1.寫在前面
本次仿真的是2006年的論文[1],結(jié)構(gòu)簡單,無三極管,利用CMOS亞閾值導(dǎo)電指數(shù)特性做溫度補(bǔ)償替代三極管,極大減小了面積和功耗,能在低壓工作,但是溫度特性較差。
2.電路原理分析
通過M10和M11的電流疊加通過R3獲得基準(zhǔn)輸出電壓。輸出電壓表達(dá)式整理后是由VGS和VT線性疊加,VGS與溫度負(fù)相關(guān),VT與溫度正相關(guān),調(diào)整電阻即可線性補(bǔ)償溫度,使最終輸出與溫度無關(guān)。
論文[1]中原理寫的很詳細(xì),我做的筆記如下,注意公式(5)中寬長比是因?yàn)閬嗛撝祵?dǎo)電公式中的I0是與寬長比成正比的。
3.仿真結(jié)果
在TSMC180nm工藝下仿真其溫度特性曲線、靜態(tài)功耗、溫度系數(shù)。
電源電壓Vcc=1V,輸出基準(zhǔn)242mV,能夠低壓工作。溫度系數(shù)92.57ppm/℃,靜態(tài)功耗4.4uW。亞閾值CMOS確實(shí)極大降低了功耗,無三極管也大大減少了面積,但是溫度特性補(bǔ)償也更復(fù)雜了。
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