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同步整流ic U7710簡(jiǎn)單、準(zhǔn)確、高效

銀聯(lián)寶科技 ? 2023-11-03 08:11 ? 次閱讀

同步整流ic U7710簡(jiǎn)單、準(zhǔn)確、高效

傳統(tǒng)的同步整流控制電流變壓器方案設(shè)計(jì)較為復(fù)雜,需要額外電流傳感器對(duì)極性檢測(cè),低效率設(shè)計(jì)。而新型同步整流控制方案,設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、準(zhǔn)確、直接電壓水平檢測(cè)、高效率。說(shuō)到同步整流方案,就不得不提到深圳銀聯(lián)寶科技一顆低成本、高效能的同步整流ic U7710!

同步整流ic U7710是一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開(kāi)關(guān),內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。U7710支持“浮地”和“共地”同步整流兩種架構(gòu),也支持系統(tǒng)斷續(xù)工作模式(DCM)和準(zhǔn)諧振工作模式(QR)。U7710集成有VDD欠壓保護(hù)功能和VDD電壓鉗位。U7710內(nèi)置VDD高壓供電模塊,無(wú)需VDD輔助繞組供電,減低了系統(tǒng)成本。

U7710

系統(tǒng)開(kāi)機(jī)以后,同步整流ic U7710內(nèi)部高壓LDO從Drain管腳抽取電流向VDD電容供電。當(dāng)VDD電壓低于欠壓保護(hù)閾值后(3.1V 典型值),芯片進(jìn)入睡眠模式,同時(shí)內(nèi)部同步整流MOSFET進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài),副邊繞組電流經(jīng)內(nèi)部同步整流MOSFET的體二極管實(shí)現(xiàn)續(xù)流。當(dāng)VDD電壓高于VDD開(kāi)啟電壓后(4V 典型值),芯片開(kāi)始工作。芯片內(nèi)部同步整流MOSFET只在副邊續(xù)流期間才能開(kāi)通。

同步整流ic U7710是主要特點(diǎn):

1、反激拓?fù)涓边呁秸鞴β书_(kāi)關(guān)

2、支持“浮地”和“共地”同步整流兩種拓?fù)?/p>

3、支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式 (DCM) 和準(zhǔn)諧振工作模式(QR)

4、<300uA 超低靜態(tài)電流

5、內(nèi)置 VDD 高壓供電模塊,無(wú)需 VDD 輔助繞組供電

6、內(nèi)置 40V 功率 MOSFET

7、內(nèi)部集成保護(hù):

8、VDD 欠壓保護(hù) (UVLO)

9、VDD 電壓鉗位 (>5mA 鉗位電流)

10、封裝信息 SOP-8

U7710

在原邊MOSFET導(dǎo)通期間,同步整流ic U7710內(nèi)部7.1V穩(wěn)壓器將從其Drain管腳抽取電流向VDD供電,以使VDD電壓恒定在7.1V左右。基于高頻解耦和供電考慮,推薦選取容量為1uF的陶瓷電容作為VDD電容。在內(nèi)部同步整流MOSFET開(kāi)通瞬間,芯片漏-源(Drain-Source) 之間會(huì)產(chǎn)生電壓尖峰。為避免此類(lèi)電壓尖峰干擾系統(tǒng)正常工作導(dǎo)致芯片誤動(dòng)作,芯片內(nèi)部集成有前沿消隱電路(LEB)。在LEB時(shí)間(約 1us)內(nèi),關(guān)斷比較器被屏蔽,無(wú)法關(guān)斷內(nèi)部同步整流MOSFET,直至消隱時(shí)間結(jié)束。

由于MOSFET的開(kāi)態(tài)電阻變得很低,為了提高電源的效率,在許多低輸出電壓應(yīng)用電路里都利用了同步整流技術(shù)。深圳銀聯(lián)寶科技同步整流ic U7710市場(chǎng)應(yīng)用反饋頗佳,是你值得一試的同步整流方案選項(xiàng)!

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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