Ciss、Crss和Coss的電容特性是影響MOSFET開關(guān)特性的重要因素。
Ciss:輸入電容(Ciss=Cgd+Cgs)
?柵極-漏極和柵極-源極電容之和:它影響延遲時間;Ciss越大,延遲時間越長。
Crss:反向轉(zhuǎn)移電容(Crss=Cgd)
?柵極-漏極電容:Crss越大,漏極電流上升特性越差,這不利于MOSFET的損耗。高速驅(qū)動需要低電容。
Coss:輸出電容(Coss=Cgd+Cds)
?柵極-漏極和漏極-源極電容之和:它影響關(guān)斷特性和輕載時的損耗。如果Coss較大,關(guān)斷dv/dt減小,這有利于噪聲。但輕載時的損耗增加。
圖3-11(a)MOSFET的電容模型
圖3-11(b)MOSFET的典型電容特性
審核編輯:湯梓紅
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