首顆應(yīng)用新型MRigidCSP? 封裝技術(shù)MOSFET

日前，集設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片解決方案供應(yīng)商Alpha and Omega Semiconductor Limited （AOS, 納斯達(dá)克代碼:AOSL)推出了用于電池管理應(yīng)用的 MRigidCSP? 封裝技術(shù)。AOS首顆應(yīng)用該新型封裝技術(shù)的12V 共漏極雙 N 溝道 MOSFET——AOCR33105E，實(shí)現(xiàn)在降低導(dǎo)通電阻的同時(shí)提高CSP產(chǎn)品的機(jī)械強(qiáng)度。這項(xiàng)新升級(jí)的封裝技術(shù)非常適合智能手機(jī)、平板電腦和超薄筆記本電腦的電池應(yīng)用。

現(xiàn)如今便攜式電子設(shè)備的快速充電功能已逐步優(yōu)化，這一應(yīng)用要求電池管理電路具有較低的功率損耗。隨著手機(jī)廠家和客戶對(duì)更高充電電流的需求增加，繼而需要超低電阻產(chǎn)品來(lái)提高電池的性能。在標(biāo)準(zhǔn)晶圓級(jí) CSPs (WL-CSPs) 產(chǎn)品中采用背靠背 MOSFET 時(shí)，硅基材的電阻在電池管理應(yīng)用中占據(jù)了總電阻的很大一部分。較薄的基材可降低總電阻，但同時(shí)由于較薄的產(chǎn)品也會(huì)大大降低產(chǎn)品的機(jī)械強(qiáng)度。機(jī)械強(qiáng)度的降低可能會(huì)在PCB組裝回流焊接過(guò)程中產(chǎn)生更大的應(yīng)力，造成芯片翹曲或芯片破裂，從而導(dǎo)致應(yīng)用端不良。新型AOCR33105E采用最新溝槽功率 MOSFET 技術(shù)設(shè)計(jì)，共漏極結(jié)構(gòu)，簡(jiǎn)化客戶設(shè)計(jì)。它具有超低導(dǎo)通電阻和 ESD 保護(hù)，可提高保護(hù)開關(guān)和移動(dòng)電池充電和放電電路等電池管理的性能和安全性。

“AOS新型雙 N 溝道 MOSFET 率先采用 MRigidCSP 技術(shù)封裝，可應(yīng)用于較大的高寬比 CSP 裸片，器件的電性能和封裝強(qiáng)壯性都得到了顯著提升，具備更高的可靠性。先進(jìn)的封裝結(jié)構(gòu)解決了客戶在生產(chǎn)組裝過(guò)程中出現(xiàn)的形變和斷裂問題，為客戶提供更高性能和可靠性的解決方案?！盇OS MOSFET 產(chǎn)品線資深市場(chǎng)總監(jiān) Peter H. Wilson 說(shuō)道。

主要特性

審核編輯 黃宇