又一種基本形態(tài)(第四態(tài))。一種新形態(tài)必然有與其相應(yīng)的化學(xué)行為,由于等離子體中的電子、離子和自由基等活性粒子的存在,其本身很容易與固體表面發(fā)生反應(yīng),這種反應(yīng)可分為物理的或化學(xué)的。用等離子體通過化學(xué)或物理作用時對工件(生產(chǎn)過程中的電子元器件及其半成品、零部件、基板、印制電路板)表面進(jìn)行處理,實(shí)現(xiàn)分子水平的污漬、沾污去除(一般厚度在3nm~30nm),提高表面活性的工藝叫做等離子體清洗。其機(jī)理主要是依靠等離子體中活性粒子的“活化作用”,達(dá)到去除物體表面污漬的目的,其通常包括無機(jī)氣體被激發(fā)為等離子態(tài)、氣相物質(zhì)被吸附在固體表面、被吸附基團(tuán)與固體表面分子反應(yīng)生成產(chǎn)物分子、產(chǎn)物分子解析形成氣相、反應(yīng)殘余物脫離表面等過程。
等離子體清洗的最大特點(diǎn)是不分處理對象的基材類型均可進(jìn)行處理,對金屬、半導(dǎo)體、氧化物、有機(jī)物和大多數(shù)高分子材料也能進(jìn)行很好的處理,只需要很低的氣體流量,并可實(shí)現(xiàn)整體和局部以及復(fù)雜結(jié)構(gòu)的清洗。在等離子體清洗工藝中,不使用任何化學(xué)溶劑,因此基本上無污染物,有利于環(huán)境保護(hù)。此外,其生產(chǎn)成本較低,清洗具有良好的均勻性和重復(fù)性、可控性,易實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。
3 等離子體清洗的類別
最基本的等離子體清洗設(shè)備由四大部分組成,即激發(fā)電源、真空泵、真空腔、反應(yīng)氣體源。激發(fā)電源是提供氣體放電能量來源的電源,可以采用不同的頻率;真空泵的主要作用是抽走副產(chǎn)品,包括旋片式機(jī)械泵或增壓泵;真空腔內(nèi)帶有放電電離的電極,將反應(yīng)氣體變成等離子體;反應(yīng)氣體源一般采用的氣體有氬、氧、氫、氮、四氯化碳等單一氣體,或兩種氣體混合使用。有許多因素支配著等離子體清洗的效用,這些因素包含化學(xué)性質(zhì)的選擇、制程參數(shù)、功率、時間、零件放置及電極構(gòu)造。不同的清洗用途所需要的設(shè)備結(jié)構(gòu)、電極接法、反應(yīng)氣體種類是不同的,其工藝原理也有很大區(qū)別,有的是物理反應(yīng),有的是化學(xué)反應(yīng),有的是物理化學(xué)兩種作用都產(chǎn)生,反應(yīng)的有效性取決于等離子體氣源、等離子系統(tǒng)的組合及等離子工藝操作參數(shù)。表1示出半導(dǎo)體生產(chǎn)中等離子工藝的選擇及應(yīng)用,等離子體腐蝕、等離子體去膠較早被半導(dǎo)體生產(chǎn)前部工序采用,利用常壓輝光冷等離子體所產(chǎn)生的活性物質(zhì)對有機(jī)沾污和光刻膠進(jìn)行清洗,是替代濕化學(xué)清洗方法的一種綠色手段。
3.1 化學(xué)反應(yīng)為主的清洗
表面反應(yīng)以化學(xué)反應(yīng)為主的等離子體清洗,習(xí)慣上稱等離子清洗PE,許多氣體的等離子態(tài)可產(chǎn)生高活性的粒子。從化學(xué)反應(yīng)式可知,典型的PE工藝是氧氣或氫氣等離子體工藝,用氧等離子通過化學(xué)反應(yīng),能夠使非揮發(fā)性有機(jī)物變成易揮發(fā)性的CO 2 和水汽,去除沾污物,使表面清潔;用氫的等離子可通過化學(xué)反應(yīng),去除金屬表面氧化層,清潔金屬表面。反應(yīng)氣體電離產(chǎn)生的高活性反應(yīng)粒子,在一定條件下與被清洗物體表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),反應(yīng)生成物是易揮發(fā)性物,可以被抽走,而針對被清除物的化學(xué)成分,選擇合適的反應(yīng)氣體組分是極為重要的。PE 的特點(diǎn)是表面改性,清洗速度較快,選擇性好,對有機(jī)沾污污染比較有效。其不足是可能產(chǎn)生氧化物。
3.2 物理反應(yīng)為主的清洗
