在電驅(qū)開(kāi)發(fā)領(lǐng)域,IGBT特性是逆變器功率輸出限制的核心要素。
IGBT最怕兩件事,一是過(guò)溫度、二是過(guò)流。
我想提升扭矩,如何避免過(guò)溫
我想提升扭矩,如何避免過(guò)流
那么換更簡(jiǎn)單咯,把600額定電流的指標(biāo)提上去
熱平衡
電驅(qū)系統(tǒng)達(dá)到30分鐘的持續(xù)扭矩,這時(shí)候應(yīng)該進(jìn)入熱平衡狀態(tài),也就是釋放的熱量等于產(chǎn)生的熱量,然而很多不行的電驅(qū)到這個(gè)點(diǎn)溫度還要繼續(xù)上升,持續(xù)功率還要下降,那就是不太好的電驅(qū),但是也能按照GB18488去接受它。
審核編輯:劉清
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原文標(biāo)題:【電機(jī)控制】IGBT開(kāi)關(guān)頻率和最大電流對(duì)扭矩影響分析
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`如圖請(qǐng)問(wèn)英飛凌IGBT參數(shù)頻率參數(shù)里最大最小值分別是什么意義`
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, 圖3 中IGBT 的t r、t f 均大于給定值, 但這并不意味著損耗的上升, 因?yàn)?b class='flag-5'>開(kāi)關(guān)損耗還取決于開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓電流的"重疊"程度, 而圖3中的"重迭"明顯
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整個(gè)混合開(kāi)關(guān)的頻率響應(yīng)。實(shí)驗(yàn)樣品該實(shí)驗(yàn)基于溝槽場(chǎng)停止IGBT芯片的樣品,該芯片的額定阻斷電壓高達(dá)1200 V,標(biāo)稱(chēng)電流高達(dá)200 A,厚度為125μm。通過(guò)質(zhì)子輻照改善了
發(fā)表于 02-22 16:53
,用于散熱?! ?b class='flag-5'>IGBT模塊的應(yīng)用過(guò)程中,主要選型的設(shè)計(jì)關(guān)鍵參數(shù)包括輸入的母線電壓,以及輸出的電流,阻斷電壓,開(kāi)關(guān)頻率、散熱系統(tǒng)的要求等關(guān)鍵參數(shù)。其次,其應(yīng)用的廣泛性、運(yùn)行的可靠性以及
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發(fā)表于 01-02 16:24
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確定的值。我一般都是這么回答這個(gè)問(wèn)題的: 首先,開(kāi)關(guān)頻率是指IGBT在一秒鐘內(nèi)開(kāi)關(guān)次數(shù)。而在確定的母線電壓和導(dǎo)通電流下,
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