0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

OBC PFC車規(guī)功率器件結(jié)溫波動與功率循環(huán)壽命分析

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2023-11-03 08:14 ? 次閱讀

應(yīng)用背景

隨著新能源汽車(xEV)在乘用車滲透率的逐步提升,車載充電機(OBC)作為電網(wǎng)與車載電池之間的單向充電或雙向補能的車載電源設(shè)備,也得到了非常廣泛的應(yīng)用。相比車載主驅(qū)電控逆變器, 電源類OBC產(chǎn)品復(fù)雜度高,如何實現(xiàn)其高功率密度、高可靠性、高效率、高性價比等核心指標的優(yōu)化與平衡,一直是OBC不斷技術(shù)迭代與產(chǎn)品革新的方向。

在上述OBC與可靠性的背景下,針對車規(guī)功率器件在PFC電路中的結(jié)溫(Tvj)波動與功率循環(huán)(PC)壽命的熱點應(yīng)用話題,我們將以系列微信文章的形式,結(jié)合英飛凌最新的技術(shù)與產(chǎn)品,與大家一起分享。

功率器件可靠性基礎(chǔ)

功率器件的結(jié)溫(Tvj)波動與功率循環(huán)(PC)壽命,一直是工業(yè)界與學(xué)術(shù)界討論的重點。在軌道牽引、風(fēng)力發(fā)電(發(fā)電側(cè)低頻)、電梯變頻、和電動汽車主驅(qū)等應(yīng)用中,相關(guān)的研究已持續(xù)了幾十年,相關(guān)的標準與測試方法也趨于成熟。

功率循環(huán)(PC)壽命的本質(zhì),其實是功率器件內(nèi)的不同封裝材料,在溫度變化時,由于自身CTE不匹配而產(chǎn)生的彼此機械應(yīng)力與疲勞損傷,進而產(chǎn)生材料間的分離和功率器件電氣失效等現(xiàn)象,如綁定線與DCB分離、綁定線與芯片上表面分開、芯片與DCB焊料分層、DCB與銅基板之間焊料退化等等,如圖1。


feb6a2b0-79dd-11ee-9788-92fbcf53809c.png

圖1:功率模塊功率循環(huán)PC壽命對應(yīng)的可能失效位置示意圖

因此,功率器件自身的功率循環(huán)(PC)能力,和實際加載的溫度變化大小,共同決定了器件在應(yīng)用中功率循環(huán)(PC)壽命的多少。

不同的芯片和封裝材料及其工藝,對功率器件的功率循環(huán)(PC)能力有著非常顯著的影響。為了表征,功率器件的功率循環(huán)(PC)能力,器件廠家一般會提供相應(yīng)產(chǎn)品的PC曲線或擬合公式,便于計算不同工況下的器件PC壽命。

因此,英飛凌有一篇專門的應(yīng)用筆記,介紹了如何利用PC曲線進行PC壽命(次數(shù))計算的基本思路,如圖2。


fec3be28-79dd-11ee-9788-92fbcf53809c.png

圖2:英飛凌關(guān)于PC和TC的AN


以上述應(yīng)用筆記中IGBT模塊的PC曲線及其PC壽命計算為例,如圖3所示,典型IGBT功率模塊的PC曲線,及其Ton時間的折算曲線,通過實際應(yīng)用中IGBT的結(jié)溫Tvj波動(Tvjmax和ΔTvj),再根據(jù)Tvj波動周期進行Ton時間的折算,就可以得到單點工況的PC次數(shù)。復(fù)雜工況可以通過加權(quán)平均或者雨流法等復(fù)雜算法,算出總的PC次數(shù)及其對應(yīng)的時間,即所謂的PC壽命。計算的思路比較簡單,如果沒有PC曲線,有對應(yīng)的PC擬合公式,同樣可以進行上述PC壽命計算。

