隨著人工智能（AI）、5G系統(tǒng)、云計算和物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，數(shù)據(jù)通信需要具有極高容量的發(fā)射機。超快光調(diào)制是大容量發(fā)射機的一項關鍵技術。高速光調(diào)制器引起了相當大的興趣。利用各種材料系統(tǒng)中的不同機制，已經(jīng)取得了重大進展。

在《光：先進制造》雜志上發(fā)表的一篇新論文中，由浙江大學戴道鋅領導的科學家團隊開發(fā)了一種緊湊型絕緣體上鈮酸鋰（LNOI）光子芯片。

(a) 制造的LNOI光子芯片的光學顯微鏡圖像，包括四個EO調(diào)制器和四個信道WDM濾波器。(b) MWG一側(cè)的掃描電子顯微鏡圖像，(c) MWG中間部分的掃描電子顯微鏡圖像，(d) 多路復用器的雙芯錐體，以及(e) 多路復用器的橫截面。

絕緣體上鈮酸鋰（LNOI）平臺上的光學調(diào)制器表現(xiàn)出了巨大的潛力。這是由于線性電光（EO）效應、低額外損耗和高穩(wěn)定性?；隈R赫曾德干涉儀和微諧振器的LNOI EO調(diào)制器表現(xiàn)優(yōu)異。相移臂的長度通常為幾毫米，甚至幾厘米，以實現(xiàn)低電壓。行波電極與高速MZM一起被引入。由于其占地面積大，陣列LNOI MZM對于具有多個信道的高容量多路復用系統(tǒng)來說是不方便的。

此外，基于諧振器的LNOI調(diào)制器可以很緊湊，這可以降低功耗。因此，基于諧振器的LNOI調(diào)制器近年來引起了人們的極大關注。研究團隊已經(jīng)成功展示了基于特定2×2法布里-珀羅（FP）腔的高速LNOI調(diào)制器。它能夠?qū)崿F(xiàn)超過110 GHz的3 dB帶寬和高達140 Gbps的數(shù)據(jù)容量。調(diào)制部分的占用面積比報告的LNOI環(huán)形諧振器調(diào)制器小得多。它對陣列波分復用（WDM）系統(tǒng)非常有吸引力。

同時，人們廣泛研究了先進的復用技術，通過并行傳輸多個信道的數(shù)據(jù)來擴展鏈路容量。WDM技術已經(jīng)成功應用，其中引入了多個波長信道。近年來，各種波導結(jié)構被開發(fā)出來，以實現(xiàn)具有優(yōu)異性能的WDM濾波器。

在關鍵區(qū)域使用無波導彎曲的智能設計，已經(jīng)做出了巨大努力并取得了令人印象深刻的進展。使用多路復用器，包括一個傾斜的多模干涉儀，在LNOI上演示了一個四信道粗WDM發(fā)射器芯片。研究團隊提出并開發(fā)了一種基于直多模波導光柵（MWG）的有前景的LNOI光子濾波器。它能夠?qū)崿F(xiàn)盒狀光譜響應，其中心波長和帶寬可以靈活設計。首次使用級聯(lián)LNOI MWG建立了具有盒狀響應的四信道WDM濾波器。

大規(guī)模的光子波導和電路提出了更高的制造要求。高質(zhì)量的制造對于實現(xiàn)光波導中低損耗和低相位誤差的光傳播至關重要。已經(jīng)為LNOI光子波導建立了幾種典型的制造技術。干法蝕刻因其工藝兼容性和制造可重復性而成為首選。使用Ar氣體的電感耦合等離子體（ICP）蝕刻是制造LNOI光子波導和器件的最常用方法之一。

該芯片具有傳輸級聯(lián)和通道均勻性。實驗上，該芯片實現(xiàn)了320 Gbps OOK信號和400 Gbps PAM4信號的高容量數(shù)據(jù)傳輸，功耗低至11.9 fJ/bit。這表明LN大規(guī)模光子集成的巨大潛力和LNOI在集成光子器件中的廣泛應用前景。

目前的光子芯片具有超緊湊的尺寸，可以擴展到更多的通道，因此顯示出在未來進一步實現(xiàn)LNOI上超高容量和節(jié)能的WDM發(fā)射器的巨大潛力。引入SiO2、非晶硅或Cr硬掩?？梢愿纳浦圃旃に?。通過改進的蝕刻工藝，傳播損耗（主要來自側(cè)壁的散射損耗）可以降低到晶片級。這將支持高性能LNOI光子集成電路的發(fā)展，并滿足各種應用日益增長的需求。

審核編輯：湯梓紅