根據(jù)前面的分析,電子或者空穴產(chǎn)生于導(dǎo)帶和價(jià)帶中是一個(gè)統(tǒng)計(jì)概率,這個(gè)概率符合費(fèi)米分布規(guī)律。
所以雖然前文推導(dǎo)出了在某個(gè)能級(jí)的電荷濃度準(zhǔn)確表達(dá)式,但實(shí)際上這是一個(gè)統(tǒng)計(jì)算法,其描述的是一個(gè)動(dòng)態(tài)平衡過程。具體到每一個(gè)能級(jí)及其相應(yīng)的能態(tài),則是電子在不斷的產(chǎn)生和消失的過程中處于平衡狀態(tài)。
這個(gè)過程與環(huán)境溫度和材料本身的性質(zhì)相關(guān),教科書中通常將這個(gè)過程理解為:由于熱運(yùn)動(dòng),電子獲得能量而激發(fā)到能量更高的能級(jí);但電子彼此碰撞、或者與晶格碰撞等過程失去能量又回到能量更低的能級(jí),這個(gè)過程持續(xù)往復(fù)。
更進(jìn)一步地,考慮半導(dǎo)體中摻入了某種雜質(zhì)、或者引入了某種缺陷的情況。雜質(zhì)或缺陷的引入導(dǎo)致在禁帶之中形成了局域的能級(jí),因?yàn)檫@些能級(jí)相較導(dǎo)帶及價(jià)帶的能級(jí)離費(fèi)米能級(jí)更近,所以電子占有概率更大。同時(shí),因?yàn)槟軕B(tài)密度較低,占據(jù)這些能級(jí)的電子是不能自由運(yùn)動(dòng)的,表現(xiàn)為電荷減少,被“復(fù)合”了。
結(jié)合質(zhì)量守恒定律,有一種理解方式如下:材料自身在單位體積內(nèi)能夠提供的電子數(shù)量是一定的,假設(shè)一個(gè)原子提供一個(gè)電子,那么材料可以提供的總電子數(shù)量即為
當(dāng)占據(jù)雜質(zhì)或缺陷能級(jí)消耗了一部分電子,那么激發(fā)到導(dǎo)帶上的電子自然少了,表現(xiàn)為電子被雜質(zhì)或缺陷能級(jí)復(fù)合了。
事實(shí)上,若要嚴(yán)謹(jǐn)推導(dǎo)半導(dǎo)體中摻雜后的復(fù)合現(xiàn)象,還是要從雜質(zhì)引入所導(dǎo)致的能級(jí)變化和能態(tài)變化來分析電子占據(jù)不能能級(jí)的概率,這里不做延展推導(dǎo)。
想要說明的是,類似空穴是人們抽象出來的一個(gè)概念一樣,“復(fù)合”也可以當(dāng)做人們抽象出來的一個(gè)概念,是相對(duì)“產(chǎn)生”而言,其本質(zhì)還是因?yàn)槟撤N原因如摻雜、缺陷等,導(dǎo)致能級(jí)和/或能態(tài)發(fā)生變化,導(dǎo)致電子在不同能級(jí)進(jìn)行重新分布。
假如電子進(jìn)入導(dǎo)帶,能級(jí)分布密集,能態(tài)很多,且基本沒有電子占據(jù),那么 電子只需獲得很小的能量即可進(jìn)入另外一個(gè)能態(tài),電子占據(jù)這些能態(tài)后可以自由移動(dòng),表現(xiàn)為自由電荷的產(chǎn)生 。
假如進(jìn)入雜質(zhì)或缺陷能級(jí),能態(tài)很少,電子需獲得較大的能量才可進(jìn)入另外一個(gè)能態(tài),那么電子占據(jù)這些能態(tài)后不能自由移動(dòng),表現(xiàn)為自由電荷的復(fù)合。
既然引入了復(fù)合的概念,那就應(yīng)該有復(fù)合的壽命,定義為τ,這個(gè)壽命是如何得來,又是如何變化的,下面簡要推導(dǎo)。
顯然凈復(fù)合率U還可表達(dá)為
對(duì)照U的兩個(gè)表達(dá)式,可以得出電荷壽命
根據(jù)這個(gè)表達(dá)式,隨著新增電荷數(shù)的增加,電荷壽命會(huì)降低,所以 半導(dǎo)體大注入情況下比小注入情況下的壽命要小,IGBT工作通常處于大注入狀態(tài)。IGBT關(guān)斷過程中的拖尾電流通常取決于存儲(chǔ)的電荷及其壽命。
對(duì)于本征半導(dǎo)體,?n=?p=0,n 0 =p 0 =n i ,定義其載流子壽命為
對(duì)于p型摻雜半導(dǎo)體,p 0 >>n 0 ,這個(gè)濃度顯然是 僅與溫度相關(guān)的常數(shù),不隨時(shí)間變化, 因?yàn)?n=?p,所以
兩邊對(duì)時(shí)間求導(dǎo),且dp 0 /dt=dn 0 /dt=0
顯然上式成立的條件是τ p <<τ n ,即空穴壽命遠(yuǎn)小于電子壽命。所以對(duì)于p型摻雜半導(dǎo)體可以僅考慮少子電子,其壽命為
同理,對(duì)于n型摻雜半導(dǎo)體,空穴為少子,其壽命為
顯然摻雜后的少子壽命都是要小于本征半導(dǎo)體的載流子壽命的。
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