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      【科普小貼士】MOSFET的性能：漏極電流和功耗

      jf_pJlTbmA9 ? 來源：東芝半導體 ? 作者：東芝半導體 ? 2023-12-07 17:23 ? 次閱讀

      允許損耗和漏極電流是MOSFET的典型最大額定值，計算如下。
      （有些產(chǎn)品采用了不同的電流表達式。）
      通過熱阻和結(jié)溫來計算功耗。漏極電流將采用歐姆定律，由計算得出的功耗和導通電阻進行計算。

      PD：功耗

      ?器件指定溫度條件下允許的功耗

      wKgaomVdmH2AFBPNAAAnDhFioS4873.png

      ID：漏極電流

      ?直流額定值：正向流動的直流電流。（在室溫下定義）

      wKgaomVdmH-AX9vWAAAinOSvULY133.png

      IDp：脈沖漏極電流

      ?指定脈寬下的最大漏極電流。一般是直流電流的4倍。

      wKgZomVdmICAEz4iAAAZ0HEHvH8194.png

      文章來源：東芝半導體

      審核編輯 黃宇

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