1940年貝爾實(shí)驗(yàn)室在研究雷達(dá)探測整流器時(shí),發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng),1958年美國通用電氣(GE)公司研發(fā)出世界上第一個(gè)工業(yè)用普通晶閘管,標(biāo)志著電力電子技術(shù)的誕生。
從此功率半導(dǎo)體器件的研制及應(yīng)用得到了飛速發(fā)展,并快速成長為電子制造業(yè)的核心器件之一,還獨(dú)立成為電子電力學(xué)科。
鑒于功率半導(dǎo)體器件的綠色節(jié)能功能,因此被廣泛應(yīng)用于幾乎所有的電子制造業(yè),包括新能源(風(fēng)電、光伏、儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車)、消費(fèi)電子、智能電網(wǎng)、軌道交通等。其中在新能源汽車和工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用較多,需求穩(wěn)定性也較強(qiáng)。
隨著智能電網(wǎng)、汽車電氣化等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件逐漸往高壓、高頻方向發(fā)展,對應(yīng)的產(chǎn)品測試也迎來更大的挑戰(zhàn):
■功率半導(dǎo)體是多端口器件,需要多種儀表協(xié)同測試;
■功率半導(dǎo)體的漏電流越小越好,需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測試;
■功率半導(dǎo)體的電流輸出能力很強(qiáng),測試時(shí)需要快速注入1000A級電流,并完成壓降的釆樣;
■功率半導(dǎo)體需要耐壓較高,一般從幾千到一萬伏不等,需要測量儀器具備高壓輸出和高壓下nA級漏電流測試的能力;
■由于功率半導(dǎo)體工作在強(qiáng)電流下,自加熱效應(yīng)明顯,嚴(yán)重時(shí)容易造成器件燒毀,需要提供μs級電流脈沖信號減少器件自加熱效應(yīng);
■輸入輸出電容對器件的開關(guān)性能影響很大,不同電壓下器件等效結(jié)電容不同,C-V測試十分有必要。
KeysightB1506A
適用于電路設(shè)計(jì)的功率器件分析儀
可以幫助設(shè)計(jì)人員最大限度地提升最終產(chǎn)品價(jià)值和產(chǎn)品開發(fā)速度,是功率電路設(shè)計(jì)的一次革命性創(chuàng)新。
可以表征從基礎(chǔ)到尖端的應(yīng)用:
B1506A功率器件分析儀可以提供完整的電路設(shè)計(jì)解決方案,幫助企業(yè)、高校以及研發(fā)單位功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā),實(shí)現(xiàn)對功率半導(dǎo)體的高效、安全的測試驗(yàn)證。為研發(fā)、生產(chǎn)、失效分析等多個(gè)場景提供測試服務(wù):
■廣泛的工作 I/V (1500 A,3000V) 、熱測試范圍 (-50°C至 +250°C)、快速脈沖生成能力和 nA 級以下的電流測量分辨率;
■強(qiáng)大的測試能力,涵蓋C/V,I/V,Qg,CV ,Rg,Ron, Ciss等參數(shù);
■示波器視圖提供脈沖測量波形視覺驗(yàn)證。
Chrent測試小案例
B1506A一招識別真假M(fèi)OS管
網(wǎng)上教你分辨MOS管的教程那么多,這樣壕氣又精確到小數(shù)點(diǎn)的方法,你一定沒見過!
一位工程師在修大功率電源,網(wǎng)上買的MOS管裝上去就燒了,懷疑買到了假貨。
測試實(shí)驗(yàn)室的同事路過,說他們剛好配了一臺先進(jìn)的功率器件分析儀B1506A,配合不同模組,可以對MOSFET、IGBT等功率器件進(jìn)行I/V測量和功率損耗的測量。
他們決定測試一下這個(gè)MOS管究竟“假”在哪里
測試步驟|STEP
第1步,將對照組MOS管插到測試夾具上,并蓋好蓋子
第2步,選擇I/V測試
第3步,設(shè)置器件類型為MOSFET,選擇ID-VGS,提前設(shè)置好集電極電壓和基極電壓
第4步,設(shè)置完畢后,開始測試
測試結(jié)果|RESULT
對照組MOS管測試結(jié)果:
在不同的VGS電壓下,最大電流輸出可達(dá)近1000A,與DATASHEET上的參數(shù)基本一致。
“假”MOS管測試結(jié)果:
在不同的VGS電壓下,電流輸出保持不變,最大電流輸出只到50A左右。所以這個(gè)器件有問題。
這個(gè)案例充分展示了B1506A大功率半導(dǎo)體參數(shù)分析儀的強(qiáng)大功能,不僅可以幫助工程師鑒別真假M(fèi)OS管,還可以為他們提供準(zhǔn)確的器件參數(shù),幫助他們更好地進(jìn)行電源維修和研發(fā)工作。
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