與MOS不同，IGBT高溫/常溫輸出特性曲線(xiàn)為何有交點(diǎn)？

實(shí)例1 、pn結(jié)正向壓降為何是負(fù)的溫度系數(shù)呢？

回答 ：pn結(jié)的正向壓降Vbi公式如下：

其中本征載流子濃度ni隨溫度升高而急劇增大，導(dǎo)致Vbi隨溫度升高而減小，呈現(xiàn)負(fù)的溫度系數(shù)。

實(shí)例2 、SiC pn結(jié)正向壓降為何比硅的高呢？

回答 ：pn結(jié)的正向壓降Vbi公式如下：

其中本征載流子濃度ni公式如下：

SiC材料的禁帶寬度Eg大（SiC：3.26eV，Si：1.12eV），因此ni遠(yuǎn)小于Si（SiC：5E-9/cm3，Si：9.65E9/cm3），導(dǎo)致Vbi大。

小江進(jìn)行了簡(jiǎn)單的計(jì)算，對(duì)比曲線(xiàn)如下：

可知SiC PN結(jié)Vbi約3.0V（藍(lán)線(xiàn)），遠(yuǎn)大于Si的約0.7V（紅線(xiàn)）。

實(shí)例3 、與MOS不同，IGBT高溫/常溫輸出特性曲線(xiàn)為何有交點(diǎn)？

回答 ：原因?yàn)镸OS導(dǎo)通電壓由溝道、漂移區(qū)等組成（溫度系數(shù)為正，主要原因?yàn)殡S溫度升高遷移率減?。?，無(wú)交點(diǎn)。而IGBT導(dǎo)通電壓由溝道、漂移區(qū)等其他部分（溫度系數(shù)為正）和PN結(jié)電壓（溫度系數(shù)為負(fù)）組成，于是出現(xiàn)交點(diǎn)。