耗盡型MOSFET為負(fù)載提供過壓保護(hù)的應(yīng)用

耗盡型MOSFET

應(yīng)用電路如下：

在上述電路中，選擇合適的穩(wěn)壓二極管VD1,即可得到穩(wěn)定的輸出電壓Vout。

輸出電壓Vout與穩(wěn)壓二極管VD1的穩(wěn)壓值Vz滿足關(guān)系式：Vout=Vz+VR1=Vz+|Vth|
(Vth即DMD4523E在一定電流下的閾值電壓)。

使用DMD4523E時(shí)輸入電壓最高可達(dá)400V(需考慮DMD4523E的功耗)。上述應(yīng)用可以為負(fù)載電路提供良好的過壓保護(hù)。

DMD4523E

DMD4523E系列產(chǎn)品在容性負(fù)載、儀表、通訊設(shè)備中用于瞬態(tài)浪涌抑制、過流過壓保護(hù)的應(yīng)用。

該電路中僅使用一顆耗盡型MOSFET+電阻R，就能限制流過負(fù)載回路的電流大小，為負(fù)載回路提供過流保護(hù)。

該系列產(chǎn)品可工作在較高電壓下，能為負(fù)載回路提供過壓保護(hù)及瞬態(tài)浪涌抑制。當(dāng)負(fù)載出現(xiàn)短路時(shí)，為負(fù)載提供過流保護(hù)。該系列MOSFET響應(yīng)速度快，電路結(jié)構(gòu)簡單。