表面反應(yīng)以物理反應(yīng)為主的等離子體清洗,也稱為濺射腐蝕SPE或離子銑IM。表面物理濺射是指等離子體中的正離子在電場獲得能量去轟擊表面,撞擊移去表面分子片段和原子,使污染物從表面去除,并能夠使表面在分子級范圍改變微觀形態(tài)粗糙化,從而改善表面的粘結(jié)性能。氬氣本身是惰性氣體,等離子態(tài)的氬氣并不和表面發(fā)生反應(yīng),最常用的工藝是氬等離子通過物理濺射使表面清潔。等離子體物理清洗不會產(chǎn)生氧化副作用,保持被清洗物的化學(xué)純潔性,腐蝕作用各向異性,缺點(diǎn)是對表面產(chǎn)生很大的損害和熱效應(yīng),選擇性差,速度較低。
3.3 反應(yīng)離子腐蝕
化學(xué)清洗、物理清洗各有利弊,在反應(yīng)離子腐蝕中把這兩種機(jī)理結(jié)合起來,物理反應(yīng)和化學(xué)反應(yīng)都同時起重要作用,相互促進(jìn),其效果既有較好的選擇性、清洗率、均勻性,又有較好的方向性。
3.4 順流等離子體清洗
順流等離子體也叫源室分腔式等離子體DPE,產(chǎn)生等離子體的源位于等離子發(fā)生腔,待清洗的工件位于工藝腔,把氣相反應(yīng)粒子、原子團(tuán)、光子等引入工藝腔,對工件進(jìn)行清洗,把離子、電子基本濾除掉。2.45GHz順流等離子體類型是用于封裝類等離子清洗的主要形式,適于清洗有機(jī)物。
3.5 激發(fā)頻率分類
常用的等離子體電源激發(fā)頻率有三種:激發(fā)頻率40kHz的等離子體為超聲等離子,發(fā)生的反應(yīng)為物理反應(yīng),清洗系統(tǒng)離子密度較低;13.56MHz 的等離子體為射頻等離子體,等離子體發(fā)生的反應(yīng)既有物理反應(yīng)又有化學(xué)反應(yīng),離子密度和能量較高;2.45GHz的等離子體為微波等離子體,離子濃度最高,反應(yīng)為化學(xué)反應(yīng)。實(shí)際上,半導(dǎo)體生產(chǎn)中大多采用射頻或微波等離子體清洗,而半導(dǎo)體后部工序用戶用的等離子體清洗設(shè)備大多數(shù)采用由鋁或不銹鋼制造的方形、長方形金屬箱體,電極為內(nèi)置平行板狀結(jié)構(gòu)。
各等離子體清洗設(shè)備廠家針對不同的用戶需求,設(shè)計制造了許多種不同結(jié)構(gòu)類型、不同電源頻率的清洗設(shè)備,各有所長,也就各有所短。選用等離子清洗設(shè)備前要搞清楚待清洗工件特征,要清除掉的沾污物是什么,待清洗工件在清洗過程中應(yīng)避免什么,是高溫、晶格損傷、靜電損傷還是二次污染等,通過試驗(yàn)結(jié)果確認(rèn)、選購滿足不同工件對等離子清洗不同要求的設(shè)備。
4 在封裝生產(chǎn)中的應(yīng)用
等離子體清洗在微電子封裝領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景,等離子體清洗技術(shù)的成功應(yīng)用依賴于工藝參數(shù)的優(yōu)化,包括過程壓力、等離子激發(fā)頻率和功率、時間和工藝氣體類型、反應(yīng)腔室和電極的配置以及待清洗工件放置位置等。半導(dǎo)體后部生產(chǎn)工序中,由于指印、助焊劑、焊料、劃痕、沾污、微塵、樹脂殘跡、自熱氧化、有機(jī)物等,在器件和材料表面形成各種沾污,這些沾污會明顯地影響封裝生產(chǎn)及產(chǎn)品質(zhì)量,利用等離子體清洗技術(shù),能夠很容易清除掉生產(chǎn)過程中形成的這些分子水平的污染,從而顯著地改善封裝的可制造性、可靠性及成品率。
在芯片封裝生產(chǎn)中,等離子體清洗工藝的選擇取決于后續(xù)工藝對材料表面的要求、材料表面的原有特征、化學(xué)組成以及表面污染物性質(zhì)等,表2示出等離子體清洗工藝的選擇及應(yīng)用的部分實(shí)例。
4.1 優(yōu)化引線鍵合
