長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)”半導(dǎo)體芯片測(cè)試方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)“專利獲授權(quán)

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司獲得“半導(dǎo)體芯片測(cè)試方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)”專利。許可公告日為11月14日，許可公告號(hào)碼為cn116540059b。

根據(jù)專利摘要，該公開(kāi)提供屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域的半導(dǎo)體芯片測(cè)試方法、裝置、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)。該方法對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行直流應(yīng)力試驗(yàn)，得出直流應(yīng)力試驗(yàn)結(jié)果，直流應(yīng)力試驗(yàn)結(jié)果包括第一失效單位的失效通知。根據(jù)第一無(wú)效單位的無(wú)效地址信息，確定交流試驗(yàn)區(qū)；對(duì)交流應(yīng)力試驗(yàn)區(qū)域進(jìn)行交流應(yīng)力試驗(yàn)，得出交流應(yīng)力試驗(yàn)結(jié)果，交流應(yīng)力試驗(yàn)結(jié)果包括第二實(shí)效單位的失效通知。利用第一個(gè)有效單位的有效地址信息，利用第一個(gè)有效單位和第二個(gè)有效單位的有效地址信息，維修第二個(gè)有效單位。

這一公開(kāi)縮短了測(cè)試時(shí)間，減少了測(cè)試費(fèi)用。