四種半導(dǎo)體器件基本結(jié)構(gòu)

四種半導(dǎo)體器件基本結(jié)構(gòu)

按施敏教授的觀點(diǎn)，半導(dǎo)體器件有四個(gè)最基本的結(jié)構(gòu)單元：金半接觸、PN結(jié)、異質(zhì)結(jié)、MOS結(jié)構(gòu)。所有的半導(dǎo)體器件都可以看作是這四種基本結(jié)構(gòu)的組合，比如BJT由兩個(gè)背靠背的PN結(jié)構(gòu)成，MOSFET由MOS結(jié)構(gòu)和兩對(duì)PN結(jié)構(gòu)成。

金半接觸

由金屬和半導(dǎo)體接觸而成，根據(jù)接觸勢(shì)壘不同，可以分為整流特性的肖特基接觸和非整流特性的歐姆接觸。

PN結(jié)

由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體接觸而成，具有單向?qū)щ姷恼魈匦浴?/p>

異質(zhì)結(jié)

由兩種不同的半導(dǎo)體接觸而成，根據(jù)其禁帶寬度和摻雜濃度的不同組合，組合結(jié)構(gòu)比較多，此處暫不贅述。兩種半導(dǎo)體的晶格常數(shù)必須盡可能匹配，否則缺陷會(huì)比較嚴(yán)重。

MOS結(jié)構(gòu)

由金屬（也可以由導(dǎo)電的重?fù)诫s半導(dǎo)體替代）-氧化物（也可由其他絕緣體替代）-半導(dǎo)體界面組成，在金屬和半導(dǎo)體兩端加上偏壓，可以改變半導(dǎo)體中的電荷分布從而影響半導(dǎo)體一側(cè)的導(dǎo)電性能。