**1 **技術(shù)背景
講負(fù)壓之前先介紹兩個(gè)技術(shù)背景,以便更好地理解芯片中為什么需要負(fù)壓。
**1.1 **高速緩存
SRAM是目前最成熟的易失性高速存儲(chǔ)器,通常由6管(6T)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的讀寫,可以用做CPU和內(nèi)存(DRAM)之間的高速緩存。NAND Flash是一種非易失性存儲(chǔ),你電腦、手機(jī)中的照片或文件就存儲(chǔ)在Flash中。
DRAM速度介于SRAM和Flash之間,也是一種易失性存儲(chǔ)器。常見存儲(chǔ)架構(gòu)呈金字塔型,如圖1所示。近年以美國(guó)公司Everspin和Crossbar為代表的MRAM和RRAM逐漸走向產(chǎn)品化。
MRAM和RRAM特點(diǎn)是速度快、非易失、與CMOS工藝兼容?,F(xiàn)代存儲(chǔ)架構(gòu)之所以采用圖1所示,是因?yàn)樵O(shè)備中有的地方要高速,有的地方要大容量、非易失,說白了就是需求不同。MRAM和RRAM具有SRAM的高速和Flash的非易失,但Everspin和Crossbar產(chǎn)品目錄中最大容量只有1GB,未來如果能把容量做大、成本做低,大有改變現(xiàn)代存儲(chǔ)架構(gòu)之勢(shì)。
為了進(jìn)一步提高6T SRAM的寫入速度,在寫入數(shù)據(jù)時(shí)在bit line引入負(fù)壓,以加快1到0的放電速度。
Fig1. 常見存儲(chǔ)架構(gòu)
1.2****閾值電壓調(diào)整
調(diào)整FDSOI工藝中RBB器件背柵電位可實(shí)現(xiàn)閾值電壓可調(diào),進(jìn)而實(shí)現(xiàn)低功耗。其中PMOS和NMOS背柵電位從0→+2V和0→-2V變化時(shí)閾值電壓逐漸增大,這就是負(fù)壓在IC中的另一個(gè)應(yīng)用。
2 高速SRAM****讀寫電路
圖2給出了1 bit高速SRAM的讀寫電路 ,其中最上面的6個(gè)管子為前邊提到的6T存儲(chǔ)單元,最下邊的靈敏放大器(Sense Amplifier)用于數(shù)據(jù)的讀取,中間包含寫驅(qū)動(dòng)(Write Driver)電路、預(yù)充電路以及WPASS和RPASS通路。為提高速度,數(shù)據(jù)寫入和讀出6T memory cell之前都要進(jìn)行預(yù)充,即把BT、BB、XT和XB預(yù)充到高電平。
數(shù)據(jù)寫入時(shí)WPASS和RPASS都置高,通過WT_IN和WB_IN對(duì)6T memory cell寫入數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)讀出時(shí)WPASS和RPASS都置低,通過靈敏放大器讀出6T memory cell中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。寫入和讀出時(shí)WL都要打開,預(yù)充時(shí)WL都要關(guān)閉。
圖2左側(cè)紅色部分為負(fù)脈沖產(chǎn)生電路,利用電容兩端電壓不能突變這一特性產(chǎn)生的負(fù)脈沖VSS_WA作為Write Driver的GND,在WL開啟瞬間給6T memory cell提供一條快速放電通路,以提高寫入速度,時(shí)序圖如圖3所示。
Fig2. 高速SRAM讀寫電路
Fig3. 負(fù)脈沖產(chǎn)生時(shí)序圖
**3 **背柵電位調(diào)整電路
圖4給出了帶負(fù)反饋的電荷泵電路,用于產(chǎn)生精確的負(fù)電壓。調(diào)整vref大小即可改變Vout值。
Fig4. 背柵電位調(diào)整電路
根據(jù)負(fù)反饋原理,運(yùn)放負(fù)端為虛地點(diǎn),有如下表達(dá)式成立:
(vref-0)/R1=(0-Vout)/R2
Vout=-(R2/R1)*vref
假設(shè)vref為0.8V,R2/R1為2.5,Vout為-2V。Vout可用于調(diào)整FDSOI工藝RBB器件N管的背柵電位。圖4中的電荷泵需要多級(jí)級(jí)聯(lián),以解決器件耐壓?jiǎn)栴}。
**4 **思考與討論
① 圖2 SRAM讀寫操作之前把BT、BB、XT、XB預(yù)充到VDD為什么可以提高讀寫速度?
② 圖2 靈敏放大器中的SAE與WL同時(shí)開啟可以嗎?
③ 如何提高讀取速度?
④ WPASS通路為什么用N管?RPASS通路為什么用P管?
⑤ 讀的時(shí)候?yàn)槭裁葱枰渺`敏放大器?
⑥ 圖4電荷泵如何實(shí)現(xiàn)?
⑦ 參考圖4你能否設(shè)計(jì)一個(gè)電路得到+2V電壓?
⑧ 圖4能否改成自適應(yīng)結(jié)構(gòu)?自適應(yīng)調(diào)整器件背柵電位,以監(jiān)測(cè)PVT變化,進(jìn)而平衡速度和功耗。
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