STM32F103C8T6 ST/意法 基于Arm?的中等密度高性能系列32位MCU概述

STM32F103系列中等密度高性能系列集成了高性能Arm?Cortex-M3?32位RISC內(nèi)核，工作頻率為72MHz，高速嵌入式存儲器（閃存高達(dá)128KB，SRAM高達(dá)20KB），以及連接到兩個的廣泛增強型I/O和外設(shè)APB巴士。所有器件均提供2個12位ADC、3個通用16位定時器和1個PWM定時器以及標(biāo)準(zhǔn)和高級通信接口：最多兩個I2C以及SPI、三個USART、一個USB和一個CAN。

這些器件采用2.0V至3.6V電源供電。它們有–40到+85°C溫度范圍和–40至+105°C擴展溫度范圍。一個一整套省電模式允許設(shè)計低功耗應(yīng)用。STM32F103系列中等密度高性能系列包括六種不同的器件封裝類型：從36引腳到100引腳。根據(jù)所選擇的設(shè)備，不同的集包括外圍設(shè)備，下面的描述概述了整個范圍該系列中建議的外設(shè)。這些特性使STM32F103系列成為中等密度高性能系列微控制器該系列適用于廣泛的應(yīng)用，如電機驅(qū)動、應(yīng)用控制、醫(yī)療和手持設(shè)備、PC和游戲外圍設(shè)備、GPS 平臺、工業(yè)應(yīng)用、PLC、變頻器、打印機、掃描儀、報警系統(tǒng)、可視對講機和暖通空調(diào)。

特點

? Arm?32位 Cortex?-M3 CPU內(nèi)核
–72MHz最大頻率，1.25 DMIPS/兆赫（Dhrystone 2.1）0等待狀態(tài)存儲器時的性能訪問
–單周期乘法和硬件劃分

? 記憶
– 64或128KB閃存
– 20KB的SRAM

?時鐘、復(fù)位和電源管理
– 2.0至3.6V應(yīng)用電源和I/O
– POR、PDR和可編程電壓探測器（PVD）
– 4至16MHz晶體振蕩器
– 內(nèi)部8MHz工廠調(diào)整RC
– 內(nèi)部40kHz RC
– 用于CPU時鐘的PLL
– 用于RTC的32kHz振蕩器，帶校準(zhǔn)

?低功耗
– 睡眠、停止和待機模式
– 用于RTC和備份寄存器的VBAT電源
?2個12位、1μs A/D轉(zhuǎn)換器（最多16個頻道）
– 轉(zhuǎn)換范圍：0至3.6V
– 雙采樣和保持能力
– 溫度傳感器

?DMA
– 7 通道DMA控制器
– 支持的外設(shè)：定時器、ADC、SPI、I2C和USART

? 多達(dá)80個快速I/O端口
– 26/37/51/80個I/O，全部可映射在16個外部中斷向量和幾乎所有5V容限

?調(diào)試模式
– 串行線調(diào)試（SWD）和JTAG接口

數(shù)據(jù)表-生產(chǎn)數(shù)據(jù)

?整個系列完全兼容

低密度和高密度器件是STM32F103x8/B器件的擴展，它們是分別在STM32F103x4/6和STM32F103xC/D/E數(shù)據(jù)手冊中指定。低密度器件具有較低的閃存和 RAM 容量、更少的定時器和外設(shè)。高密度設(shè)備具有更高的閃存和 RAM 容量，并且SDIO、FSMC、I2S和DAC等其他外設(shè)，同時保持與STM32F103xx系列的其他成員。

審核編輯 黃宇