fec81a0e-79dd-11ee-9788-92fbcf53809c.png

圖3:典型IGBT模塊的PC曲線和Ton折算曲線

此處,需要特別說明兩點:一是,不同的PC測試方法,會得到不同的PC測試結(jié)果曲線,而不同器件廠家的PC測試方法可能是不同的(英飛凌的測試方法是業(yè)內(nèi)最嚴酷的,如圖4)。因此,以車規(guī)模塊的AQG324可靠性標準為例,詳細規(guī)定了PC的測試方法(統(tǒng)一測試條件),以公平地對比不同器件的PC能力表現(xiàn)。二是,同樣的器件,失效概率(Failure Probability)不同,則PC曲線也不同。英飛凌一般按默認5%(業(yè)內(nèi)標桿),而有些器件廠家可能是10%。


fedb7efa-79dd-11ee-9788-92fbcf53809c.png

圖4:不同的PC測試方法對PC測試結(jié)果的影響

以上,我們介紹了功率器件(IGBT模塊)可靠性的基礎(chǔ)。針對OBC應(yīng)用中的單管(Si或SiC)器件,上述思路同樣適應(yīng),只是相應(yīng)的器件PC曲線稍有差異,再增加一些針對單管特性的額外參數(shù)折算等而已,相關(guān)細節(jié),我們會在下一篇的具體案例中分析與討論。

OBC應(yīng)用與PFC拓撲

車載OBC產(chǎn)品復(fù)雜度高,在OBC產(chǎn)品設(shè)計應(yīng)用中,要實現(xiàn)其高功率密度、高可靠性、高效率、高性價比等核心指標的優(yōu)化與平衡。為了滿足電網(wǎng)AC側(cè)輸入功率因素和諧波的要求,和DCDC的寬電壓/負載范圍,通常OBC采用一級獨立的功率因素矯正(PFC)電路,典型的車載OBC系統(tǒng)架構(gòu)如圖5所示。PFC級通過矯正輸入AC電流,保持和輸入電壓同相位的交流正弦波,在實現(xiàn)高功率因素的同時,功率器件流過同頻率的脈動電流,功率損耗呈現(xiàn)脈動形式,帶來比較大的結(jié)溫Tvj波動(ΔTvj)。如上節(jié)所述,功率器件的結(jié)溫(Tvj)波動與功率循環(huán)(PC)壽命密切相關(guān),設(shè)計車載OBC產(chǎn)品,評估功率器件PC壽命,不可避免需要分析功率器件的結(jié)溫波動帶來的影響,這對車載OBC的長期可靠性評估尤為重要,這個話題也得到了業(yè)界越來越多的關(guān)注和重視。


fee75ee6-79dd-11ee-9788-92fbcf53809c.png

圖5:OBC產(chǎn)品結(jié)構(gòu)示意圖


目前主流的OBC拓撲,一般分為非隔離AC/DC的PFC(如單/雙向圖騰柱PFC,或兩電平B6等)和隔離DC/DC的諧振電路(如LLC, CLLC, DAB等)兩部分。按PFC接入電網(wǎng)的制式(單相或三相或多相兼容)、電池能量單向或雙向、電池電壓400V或800V,結(jié)合系統(tǒng)性能與成本指標等要求,具體的拓撲方案及器件選型都會有所不同。

以單相功率6.6kW的OBC 為例,下圖是PFC的幾種常見拓撲組合,如圖6所示。

在單相圖騰柱PFC的快管位置:既有兩路IGBT單管交錯,也有單路SiC MOSFET單管,或是單路混合型SiC單管(Si/IGBT+SiC/SBD)等,基于不同的功率器件特性,常見的開關(guān)頻率fsw從40kHz ~ 100kHz不等。

