光時(shí)域反射儀（OTDR）測(cè)試中常見(jiàn)曲線(xiàn)的分析（下）

接上一篇，下篇我們將主要介紹外部因素下對(duì)測(cè)試曲線(xiàn)的影響，以及波紋曲線(xiàn)所呈現(xiàn)的實(shí)際含義。

一、外部因素引起的可能曲線(xiàn)變化

這里的外部因素指施加于光纜并傳遞至光纖的張力及側(cè)向受力，還有溫度的變化。這些都會(huì)造成曲線(xiàn)弓形彎曲。外部因素引起的弓形彎曲在外力作用下使曲線(xiàn)斜率改變。如圖所示，外力作用前曲線(xiàn)斜率恒定，在外力作用下可出現(xiàn)如下情況之一：

二、波紋曲線(xiàn)圖

指曲線(xiàn)有與脈沖頻率相似的紋狀態(tài)曲線(xiàn)。其產(chǎn)生原因有可能是受測(cè)光纖工作頻率與帶寬頻率剛好相同,此情況下, 改變測(cè)試脈寬，同時(shí)應(yīng)從受測(cè)光纖的兩端進(jìn)行測(cè)量。

三、實(shí)際在測(cè)試中最常見(jiàn)的異常曲線(xiàn)、原理和對(duì)策

現(xiàn)象：光纖未端無(wú)菲涅爾反射峰，曲線(xiàn)斜率、衰減正常，無(wú)法確認(rèn)光纖長(zhǎng)度。

原因：光纖未端面上比較臟或光纖端面質(zhì)量差。

對(duì)策：清洗光纖未端面或重新做端面。

現(xiàn)象：曲線(xiàn)成明顯弓形，衰減嚴(yán)重偏大或偏小，無(wú)菲涅爾反射峰。

原因：量程設(shè)置錯(cuò)誤（不足被測(cè)光纖長(zhǎng)度2倍以上）。

對(duì)策：增大量程。

現(xiàn)象：在曲線(xiàn)斜率恒定的曲線(xiàn)中間有一個(gè)“小山峰”（背向散射劇烈增強(qiáng)所致）。

原因：

（1）光纖本身質(zhì)量原因（小裂紋）；

（2）二次反射余波在前端面產(chǎn)生反射。

對(duì)策：在這種情況下改變光纖測(cè)試量程、脈寬、重新做端面，再測(cè)試如“小山峰”消失則為原因（2），如不消失則為原因（1） 。

現(xiàn)象：在光纖纖連接器、耦合器、熔接點(diǎn)處產(chǎn)生一個(gè)明顯的增益。。

原因：模場(chǎng)直徑不匹配造成的；

對(duì)策：測(cè)試衰減和接頭損耗必須雙向測(cè)試，取平均值。

現(xiàn)象：曲線(xiàn)斜率正常，光纖均勻性合格，但兩端光纖衰減系數(shù)相差很大。

原因：模場(chǎng)不均勻造成，一般為光纖拉絲引頭和結(jié)尾部分。

對(duì)策：測(cè)試衰減必須雙向測(cè)試，取平均值。

現(xiàn)象：在整根光纖衰減合格，曲線(xiàn)大部分斜率均勻，但在菲涅爾反射峰前沿有一小凹陷。

原因：未端幾米或幾十米光纖受側(cè)壓。

對(duì)策：復(fù)繞觀察有無(wú)變化。

現(xiàn)象：1310nm光纖曲線(xiàn)平滑，光纖衰減斜率基本不變，衰減指標(biāo)略微偏高，但1550nm光纖衰減斜率增加，衰減指標(biāo)偏高。

原因：束管內(nèi)余長(zhǎng)過(guò)短，光纖受拉伸。

對(duì)策：確認(rèn)束管內(nèi)的余長(zhǎng)，增加束管內(nèi)的余長(zhǎng) 。

現(xiàn)象：1310nm光纖曲線(xiàn)平滑，光纖衰減斜率基本正常，衰減指標(biāo)正常，但1550nm光纖衰減斜率嚴(yán)重不良，衰減指標(biāo)嚴(yán)重偏高。

原因：束管內(nèi)余長(zhǎng)過(guò)長(zhǎng)，光纖彎曲半徑過(guò)小。

對(duì)策：確認(rèn)束管內(nèi)的余長(zhǎng)，減少束管內(nèi)的余長(zhǎng)。

現(xiàn)象：尾纖與過(guò)渡纖有部分曲線(xiàn)出現(xiàn)有規(guī)則的曲線(xiàn)不良，但被測(cè)光纖后半部分曲線(xiàn)正常，整根被測(cè)光纖衰減指標(biāo)基本正常。

原因：一般是由設(shè)備本身和測(cè)試方法綜合造成的。

對(duì)策：關(guān)機(jī)，重新起動(dòng)，對(duì)各個(gè)光纖接觸部分進(jìn)行清潔。