美光科技DRAM和通用閃存3.1嵌入式解決方案通過高通平臺認證

美光的低功耗內(nèi)存解決方案為驍龍XR2 Gen 2平臺上的元宇宙應(yīng)用提供高速和高能效。

美光科技宣布，其低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X(LPDDR5X)DRAM和通用閃存(UFS)3.1嵌入式解決方案在高通技術(shù)公司最新的擴展現(xiàn)實(XR)平臺Snapdragon XR2 Gen 2平臺上通過認證。這些低功耗內(nèi)存解決方案以混合現(xiàn)實 (MR) 和虛擬現(xiàn)實 (VR) 設(shè)備所需的小尺寸提供高速和低功耗。

美光表示，新的內(nèi)存解決方案可實現(xiàn)跨多個應(yīng)用程序和傳感器的并發(fā)處理，在元宇宙中集成不斷變化的存在、位置和感官感知，以獲得逼真的沉浸式體驗。

LPDDR5X DRAM可以實現(xiàn)高達8.533 Gbits/s的速度，并向后兼容6.4 Gbits/s的LPDDR5速度。UFS 3.1 客戶端存儲是首款由美光 176 層 NAND 提供支持的 UFS，具有高存儲密度，占用空間受限的設(shè)備占用空間很小。

與Meta合作開發(fā)的Snapdragon XR2 Gen 2處理器在Meta Quest 3上進行了商業(yè)首次亮相。驍龍XR2 Gen 2平臺專為更高水平的MR和VR體驗而設(shè)計，采用單芯片架構(gòu)，無需外部電池即可實現(xiàn)更薄的耳機。

該平臺包括升級的ISP和全彩色，超快的12毫秒視頻透視延遲，可在現(xiàn)實世界和虛擬世界之間平滑過渡。其他功能包括高通的Adreno GPU，GPU性能提高了2.5×，支持高達3k×3k顯示器，8×高性能AI，支持10個并發(fā)攝像頭和專用XR加速塊。

美光LPDDR5X被譽為該公司最先進的低功耗內(nèi)存，由于其1-alpha工藝節(jié)點技術(shù)和JEDEC功率進步，包括速度擴展，通過TX / RX均衡改進信號完整性以及由于新的自適應(yīng)刷新管理功能而提高的可靠性，因此可提供更高的電源效率。

與前幾代產(chǎn)品相比，該LPDDR5X的電源效率提高了 24%，非常適合不受束縛的 MR 和 VR 頭戴式設(shè)備，從而延長了兩次充電之間的電池壽命。美光表示：“在 8.533 Gbits/s 的峰值數(shù)據(jù)速率下，美光的LPDDR5X使元宇宙應(yīng)用程序的數(shù)據(jù)訪問速度提高了 33%，從而縮短了響應(yīng)時間。

符合驍龍平臺標(biāo)準(zhǔn)的 128 GB UFS 3.1 和 8 GB LPDDR5X設(shè)備現(xiàn)已上市。

審核編輯：彭菁