使用耗盡型MOSFET簡(jiǎn)化PD3.1快充設(shè)計(jì)(上)

前言

盡管說(shuō)如今的充電器，集成度越來(lái)越高，外圍器件的數(shù)量越來(lái)越少。但是PD3.1的推出，支持28V及以上的輸出電壓，更寬的輸出電壓范圍，超出了高耐壓的原邊控制器的供電范圍，同時(shí)現(xiàn)有的同步整流控制器，也無(wú)法應(yīng)用在高輸出電壓下，令工程師的選型很是頭疼。

為了應(yīng)對(duì)PD3.1升級(jí)輸出電壓后，寬電壓輸出導(dǎo)致開(kāi)關(guān)電源初級(jí)電壓供電范圍變動(dòng)較大的問(wèn)題，ARK（方舟微）推出了一系列具有特殊功能的MOSFET，可以代替?zhèn)鹘y(tǒng)多顆元件組成的供電穩(wěn)壓電路，從而簡(jiǎn)化電源中對(duì)于控制器的供電設(shè)計(jì)，并優(yōu)化待機(jī)功耗表現(xiàn)。在缺貨的大背景下，拓展現(xiàn)有芯片的供電范圍，保證產(chǎn)品出貨。

ARK（方舟微）

ARK（方舟微）自主研發(fā)的專利產(chǎn)品100V、150V、600V等系列耗盡型MOSFET受到市場(chǎng)廣泛歡迎，成為眾多高端品牌充電設(shè)備首選器件。目前，已被PI、IWATT、ON等多家主IC方案商普遍選用。

DMZ1015E/DMX1015E

ARK（方舟微）DMZ1015E/DMX1015E是一顆耐壓100V的耗盡型NMOS，是原DMZ0615E/DMX0615E的升級(jí)版本，采用特有超高閾值“UItraVt”技術(shù)（ARK專利），可為負(fù)載提供穩(wěn)定的供電，且輸出電壓可由內(nèi)部鉗位，無(wú)需穩(wěn)壓管，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。

電源電路更加簡(jiǎn)化

DMX1015E (SOT-89封裝)，耗散功率1W，能承受更寬的輸入電壓，適合單繞組的VCC供電；DMZ1015E (SOT-23封裝） 耗散功率0.5W，適合雙繞組的VCC供電；可根據(jù)耗散功率靈活選用。

DMZ1315E(L）/ DMX1315E (L）****

在Type-C/PD充電器中，ARK（方舟微）研發(fā)的DMZ1315E(L)/DMX1315E(L)可作為高壓線性穩(wěn)壓源，特有超高閾值 “UItraVt”技術(shù)（ARK專利） ，利用其亞閾值特性實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的電壓或電流輸出，PWM IC電源電路更加簡(jiǎn)化。

DMZ(X)1015E升級(jí)版

DMX1315E(L) (SOT-89封裝) 耗散功率1W，能承受更寬的輸入電壓，適合單繞組的VCC供電，DMZ1315E(L) (SOT-23封裝）耗散功率為0.5W，適合雙繞組的VCC供電。

該系列屬于DMZ(X)1015E的升級(jí)版，耐壓提高至130V，不僅適用于原DMZ(X)1015E的所有應(yīng)用方案，還可用于對(duì)電壓有更高要求的方案（如PD3.1中新增的28V/5A輸出）。

節(jié)約成本

ARK（方舟微）推出的一系列耗盡MOSFET，適配絕大多數(shù)開(kāi)關(guān)電源控制器供電需求，利用耗盡型MOSFET的亞閾值特性，能夠簡(jiǎn)化傳統(tǒng)控制器用于高壓以及寬電壓輸出的供電電路設(shè)計(jì)，降低研發(fā)難度的同時(shí)，降低整體物料成本。

國(guó)產(chǎn)替代

ARK（方舟微）作為快充領(lǐng)域電路穩(wěn)壓與保護(hù)器件的供應(yīng)商，陪伴充電設(shè)備14年，從摩托羅拉到華為；從三星到Google；從手機(jī)充電到汽車充電，幾乎覆蓋所有充電產(chǎn)品！

ARK（方舟微）產(chǎn)品以高品質(zhì)、高性能、低成本對(duì)標(biāo)國(guó)外同類產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代，被國(guó)內(nèi)外客戶廣泛采用。