由于芯片產(chǎn)能提升難、市場供不應(yīng)求,再加上芯片制造復雜并且科技含量高,對制造設(shè)備、工藝技術(shù)等等都有極為苛刻的要求,因此,近來在全球范圍內(nèi)掀起了一股“芯片荒”?!靶酒摹辈粌H影響到了手機、PC等行業(yè),就連汽車行業(yè)也面臨同樣的困境。
IGBT這個詞你可能從沒聽過,但它一直在我們身邊默默服務(wù)。小到微波爐、變頻空調(diào)、變頻冰箱,大到新能源汽車、高鐵,甚至航母的電磁彈射,IGBT都不可或缺。
IGBT這個詞很抽象,我們可以按功能把它理解為電路開關(guān),非通即斷。它就像家里的電燈開關(guān),只不過是由電信號控制,能承受幾十到幾百伏電壓、幾十到幾百安電流的強電,每秒鐘開關(guān)頻率最高可達幾萬次。 IGBT的雛形是二極管 下面我們由淺及深 逐步介紹IGBT有趣的工作原理
01
二極管的工作原理
二極管由半導體材料比如硅Si制造出來,Si的價電子層有四個電子,會跟相鄰的四個Si原子形成共價健。
電流的傳導需要自由電子,而共價鍵比較穩(wěn)定,幾乎沒有多余電子。聰明的科學家想出一個辦法——摻雜。比如用價電子為5的磷P置換Si,自由電子產(chǎn)生了。
用價電子為3的硼B(yǎng)置換另一塊Si,空穴產(chǎn)生了。
前者被稱為N型半導體,后者被稱為P型半導體。將N型和P型半導體拼在一起,二極管就誕生了。
同時因為電子的離開,會使N部分邊緣輕微帶正電。相反,P部分邊緣帶負電。產(chǎn)生的內(nèi)電場(又稱勢壘)會阻止任何一個電子進一步遷移。
02
MOSFET的工作原理
MOSFET,又簡稱MOS管,金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,一般潛伏在電腦手機中。 MOS管有NPN型和PNP型,被稱為N溝道MOS管和P溝道MOS管。和二極管相同,MOS管的N部分、P部分交界處也會產(chǎn)生內(nèi)電場,阻止電子擴散,此時沒有電流。
接通電源,底部N部分電子向正極移動,空穴向相反方向移動,底部N與P交界處內(nèi)電場持續(xù)增大,即電路斷開。
反向接通電源,在上端的N型半導體與P型半導體交界處,內(nèi)電場增大,電路依舊處于斷開狀態(tài)。那么,怎么才能讓電路接通呢?
聰明的工程師又來了,他在P部分上方加入金屬板和絕緣板,又稱為柵級。
源極與漏極電壓不變,柵源加正電壓。柵極將P部分電子吸引到絕緣板附近,空穴被填充,此處電位逐漸變化到和兩旁N部分相同,于是一條通道打開了。
之后電子在源極、漏極電壓驅(qū)動下運動,產(chǎn)生電流,電路接通。
柵極的存在,使得MOS管只需要很小的驅(qū)動功率,而且開關(guān)速度快。
03
IGBT工作原理
其實IGBT的結(jié)構(gòu)和MOS管非常接近,只是背面增加N+和P+層。
“+”意味著更高的自由電子或者空穴密度。從而IGBT在保留MOS管優(yōu)點的同時,增加了載流能力和抗壓能力。 簡單來說IGBT的功能和作用就是控制能源的變換和傳輸。
外界充電的時候是交流電,需要通過IGBT轉(zhuǎn)變成直流電然后給電池,同時要把220V電壓轉(zhuǎn)換成適當?shù)碾妷阂陨喜拍芙o電池組充電。 電池放電的時候,把通過IGBT把直流電轉(zhuǎn)變成交流電機使用的交流電,同時起到對交流電機的變頻控制,當然變壓是必不可少的。IGBT是功率半導體器件,可以說是電動車的的核心技術(shù)之一,IGBT的好壞直接影響電動車功率的釋放速度。
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原文標題:新能源汽車逆變壓器之核芯——IGBT工作原理動圖
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