一、FP8013功能
FP8013是一種高效電流模式同步降壓調(diào)節(jié)器。主(P通道MOSFET)和同步(N通道MOSFET)開關(guān)都建立在內(nèi)部。在電流模式運行時,PWM占空比由誤差放大器輸出和峰值電感電流控制。在每個周期開始時,振蕩器打開P-MOSFET開關(guān)到從VIN到SW輸出的源電流。然后,芯片開始將電感器的電流與誤差放大器的輸出進行比較。一旦電感電流大于誤差放大器輸出,P-MOSFET開關(guān)被關(guān)閉。當(dāng)負載電流增加時,反饋電壓FB會略有下降。這將導(dǎo)致誤差放大器輸出一個更高的電流電平,直到前面提到的峰值電感器電流達到相同的電平。這樣一來,輸出電壓也可以維持不變。
當(dāng)頂部P-MOSFET開關(guān)關(guān)閉時,底部同步N-MOSFET開關(guān)被打開。一旦電感器電流反轉(zhuǎn),頂部和底部的MOSFET都將被關(guān)閉,以使SW引腳進入高阻抗?fàn)顟B(tài)。
FP8013的電流模式控制回路還包括斜坡補償,以抑制高占空比下的次諧波振蕩。這種斜坡補償是通過在電感器電流信號中添加一個補償斜坡來實現(xiàn)的。
二、FP8013 LDO模式
FP8013的最大占空比可達到100%。這意味著司機的主開關(guān)在整個時鐘周期中一直打開。一旦占空比達到100%,反饋路徑就不再控制輸出電壓。輸出電壓將是輸入電壓減去主開關(guān)的電壓降。
在開關(guān)模式下,輸入電流在降壓轉(zhuǎn)換器中是不連續(xù)的。高側(cè)MOSFET的源電流波形為方波。為了防止較大的電壓瞬變,必須使用一個具有最大RMS電流大小的低ESR輸入電容器。輸入電容電流的均方根值可通過以下計算:
可以看出,當(dāng)VO為VIN的一半時,CIN處于當(dāng)前最糟糕的壓力下。CIN目前最大的壓力是IO_MAX/2。
電感值可通過以下方法計算:
電感器紋波電流的計算方法為:
電感電流為:
三、PC板布局檢查
由GND、SW和VIN軌跡組成的功率軌跡應(yīng)保持短、直接和寬。
將CIN放置在VIN引腳附近,以保持輸入電壓穩(wěn)定,并過濾掉脈沖輸入電流。
電流設(shè)置電阻器R1必須直接且盡可能緊密地連接到FB引腳上。
FB是一個敏感的節(jié)點。請遠離切換節(jié)點。一個好的方法是在另一個PCB層上路由反饋跟蹤,并在頂部和反饋跟蹤路由層之間有一個地平面。這減少了電磁干擾輻射到DC-DC轉(zhuǎn)換器,其自身的電壓反饋軌跡。
保持CIN和COUT的GND板盡可能接近。然后將其連接到地平面(如果使用的話)。這通過防止開關(guān)電流通過地平面循環(huán)來降低地平面噪聲。它還通過提供FP8013的低阻抗接地連接,減少了FP8013的接地反彈。
SOP-8L(EP)建議布置圖:
以上就是DC-DC內(nèi)置MOS降壓恒流IC——FP8013開關(guān)穩(wěn)壓器的部分內(nèi)容分享,還有部分資料可翻看我的前面分享。
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