關(guān)于NMOS管軟啟動電路設(shè)計思路

我們知道凡事都得循序漸進，一步登天都很危險，電路也是如此；在平常電路設(shè)計中，對于高電壓我們一般都需要很謹慎，如果一個項目供電電源不再是3V干電池或者鋰電池，而是更高的電壓，比如外接12V電壓，15V，24V；

那么我們就需要注意電源的躍升速率對我們電路的影響，從0到3V，從0到5V我們都可以接受，但是從0到12V，到15V，甚至到24V，電源在極短時間升到最高電壓會對我們后級電路造成影響；

我們肯定想要這個電壓慢慢升到12V，比如：如果能達到下面這種要求，我們就可以接受；

看到上述曲線，我們想到了啥，電壓通過電阻給電容充電，電容充電曲線是不是類似的曲線，電阻大，電容兩端電壓上升的就越慢，反之越快；

那么我們設(shè)計電路的前提如下：

1. 電壓緩啟動，但是時間太短看不到效果，時間太長影響功能，我們需要根據(jù)我們項目設(shè)計合適的時間；
2. 我們考慮了啟動，同時也要考慮關(guān)閉；和之前邏輯一樣，電源無論從0躍升到一定電壓還是從一定高度電壓降成0，我們都需要做這種設(shè)計考慮，即軟啟動，軟著陸；這種設(shè)計就大大提高了我們電路系統(tǒng)的穩(wěn)定性，同樣這種設(shè)計也會大大降低電路系統(tǒng)的干擾，增強電磁兼容性；
3. 即我們需要設(shè)計這種開關(guān)波形：

今天思路暫時介紹到這里，后面會進行電路仿真模擬和實際測試；

文章觀點僅僅代表個人思路，有不同思路也可以一起討論；我只是將自己想法通過文章表達出來，大家感興趣的也可以自己動動手看看；

感謝大家閱讀支持；