在芯片、微電子機(jī)械系統(tǒng)MEMS封裝中,基板、基座與芯片之間有大量的引線鍵合,引線鍵合仍然是實(shí)現(xiàn)芯片焊盤與外引線連接的重要方式,如何提高引線鍵合強(qiáng)度一直是行業(yè)研究的問題。射頻驅(qū)動的低壓等離子清洗技術(shù)是一種有效的、低成本的清潔方法,能夠有效地去除基材表面可能存在的污染物,例如氟化物、鎳的氫氧化物、有機(jī)溶劑殘留、環(huán)氧樹脂的溢出物、材料的氧化層,等離子清洗一下再鍵合,會顯著提高鍵合強(qiáng)度和鍵合引線拉力的均勻性,它對提高引線鍵合強(qiáng)度作用很大。在引線鍵合之前,氣體等離子體技術(shù)可以用來清洗芯片接點(diǎn),改善結(jié)合強(qiáng)度及成品率,表3示出一例改善的拉力強(qiáng)度對比,采用氧氣及氬氣的等離子體清洗工藝,在維持高工序能力指數(shù)Cpk值的同時能有效改善拉力強(qiáng)度。據(jù)資料介紹,研究等離子體清洗的效能時,不同公司的不同產(chǎn)品類型在鍵合前采用等離子體清洗,增加鍵合引線拉力強(qiáng)度的幅度大小不等,但對提高器件的可靠性而言都很有好處。
用Ar等離子體,將樣品置放在地極板,當(dāng)射頻功率為200W~600W、氣體壓力為100mT~120mT或140mT~180mT時,清洗10min~15min,能獲得很好的清洗效果和鍵合強(qiáng)度,實(shí)驗(yàn)用直徑25μm金絲鍵合引線,當(dāng)采用等離子清洗后,其平均鍵合強(qiáng)度可提高到6.6gf以上。
4.2 倒裝焊接前的清洗
在芯片倒裝封裝方面,對芯片和載體進(jìn)行等離子體清洗,提高其表面活性以后再進(jìn)行倒裝焊,可以有效地防止或減少空洞,提高黏附性。另一特點(diǎn)是提高填料邊緣高度,改善封裝的機(jī)械強(qiáng)度,降低因材料間不同的熱膨脹系數(shù)而在界面間形成的剪切應(yīng)力,提高產(chǎn)品可靠性和壽命。
4.3 芯片粘結(jié)的清洗
等離子體表面清洗可用于芯片粘結(jié)之前的處理,由于未處理材料表明普遍的疏水性和惰性,其表面粘結(jié)性能通常很差,粘結(jié)過程中很容易在界面產(chǎn)生空洞?;罨蟮谋砻婺芨纳骗h(huán)氧樹脂等高分子材料在表面的流動性能,提供良好的接觸表面和芯片粘結(jié)浸潤性,可有效防止或減少空洞形成,改善熱傳導(dǎo)能力。清洗常用的表面活化工藝是通過氧氣、氮?dú)饣蛩鼈兊幕旌蠚獾入x子體來完成的。微波半導(dǎo)體器件在燒結(jié)前采用等離子體清洗管座,對保證燒結(jié)質(zhì)量十分有效。
4.4 引線框架的清洗
引線框架在當(dāng)今的塑封中仍占有相當(dāng)大的市場份額,其主要采用導(dǎo)熱性、導(dǎo)電性、加工性能良好的銅合金材料制作引線框架。但銅的氧化物及其他一些污染物會造成模塑料與銅引線框架分層,并影響芯片粘接和引線鍵合質(zhì)量,確保引線框架清潔是保證封裝可靠性的關(guān)鍵。研究表明,采用氫氬混合氣體,激發(fā)頻率13.56MHz,能夠有效地去除引線框架金屬層上的污染物,氫等離子體能夠去除氧化物,而氬通過離子化能夠促進(jìn)氫等離子體數(shù)量的增加。為了對比清洗效果,J.H.Hsieh把銅引線框架經(jīng)175℃氧化后,采用兩種氣體 Ar 和 Ar/H 2 (1∶4)等離子體清洗,時間分別為2.5min和12min,檢測結(jié)果表明,引線框架表面氧化物殘余量很少,氧的含量為0.1at%。
4.5 管座管帽的清洗
管座管帽若存放時間較長,表面會有陳跡且可能有污染,先對管座管帽進(jìn)行等離子體清洗,去除污染,然后封帽,可顯著提高封帽合格率。陶瓷封裝通常使用金屬漿料印制線作鍵合區(qū)、蓋板密閉區(qū)。在這些材料的表面電鍍Ni、Au 前,采用等離子清洗,去掉有機(jī)物沾污,提高鍍層質(zhì)量。
5 結(jié)束語
在微電子、光電子、MEMS 封裝方面,等離子技術(shù)正廣泛應(yīng)用于封裝材料清洗及活化,對解決電子元器件存在的表面沾污、界面狀態(tài)不穩(wěn)定、燒結(jié)及鍵合不良等缺陷隱患,提升質(zhì)量管理和工序控制能力具有可操作性的積極作用,改善材料表面特性,提高封裝產(chǎn)品性能,需要選擇合適的清洗方式和清洗時間,對提高封裝質(zhì)量和可靠性極為重要。
審核編輯:湯梓紅
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原文標(biāo)題:等離子體清洗及其在電子封裝中的應(yīng)用
文章出處:【微信號:半導(dǎo)體封裝工程師之家,微信公眾號:半導(dǎo)體封裝工程師之家】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
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