近日,普冉半導體推出創(chuàng)新的 P24C系列高可靠 EEPROM 產(chǎn)品,應下游客戶及市場需求,公司該新款系列產(chǎn)品可達到 1000萬次擦寫壽命,是公司為電表市場開發(fā)的超群產(chǎn)品,達到目前行業(yè)領(lǐng)先的擦寫次數(shù)。
P24C系列產(chǎn)品基于 95nm 及以下工藝,具備低功耗、超寬壓覆蓋、高可靠等特性,滿足擦寫壽命 1000萬次,數(shù)據(jù)保存 100年的高可靠性要求,產(chǎn)品性能達到業(yè)界領(lǐng)先水平,可用于電表及其他高可靠性產(chǎn)品領(lǐng)域。
P24C系列產(chǎn)品的特點:
存儲器容量:512Kbit~1Mbit
工作電壓范圍:1.7V~5.5V
工作溫度范圍:-40℃~125℃
擦寫功能帶糾錯碼(ECC)
擦寫壽命:1000萬次
數(shù)據(jù)保存年限:100年
封裝支持:PDIP8, SOP8, TSSOP8, MSOP8, UDFN8, SOT23-5, TSOT23-5
EEPROM 是一種通用型非易失性存儲芯片,由于其低功耗、高靈活性、強可靠性等特點,被廣泛應用于存儲小規(guī)模、經(jīng)常需要修改的數(shù)據(jù)存儲,應用于智能手機、服務(wù)器、PC、BLE / WIFI 模塊、汽車電子、面板、家電、工控等下游領(lǐng)域。
普冉半導體在 EEPROM 領(lǐng)域,已深耕近十年。2014年,公司前身無錫普雅半導體完成首顆 256Kbit、512Kbit EEPROM 的研發(fā)和流片。2021年,公司車規(guī)級 EEPROM 獲得 AEC-Q100 認證,進入海內(nèi)外知名車廠。截至目前,公司 EEPROM 產(chǎn)品已經(jīng)做到 2Kbit-4Mbit 的全容量覆蓋,操作電壓覆蓋 1.2V-5.5V,同時支持 SOP / TSSOP / DFN 等傳統(tǒng)封裝及 WLCSP 等芯片級封裝形式,能夠滿足不同應用領(lǐng)域?qū)θ萘亢头庋b的需求。
公司在 EEPROM 領(lǐng)域已經(jīng)形成比較完整的系列產(chǎn)品布局,并持續(xù)在工藝制程和存儲單元等維度實現(xiàn)技術(shù)迭代,提升產(chǎn)品的性價比和市場競爭力。
工藝制程方面,公司持續(xù)針對存儲單元的結(jié)構(gòu)、擦寫電壓進行改造和優(yōu)化,在不犧牲可靠性指標的前提下,不斷縮小存儲單元的尺寸,單顆芯片具備更高的性價比。公司已從第一代 130nm 產(chǎn)品迭代到新一代的 95nm 及以下產(chǎn)品,并于 2020年實現(xiàn)量產(chǎn)。
產(chǎn)品功能方面,普冉半導體實現(xiàn)了分區(qū)域保護、地址編程等功能,可對芯片中的存儲的參數(shù)數(shù)據(jù)進行保護,避免數(shù)據(jù)丟失和篡改,數(shù)據(jù)保持時間超過 100年。
公司擁有超大容量的EEPROM系列產(chǎn)品,支持SPI/I2C接口和最大 4Mbit 容量,其中 2Mbit 產(chǎn)品批量用于高速寬帶通信和數(shù)據(jù)中心。同時,公司推出的超低電壓 1.2V 系列 EEPROM 已實現(xiàn)量產(chǎn)出貨,涵蓋 32Kbit 至 512Kbit,是目前行業(yè)內(nèi)工藝節(jié)點領(lǐng)先和容量覆蓋面較為完備的超低電壓產(chǎn)品線。
相比上一代 500萬次擦寫的產(chǎn)品,普冉半導體本次推出的新產(chǎn)品可以更靈活的更新修改,同時具備更長的使用壽命,也一定程度體現(xiàn)了公司在工藝和設(shè)計水平上的持續(xù)突破。
公司未來將在非易失存儲器領(lǐng)域以新工藝節(jié)點、寬電壓覆蓋、高速、高可靠等性能為發(fā)展方向,以高可靠工控和車規(guī)為持續(xù)的重點拓展方向,進一步擴展系統(tǒng)級存儲器產(chǎn)品線,不斷獲得突破和領(lǐng)先優(yōu)勢。
文章來源 | 普冉半導體
審核編輯:湯梓紅
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原文標題:展商速遞 | 重磅!普冉半導體推出電表用1000萬次擦寫 EEPROM系列產(chǎn)品
文章出處:【微信號:ELEXCON深圳國際電子展,微信公眾號:ELEXCON深圳國際電子展】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
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