在單相圖騰柱PFC的慢管位置:有單向充電的二極管,也有V2X雙向需求的IGBT單管或者Si MOSFET單管方案。

fef258b4-79dd-11ee-9788-92fbcf53809c.png

圖6:單相6.6kW OBC PFC常見拓撲組合

如圖7,在單/三相電網(wǎng)兼容的11kW OBC PFC中,基本以1200V SiC MOEFET單管的方案為主,在三相電網(wǎng)充放電時,以三相全橋B6拓撲運行,在單相電網(wǎng)充放電或者V2L時,可選其中一組橋臂作為慢管工作,其他橋臂交錯或并聯(lián)作為快管工作。

ff047ab2-79dd-11ee-9788-92fbcf53809c.png

圖7:單/三相兼容的11kW OBC PFC(3線/4線)常見拓撲

因此,在OBC應(yīng)用中的PFC拓撲,主流就是單相圖騰柱PFC和三相全橋B6這兩種。

車規(guī)功率器件在單相圖騰柱拓撲中的損耗分析與Tvj波動

如圖8,基于PLECS軟件,我們搭建了簡單的單相圖騰柱電路,結(jié)合英飛凌官網(wǎng)的車規(guī)器件PLECS模型,進行了器件損耗與Tvj波動的仿真。


以單相6.6kW充電工況為例,仿真Setup如下:


快管位置(T1/T2/D1/D2):Si/IGBT/F5/650V/50A + SiC/SBD/650V/30A


慢管位置(Q3/Q4):Si/CoolMOS/650V/50mOhm


開關(guān)頻率fsw:60kHz


電網(wǎng)電壓和電流:220Vac/32Arms


母線電壓:420Vdc


ff1442d0-79dd-11ee-9788-92fbcf53809c.png

圖8:單相6.6kW圖騰柱PFC示意圖


ff18280a-79dd-11ee-9788-92fbcf53809c.png

圖9:電網(wǎng)電壓(V)和電流(A)及其驅(qū)動信號(T1/T2為快管、Q3/Q4為慢管)


ff1f17aa-79dd-11ee-9788-92fbcf53809c.png

圖10:快管(T1/D1)和慢管(Q3)損耗(W)波形與電網(wǎng)電流(A)的波形


如圖9和圖10所示,快管T1/D1屬于高頻硬開關(guān),慢管Q3只是工頻導(dǎo)通。所以,快管的器件功率損耗包含開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,而慢管的器件功率損耗只有導(dǎo)通損耗。再加上器件自身的瞬態(tài)熱阻Zthjc,以及器件外圍的熱阻與水溫等,就可以得到功率器件的結(jié)溫Tvj波動,如圖11所示:

ff2bbe6a-79dd-11ee-9788-92fbcf53809c.png

圖11:快管(T1/D1)和慢管(Q3)的結(jié)溫Tvj(?C)波動和輸入電流Iin_ac(A)

由圖11,無論快管還是慢管,都存在50Hz的結(jié)溫Tvj波動。結(jié)合前面的仿真分析可知,快管位置T1/D1的損耗及結(jié)溫Tvj波動的影響因素,和慢管位置Q3的情況是不同的,如圖12所示:

快管T1(以IGBT為例)的結(jié)溫Tvj波動,相關(guān)的影響因素較多,包括PFC系統(tǒng)參數(shù)、器件自身特性(開關(guān)特性、導(dǎo)通特性、熱阻特性)、及其換流FWD特性等,即相同器件下的可調(diào)節(jié)的自由度或可優(yōu)化的空間較大。

慢管Q3(以CoolMOS為例)的結(jié)溫Tvj波動,幾乎只與Rdson和熱阻Zthjc相關(guān)。

快管D1如果采用SiC/SBD,考慮到Erec很小,則情況與慢管Q3非常類似,也幾乎只與SiC/SBD電流規(guī)格和熱阻Zthjc相關(guān)。

ff364a74-79dd-11ee-9788-92fbcf53809c.png

圖12:快管(T1/D1)和慢管(Q3)的結(jié)溫Tvj波動的影響因素

總結(jié)


