如今,功率半導(dǎo)體使用最廣泛的材料是硅。硅的生產(chǎn)成本低廉,而且該技術(shù)廣為人知。然而,還有其他材料,即所謂的復(fù)合功率半導(dǎo)體,如碳化硅和氮化鎵,它們是更有效的電導(dǎo)體。這意味著在任何電源轉(zhuǎn)換過程中,通過熱量損失的能量更少,這具有減少對昂貴冷卻系統(tǒng)的需求以及降低電力電子單元的尺寸和重量的額外好處。
詳細了解什么是碳化硅功率模塊、它們的工作原理以及為什么碳化硅在特定應(yīng)用中是首選。
什么是碳化硅(SiC)?
碳化硅(SiC)比我們的太陽系更古老,最早是在4億年前的隕石中發(fā)現(xiàn)的。但直到現(xiàn)在,碳化硅才已經(jīng)工業(yè)化到現(xiàn)在在商業(yè)和技術(shù)上與硅競爭的程度。
碳化硅結(jié)合了具有獨特電氣特性的硅(Si)和碳(C),可以為各種應(yīng)用構(gòu)建高性能半導(dǎo)體。
什么是碳化硅(SiC)功率模塊?
碳化硅功率模塊是使用碳化硅半導(dǎo)體作為開關(guān)的功率模塊。
碳化硅功率模塊用于轉(zhuǎn)換電能,是電流和電壓的乘積,轉(zhuǎn)換效率高。
為什么碳化硅(SiC)功率模塊是某些應(yīng)用的首選?
碳化硅作為一種半導(dǎo)體具有寬禁帶,用于MOSFET時,它具有非常低的開關(guān)損耗,因此與常規(guī)硅器件相比,它允許更高的開關(guān)頻率。同時,與傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體相比,它可以在更高的溫度和更高的電壓下工作。
碳化硅功率半導(dǎo)體的使用預(yù)計將呈指數(shù)級增長,因為它具有關(guān)鍵的效率特性,可以降低成本,同時提高各種應(yīng)用的系統(tǒng)性能,如電動汽車充電器、太陽能逆變器、電動汽車和電機驅(qū)動。
碳化硅(SiC)功率模塊與當(dāng)今硅(Si)器件相比的優(yōu)勢
與基于IGBT的功率模塊相比,SiC具有以下幾個優(yōu)點:
更快的開關(guān)意味著更低的開關(guān)損耗,對無源元件的需求更少,從而減小了系統(tǒng)尺寸
適用于高開關(guān)頻率
高阻斷電壓
更高的結(jié)溫
高電流密度意味著更高的緊湊性和更高的功率密度
審核編輯:劉清
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原文標題:什么是碳化硅功率模塊?
文章出處:【微信號:國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC,微信公眾號:國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
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