在一些芯片外圍電路中有時需要引腳接不同的阻值以對應(yīng)不同的功能或狀態(tài),這往往需要比較電阻阻值的大小,類似于電壓比較器,比較外接電阻阻值與芯片內(nèi)部設(shè)定阻值的大小,比如芯片內(nèi)部包含兩種電阻100k、500k,當(dāng)芯片引腳外接阻值為R<100k、100k500k時,可以分別對應(yīng)芯片內(nèi)部的三種工作狀態(tài)或功能。
這種阻值比較電路如下所示(假設(shè)M3/4/5/6 Vth=1V),這里僅分析兩個電阻比較的電路,三個及以上的電阻比較同理。當(dāng)R1>R2時,Vo輸出低電平;當(dāng)R1
在分析之前首先看NMOS的輸出特性曲線,陰影部分是飽和區(qū),在飽和區(qū)漏極電流表達(dá)式可近似表達(dá)為:
空白部分是三極管區(qū),漏極電流可近似表示為:
工作原理:M5、M6構(gòu)成一對鏡像電流源,因為VgsM6=VdsM6,所以M6必定工作在飽和區(qū),但M5的工作狀態(tài)不能確定,如果M5工作在三極管區(qū),那么M5、M6的漏極電流不再相等,因為飽和區(qū)和三極管區(qū)的Id表達(dá)式不同,如果M5也工作在飽和區(qū),那么M5、M6就是一對鏡像電流源(因為滿足統(tǒng)一漏電流表達(dá)式);
因為V1>VthM3、V1>VthM4,所以M3、M4肯定會導(dǎo)通,假設(shè)M3工作在三極管區(qū),那么VdrainM3
經(jīng)過上述對M3、M6支路的分析,M3支路的電流IdM3=20uA;下面根據(jù)不同R2阻值條件下,分析Vo的輸出電平。
1.如果R2為200k,假設(shè)M5工作在飽和區(qū),則M5支路的電流為20uA,則VsourceM4=4V>V1,顯然是不可能的,所以M5工作在三極管區(qū),Vo為高電平,M4工作在飽和區(qū),M4支路的電流近似為10uA;
2.如果R2為50k,假設(shè)M5工作在三極管區(qū),VgsM5=VgsM6,根據(jù)MOS的輸出特性曲線,M5的源漏極電壓絕對值相比于M6較小,IdrainM5VdrainM6,那么對于M3和M4相關(guān)參數(shù)有如下關(guān)系:
根據(jù)MOS的輸出特性曲線,VdsM4
根據(jù)上述假設(shè)推論,不等式左邊>0,不等式右邊<0,顯然不等式不成立,所以M5工作在飽和區(qū),M5支路電流和M6支路電流相同為20uA,M4工作在三極管區(qū),Vo為低電平。
綜上,電路完成了R1與R2阻值的比較,R1>R2時,Vo為低電平,反之則為高電平;同樣的如果要比較兩路電流的大小,也可以采用上述電路進(jìn)行比較,只是需要將帶比較的兩路電流源進(jìn)行鏡像,本質(zhì)上都是利用鏡像電流源支路的電流值與鏡像電流值能否匹配來實現(xiàn)比較的。
實際如果具體指定某些MOS的參數(shù)更方便定量分析,這里只給出了定性的分析,如果MOS參數(shù)和阻值(較大阻值)在合理范圍內(nèi)則是與分析相符的。
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