0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

IGBT中的若干PN結(jié)—PNP結(jié)構(gòu)(2)

冬至子 ? 來源:橘子說IGBT ? 作者:orange ? 2023-11-28 16:58 ? 次閱讀

1.jpg

2.jpg

1.jpg

圖片

舉例:IGBT中存在如圖所示的兩個寄生BJT,BJT_1為NPN型,BJT_2為PNP型,我們來看看這兩個寄生BJT的電流增益有多大。

1.jpg

由此可以看出,BJT_1比BJT_2的增益要大得多,所以在IGBT設(shè)計中一定要盡力抑制寄生晶體管BJT_1的工作,一旦BJT_1進(jìn)入工作狀態(tài),那么電流會被迅速放大,導(dǎo)致器件失控,最終因過流、過熱而損壞,即latch-up效應(yīng)(下一節(jié)討論),所以IGBT設(shè)計中一定要將BJT_1的基極和發(fā)射極短路,使其不能工作。

圖片

1.jpg

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1257

    文章

    3711

    瀏覽量

    246994
  • BJT
    BJT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    220

    瀏覽量

    18033
  • 漏電流
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    253

    瀏覽量

    16899
  • PNP管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    28

    瀏覽量

    7392
  • 載流子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    133

    瀏覽量

    7610
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    說說IGBTPN結(jié)的導(dǎo)通狀態(tài)

    下面簡要推導(dǎo)PN結(jié)導(dǎo)通狀態(tài)下的電荷濃度分布以及電流、電壓的關(guān)系。
    的頭像 發(fā)表于 11-28 16:32 ?1011次閱讀
    說說<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>中</b><b class='flag-5'>PN</b><b class='flag-5'>結(jié)</b>的導(dǎo)通狀態(tài)

    IGBT若干PN結(jié)PNP結(jié)構(gòu)(1)

    我們常說IGBT是由BJT(雙極型晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)所構(gòu)成
    的頭像 發(fā)表于 11-28 16:55 ?1103次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>中</b>的<b class='flag-5'>若干</b><b class='flag-5'>PN</b><b class='flag-5'>結(jié)</b>—<b class='flag-5'>PNP</b><b class='flag-5'>結(jié)構(gòu)</b>(1)

    IGBT若干PN結(jié)—PNPN結(jié)構(gòu)介紹

    在前文的PNP結(jié)構(gòu),我們描述了一種現(xiàn)象,如果IGBT的兩個BJT都處于工作狀態(tài),那么就會發(fā)生失控,產(chǎn)生latch-up現(xiàn)象。
    的頭像 發(fā)表于 11-29 12:43 ?1515次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>中</b>的<b class='flag-5'>若干</b><b class='flag-5'>PN</b><b class='flag-5'>結(jié)</b>—PNPN<b class='flag-5'>結(jié)構(gòu)</b>介紹

    IGBT的MOS結(jié)構(gòu)—反型層論述

    在“IGBT若干PN結(jié)”一章我們提到,IGBT
    的頭像 發(fā)表于 11-29 14:08 ?2067次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>中</b>的MOS<b class='flag-5'>結(jié)構(gòu)</b>—反型層論述

    PN結(jié)對IGBT器件的重要性

    IGBT與功率MOS最大的區(qū)別就是背面多了一個pn結(jié),在正向?qū)〞r,背面pn結(jié)構(gòu)向N-區(qū)注入空穴,使得N-區(qū)的電阻率急劇減?。措妼?dǎo)調(diào)制效應(yīng)
    的頭像 發(fā)表于 11-29 15:16 ?717次閱讀
    <b class='flag-5'>PN</b>結(jié)對<b class='flag-5'>IGBT</b>器件的重要性

    PN結(jié)的基本結(jié)構(gòu)

    半導(dǎo)體器件有四種基本結(jié)構(gòu),而PN結(jié)無疑是最常見,也是最重要的結(jié)構(gòu)。
    的頭像 發(fā)表于 11-30 18:22 ?2448次閱讀
    <b class='flag-5'>PN</b><b class='flag-5'>結(jié)</b>的基本<b class='flag-5'>結(jié)構(gòu)</b>

    IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異(1)

    IGBT是要耐受高電壓的,在《IGBT若干PN結(jié)》一章,我們從高斯定理、泊松方程推演了
    的頭像 發(fā)表于 12-01 15:23 ?1906次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b>的終端耐壓<b class='flag-5'>結(jié)構(gòu)</b>—平面<b class='flag-5'>結(jié)</b>和柱面<b class='flag-5'>結(jié)</b>的耐壓差異(1)

    [階科普向]PN結(jié)曲率效應(yīng)——邊緣結(jié)構(gòu)

    由Matsushita等人提出。半絕緣的SIPOS層導(dǎo)電能力極其微弱,使得其中的電流水平甚至接近PN結(jié)的反向漏電流。圖1-4 電阻場板結(jié)構(gòu)SIPOS的電場分布取決于其本身的電阻分壓關(guān)
    發(fā)表于 07-11 13:38

    PN結(jié)是如何形成的?什么是pn結(jié)二極管?

    ,晶體管控制電路會對電路產(chǎn)生一定的影響。無論是NPN還是PNP,晶體管的PN結(jié)都會有漏電流。當(dāng)I/O控制基極電壓時,為了穩(wěn)定基極電壓,一般在NPN開關(guān)電路的基極上加一個下拉電阻。在PNP
    發(fā)表于 02-08 15:24

    PN結(jié)的形成及特性ppt

    PN結(jié)的形成及特性一、 PN結(jié)的形成 二、 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?三、
    發(fā)表于 07-14 14:09 ?0次下載

    PN結(jié),PN結(jié)是什么意思?

    PN結(jié),PN結(jié)是什么意思?PN結(jié)的形成 (1)當(dāng)P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時,由于交界面處存在載流子濃度的差異,這樣電子和空穴
    發(fā)表于 02-26 11:33 ?3.2w次閱讀

    pn結(jié)的形成/多晶硅PN結(jié)是怎樣形成的?

    pn結(jié)的形成/多晶硅PN結(jié)是怎樣形成的? PN結(jié)
    發(fā)表于 02-26 11:40 ?5243次閱讀

    關(guān)于PN結(jié)光伏理論的若干問題

    文摘:論述了PN結(jié)光伏理論,指出了硅太陽電池旁路電阻的簡便測量一文關(guān)于光伏理論的修正和 測量旁路電阻的新方法的不妥和錯誤之處。 關(guān)鍵詞:PN結(jié)
    發(fā)表于 02-23 16:28 ?74次下載
    關(guān)于<b class='flag-5'>PN</b><b class='flag-5'>結(jié)</b>光伏理論的<b class='flag-5'>若干</b>問題

    pn結(jié)的基本特性是什么

    本文主要詳細(xì)闡述了pn結(jié)的基本特性是什么,其次介紹了PN結(jié)的擊穿特性、PN結(jié)的單向?qū)щ娦砸约?/div>
    的頭像 發(fā)表于 09-06 18:09 ?10.6w次閱讀

    摻雜對PN結(jié)伏安特性的影響

    摻雜對PN結(jié)伏安特性的影響是半導(dǎo)體物理學(xué)的一個重要議題。PN結(jié)作為半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu),其性能
    的頭像 發(fā)表于 07-25 14:27 ?680次閱讀