耗盡型MOSFET在非隔離式電源電路中的應(yīng)用

應(yīng)用電路如下

在上述電路中，無(wú)需使用其它DC-DC元件，僅使用一顆耗盡型MOSFET，即可將較高的電壓轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的低電壓給LDO輸入端供電。LDO的輸入電壓Vin與輸出電壓VOUT的關(guān)系滿足：Vin=VOUT+|Vth|(Vth即DMD4523E在一定電流下的閾值電壓)。

該電路具有如下優(yōu)點(diǎn)：

上述電路可直接應(yīng)用于寬電壓范圍中(DMD4523E的最高工作電壓為450V，需考慮器件的功耗)。DMD4523E可以為L(zhǎng)DO電路提供良好的瞬態(tài)浪涌防護(hù)。

MOSFET響應(yīng)速度快，該電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單且成本低，由于MOSFET可以承擔(dān)輸入部分的高壓，因此僅需要選擇能滿足輸出電壓要求的低壓LDO即可。該電路應(yīng)用范圍廣泛，可應(yīng)用于MCU、通訊設(shè)備的電路中。

DMD4523E

DMD4523E系列產(chǎn)品在容性負(fù)載、儀表、通訊設(shè)備中用于過(guò)壓過(guò)流保護(hù)的應(yīng)用。該電路通過(guò)選擇合適的穩(wěn)壓二極管VD1,即可得到穩(wěn)定的輸出電壓Vout。

該系列產(chǎn)品可工作在較高電壓下，能為負(fù)載回路提供過(guò)壓保護(hù)及瞬態(tài)浪涌抑制。當(dāng)負(fù)載出現(xiàn)短路時(shí)，為負(fù)載提供過(guò)流保護(hù)。該系列MOSFET響應(yīng)速度快，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。