綜上所述,文章簡要回顧了功率器件的PC壽命可靠性、分析了OBC中PFC主流拓撲、和仿真了圖騰柱PFC的損耗和結(jié)溫Tvj波動。那么,在實際OBC應(yīng)用中,如果結(jié)合英飛凌的車規(guī)產(chǎn)品,進行結(jié)溫Tvj波動的計算與PC壽命評估及其注意事項等,我們將在后續(xù)篇章中逐步深入與展開。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • PFC
    PFC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    47

    文章

    940

    瀏覽量

    105427
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    41

    文章

    1676

    瀏覽量

    90005
  • OBC
    OBC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    10

    文章

    151

    瀏覽量

    17713
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    功率器件功率循環(huán)測試原理詳解

    了爆發(fā)式的增長。與消費電子市場相比,規(guī)功率半導(dǎo)體器件所面臨的挑戰(zhàn)更為嚴峻,因其需要在高工作結(jié)
    的頭像 發(fā)表于 08-12 16:31 ?361次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>循環(huán)</b>測試原理詳解

    功率器件的開關(guān)波形分析

    功率器件,特別是如功率MOSFET和IGBT等,在電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它們的開關(guān)波形分析對于理解器件性能、優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計以及確
    的頭像 發(fā)表于 07-19 14:08 ?332次閱讀

    熱管理:利用光纖傳感器監(jiān)測結(jié)

    結(jié)(Tj)對于確定半導(dǎo)體器件功率循環(huán)能力至關(guān)重要。它是提取絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)熱特性、闡述
    的頭像 發(fā)表于 07-12 11:55 ?161次閱讀
    熱管理:利用光纖傳感器監(jiān)測<b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>溫</b>

    規(guī)級 | 功率半導(dǎo)體模塊封裝可靠性試驗-熱阻測試

    在因為功率器件相關(guān)原因所引起電子系統(tǒng)失效的原因中,有超過50%是因為溫度過高導(dǎo)致的熱失效。結(jié)過高會導(dǎo)致電子系統(tǒng)性能降低、可靠性降低、壽命
    的頭像 發(fā)表于 07-05 10:22 ?3949次閱讀
    <b class='flag-5'>車</b><b class='flag-5'>規(guī)</b>級 | <b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體模塊封裝可靠性試驗-熱阻測試

    功率循環(huán)對IGBT 壽命的影響——準確估算功率器件壽命

    內(nèi)容摘要供應(yīng)商們正在努力提高絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、Si和SiCMOSFET以及其他功率器件的最大功率水平和電流負載能力,并同時保持高質(zhì)量a和可靠性。新技術(shù)隨著創(chuàng)新而紛紛涌現(xiàn),例如改進了導(dǎo)熱性
    的頭像 發(fā)表于 04-26 08:35 ?935次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>循環(huán)</b>對IGBT <b class='flag-5'>壽命</b>的影響——準確估算<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>壽命</b>

    功率循環(huán)對IGBT壽命有何影響?如何準確估算功率器件壽命呢?

    運行過程中產(chǎn)生的高結(jié)溫和高溫度梯度會引起機械應(yīng)力,尤其是在具有不同熱膨脹系數(shù)的材料之間的接觸面上,這可能導(dǎo)致這些器件性能退化甚至完全失效。
    的頭像 發(fā)表于 04-24 14:23 ?957次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>循環(huán)</b>對IGBT<b class='flag-5'>壽命</b>有何影響?如何準確估算<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>壽命</b>呢?

