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車門控制板暗電流失效分析

新陽檢測中心 ? 來源:新陽檢測中心 ? 作者:新陽檢測中心 ? 2023-11-03 11:24 ? 次閱讀

一、案例背景

車門控制板發(fā)生暗電流偏大異常的現(xiàn)象,有持續(xù)發(fā)生的情況,初步判斷發(fā)生原因為C3 MLCC電容開裂。據(jù)此情況,結(jié)合本次失效樣品,對失效件進(jìn)行分析,明確失效原因。

二、分析過程

1、失效復(fù)現(xiàn)

wKgZomVEZ9SAWKjCAADfhR23zZQ776.jpg

異常品暗電流值

wKgaomVEZ9WAVv7VAADS9XtcnNw939.jpg

正常品暗電流值

wKgZomVEZ9WAMaxXAACJP1_xmD8599.jpg

wKgaomVEZ9aAHlfIAAFzHXt1KTQ052.jpg

異常品阻值

wKgZomVEZ9eAEbvgAAG5giYt9lU094.jpg

正常品阻值

測試結(jié)果

異常品暗電流為4.9989mA,偏離要求范圍(1mA 以內(nèi)),且針對關(guān)鍵節(jié)點的分析未見異常。

2、外觀及X-RAY分析

wKgaomVEZ9eATWCDAAMESdUp3zE101.jpg

X-RAY

wKgZomVEZ9iAQiNMAAE5Gashbl8908.jpg

外觀

測試結(jié)果

X-RAY 及外觀檢測,未見異常。

3、針對失效現(xiàn)象的初步排查

wKgaomVEZ9mAYNMLAADUvxm2J78848.jpg

wKgZomVEZ9mASTpxAADLBJStFzU945.jpg

測試結(jié)果

將C3/C4 電路隔離后,暗電流值驟降至0.000385mA。

4、切片斷面分析

a)C4電容切片斷面金相分析

wKgZomVEZ9qAYdKSAADDIYGJ_nw197.jpg

第一個斷面

wKgaomVEZ9uAKaonAAF1D32p-DA713.jpg

第一個斷面局部

wKgZomVEZ9uAekZeAACIXVw3KzI772.jpg

第二個斷面

wKgaomVEZ9yAWUt7AAEquPDUDLM163.jpg

第二個斷面局部

wKgaomVEZ9yAHG6JAAB8y5dO7GA094.jpg

第三個斷面

wKgZomVEZ92ABNBhAAFn0_nRZEU441.jpg

第三個斷面局部

wKgaomVEZ92AZEqIAACKhT_lt4c086.jpg

第四個斷面

wKgZomVEZ96AGitiAAGPTjlQx4M501.jpg

第四個斷面局部

wKgaomVEZ96AXdJlAACFIsdh-iI989.jpg

第五個斷面

wKgZomVEZ9-AJJWEAAGciw3cImc815.jpg

第五個斷面局部

測試結(jié)果

有貫穿性開裂發(fā)生。

b)C4電容切片斷面SEM分析

wKgaomVEZ9-AfD7_AAElshhTXBo063.jpg

wKgZomVEZ-CAWVRQAAEr7xTzMwU296.jpg

wKgaomVEZ-CAP5LMAAE1DqhwLvU698.jpg

wKgZomVEZ-GANr1OAAEU22N9eYw937.jpg

測試結(jié)果

針對開裂位置的局部分析,可見裂紋貫穿入電容內(nèi)電極層。

c)C3電容切片斷面金相分析

wKgZomVEZ-GAGKDuAAB75GtLwIM310.jpg

第一個斷面

wKgaomVEZ-KANTIzAAC39FrUxM8696.jpg

wKgZomVEZ-OAHnPXAACANxmkLis869.jpg

第二個斷面

wKgaomVEZ-OAJWheAACz18RUkP0187.jpg

wKgaomVEZ-SADPcYAAB7FTf_3tI709.jpg

第三個斷面

wKgZomVEZ-SAL-pGAACxuikuxBk330.jpg

測試結(jié)果

無異常現(xiàn)象。

三、分析結(jié)果

失效原因分析

失效品暗電流遠(yuǎn)超出合格范圍,從電路分析,主要和幾個 MLCC 電容相關(guān);

通過對 C3/C4 的隔離分析,初步判定 C3/C4 存在異常,說明C3/C4是影響暗電流的關(guān)鍵;

C4的切片斷面分析發(fā)現(xiàn),裂紋沿 45°開裂,由陶瓷層向電極層內(nèi)部擴(kuò)展,內(nèi)部電極層亦有開裂狀態(tài)。

wKgaomVEZ-WADZW-AAJPkUKEcME119.jpg

失效結(jié)論

C4 陶瓷電容開裂貫穿至內(nèi)電極,在一定的應(yīng)力狀態(tài)下,開裂的內(nèi)電極間形成微短、漏電發(fā)生, 從而導(dǎo)致暗電流增大。

電容開裂的特征符合 MLCC 電容受到外部應(yīng)力導(dǎo)致失效的特征,可判斷該電容是在受到外部應(yīng)力作用后形成的開裂。

四、改善方案

針對失效機(jī)理的分析,電容應(yīng)力裂紋可能是失效的根本原因。因此,建議對全流程進(jìn)行應(yīng)力排查,包括PCBA、整機(jī)組裝。

wKgZomVEZ-WAOoeWAADPUKtOYU8513.jpg

騰昕檢測有話說:

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審核編輯 黃宇

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