11月9日,華為發(fā)布了全新的震撼新品——全新一代DriveONE 800V高壓碳化硅黃金動力平臺,并宣布“上車”旗下首款智選車智界S7,同日開啟預(yù)售。其首發(fā)了行業(yè)內(nèi)量產(chǎn)最高轉(zhuǎn)速的電機(jī),每分轉(zhuǎn)速可達(dá)22000轉(zhuǎn),最高效率達(dá)到了98%。
電機(jī)將首發(fā)搭載于智界S7,四驅(qū)版配有前150千瓦交流異步電驅(qū)系統(tǒng),后215千瓦永磁同步電驅(qū)。得益于此,四驅(qū)版智界S7零百加速快至3.3秒,而且在強(qiáng)大的剎車系統(tǒng)的加持下,該車100-0公里/時剎停距離僅為33.5秒,比保時捷Taycan的35.97米的成績更好。按照余承東的說法,智界S7就是用特斯拉Model 3的價格,享受特斯拉Model S和保時捷Taycan的體驗,屬于越級而生。該車已經(jīng)開始預(yù)售,價格為25.8-35.8萬元,下定可享受價值4萬元的首發(fā)權(quán)益,而到本月二十幾號,新車將正式上市,屆時,余承東會公布該車具體售價。
余承東表示,經(jīng)過多次測算,四個版本全部虧損在賣,希望后面通過擴(kuò)大銷量來扭虧為盈。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
原文標(biāo)題:華為新一代碳化硅電機(jī)發(fā)布:22000轉(zhuǎn)/分、零百加速3.3秒
文章出處:【微信號:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),微信公眾號:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
相關(guān)推薦
在近日于深圳國際會展中心盛大舉行的PCIM Asia 2024展會上,愛仕特科技以其突破性創(chuàng)新震撼全場,正式發(fā)布了新一代超低電感LPD系列碳化硅功率模塊。這款模塊的問世,標(biāo)志著功率半導(dǎo)體領(lǐng)域在降低雜散電感、提升能效方面邁出了重要
發(fā)表于 09-03 15:11
?271次閱讀
7月8日到10日,在慕尼黑上海電子展E4館內(nèi),英飛凌展示了第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)品解決方案。記者探訪展臺的時候,看到如下方案:一是新一代碳化硅技術(shù)CoolSiCTM MOSFET的相關(guān)產(chǎn)品;
發(fā)表于 07-22 09:10
?2924次閱讀
MOS碳化硅
瑞森半導(dǎo)體
發(fā)布于 :2024年04月19日 13:59:52
英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),無疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來了革命性的進(jìn)步。與上一代產(chǎn)品相比,全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
發(fā)表于 03-20 10:32
?733次閱讀
在全球電力電子領(lǐng)域,英飛凌科技以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新能力和領(lǐng)先的產(chǎn)品質(zhì)量贏得了廣泛贊譽(yù)。近日,該公司宣布推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域邁入了新的發(fā)展階段。
發(fā)表于 03-12 09:53
?482次閱讀
在電力電子領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布,其已成功推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出,標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域迎來了新的
發(fā)表于 03-12 09:43
?548次閱讀
的碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻,然后在特定的大氣和環(huán)境條件下在高溫下燒結(jié)。然后將一層黃銅作為電觸點噴上火焰。其他標(biāo)準(zhǔn)
發(fā)表于 03-08 08:37
碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點。由于這些優(yōu)異的性能,碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。然而,由于
發(fā)表于 01-11 17:33
?661次閱讀
碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點,因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件
發(fā)表于 01-09 09:26
?2467次閱讀
隨著科技的快速發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種先進(jìn)的電力電子設(shè)備,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)保護(hù)等多個領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的原理、應(yīng)用、技術(shù)挑戰(zhàn)以及未來
發(fā)表于 12-16 10:29
?1080次閱讀
碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
發(fā)表于 12-12 09:47
?1513次閱讀
碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導(dǎo)體級質(zhì)量的碳化
發(fā)表于 12-08 09:49
?1479次閱讀
本推文主要介碳化硅器件,想要入門碳化硅器件的同學(xué)可以學(xué)習(xí)了解。
發(fā)表于 11-27 17:48
?1432次閱讀
如何保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡
發(fā)表于 11-23 17:00
?320次閱讀
華為首發(fā)的SiC電機(jī)為行業(yè)內(nèi)量產(chǎn)最高轉(zhuǎn)速的電機(jī),每分轉(zhuǎn)速可達(dá)22000轉(zhuǎn),最高效率達(dá)到了98%,該電機(jī)
發(fā)表于 11-22 18:15
?857次閱讀
評論