Flash ADC常由電阻DAC和比較器組成,性能受限電阻匹配精度和比較器offset。
電阻匹配包括濃度梯度引入的誤差(與電阻版圖擺放相關)和隨機誤差(與工藝相關),前者引入非線性誤差。
Simulink建模6位Flash ADC,看電阻誤差對ADC性能的影響,仿真時輸入約1/2fs頻率的正弦波。
電阻無任何誤差時的結果
Simulink模型輸出做INL/DNL分析與理想結果稍有出入,但相差不大。
由于濃度梯度, 電阻向一個方向逐漸變化情況(Linear Ladder)**
INL對應參考文章3.1節(jié)3.2~3.4式,在中間Code處,INL有極值(極大值還是極小值取決電阻失配是減是增),此處INL最大,與失配大小成正比。電阻逐漸減小情況和電阻逐漸增大情況分別如下圖和下下圖。
改變電阻排列,兩端電阻向中間逐漸變化情況(Folded Ladder)
INL最大處變?yōu)?/4和3/4滿量程code處,相比電阻朝一個方向變化情況有較大改善。電阻逐漸減小情況和電阻逐漸增大情況分別如下圖和下下圖。
電阻0.2%隨機誤差
電阻引入千分之二隨機誤差,仿真結果顯示對性能影響不明顯。
電阻10%隨機誤差
電阻引入百分之十隨機誤差,仿真結果顯示對性能影響也不大。
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