    貝思科爾邀您參加ASPC2024亞太規(guī)功率半導(dǎo)體器件及應(yīng)用發(fā)展大會

    “ASPC2024亞太規(guī)功率半導(dǎo)體器件及應(yīng)用發(fā)展大會”將于2024年3月14~15日在嘉興召開,貝思科爾誠摯歡迎您參加本次大會。在汽車電動化、智能化技術(shù)應(yīng)用的不斷發(fā)展,單車芯片價值
    的頭像 發(fā)表于 03-07 08:33 ?556次閱讀
    貝思科爾邀您參加ASPC2024亞太<b class='flag-5'>車</b><b class='flag-5'>規(guī)</b>級<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b>及應(yīng)用發(fā)展大會

    DOH新工藝技術(shù)助力提升功率器件性能及使用壽命

    DOH新工藝技術(shù)助力提升功率器件性能及使用壽命
    的頭像 發(fā)表于 01-11 10:00 ?421次閱讀
    DOH新工藝技術(shù)助力提升<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>性能及使用<b class='flag-5'>壽命</b>

    新能源汽車 IGBT 功率器件高低溫沖擊測試

    用 IGBT 模塊對產(chǎn)品性能和質(zhì)量的要求要明顯高于消費和工控領(lǐng)域, 需要通過嚴格的規(guī)認證, 汽車 IGBT 模塊測試標準主要參照 AEC-Q101 和 AQG-324, 其中溫度沖擊,
    的頭像 發(fā)表于 12-01 15:48 ?621次閱讀
    新能源汽車 IGBT <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>高低溫沖擊測試

    規(guī)氮化鎵功率模塊

    建立合作關(guān)系,攜手研發(fā)車規(guī)氮化鎵(GaN)功率模塊。雙方長期保持著緊密的聯(lián)系,此次進一步合作的目標是共同開發(fā)GaN功率器件在電動汽車(EV)上的應(yīng)用。
    的頭像 發(fā)表于 11-28 08:31 ?281次閱讀

    規(guī)芯片為什么要進行三測試?

    規(guī)芯片為什么要進行三測試? 規(guī)芯片,也被稱為汽車惡劣環(huán)境芯片,是一種專門用于汽車電子系統(tǒng)的集成電路芯片。
    的頭像 發(fā)表于 11-21 16:10 ?3993次閱讀

    規(guī)功率模塊封裝的現(xiàn)狀,SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求

    1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求 2、規(guī)功率模塊封裝的現(xiàn)狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
    發(fā)表于 10-27 11:00 ?1022次閱讀
    <b class='flag-5'>車</b><b class='flag-5'>規(guī)</b>級<b class='flag-5'>功率</b>模塊封裝的現(xiàn)狀,SiC MOSFET對<b class='flag-5'>器件</b>封裝的技術(shù)需求

    什么是功率因數(shù)(PFC)?無源PFC和有源PFC區(qū)別在哪?

    什么是功率因數(shù)(PFC)?無源PFC和有源PFC區(qū)別在哪? 功率因數(shù)(Power Factor,縮寫為PF)指的是電路中有效
    的頭像 發(fā)表于 10-26 11:38 ?3441次閱讀

    談?wù)勚绷?b class='flag-5'>功率循環(huán)老化的測試方法

    經(jīng)常聽到功率循環(huán)這個實驗,總覺得這個不是很簡單嗎,不就是IGBT溫度在一定范圍波動,然后經(jīng)過幾萬次循環(huán),再測試IGBT的Vcesat或Rth是否異常來確定
    的頭像 發(fā)表于 10-19 11:32 ?1029次閱讀
    談?wù)勚绷?b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>循環(huán)</b>老化的測試方法

    汽車芯片短缺,規(guī)功率器件、智能傳感器本土項目加速布局

    總體來看,以產(chǎn)品為導(dǎo)向的項目中,GPU、5G通信芯片、工業(yè)用傳感器等產(chǎn)品依然為產(chǎn)能建設(shè)重要方向,汽車電子包括自動駕駛溫度傳感器、規(guī)MCU、功率器件為投資建設(shè)的熱點方向,為相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈國
    的頭像 發(fā)表于 09-22 16:49 ?1070次閱讀
    汽車芯片短缺,<b class='flag-5'>車</b><b class='flag-5'>規(guī)</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>、智能傳感器本土項目加速布局