半導(dǎo)體，要進(jìn)入1nm以下時(shí)代了

美國英特爾正在加緊開發(fā)尖端半導(dǎo)體「Intel 20A」。20A中的A意為「埃米（angstrom）」。埃米是表示1納米的10分之1的長度單位，20A指2納米。英特爾提出新的技術(shù)指標(biāo)，在與臺(tái)積電（TSMC）和三星電子的競爭中試圖扭轉(zhuǎn)劣勢。

目前，衡量半導(dǎo)體尖端技術(shù)的指標(biāo)一般使用納米。具體是指半導(dǎo)體電路的線寬，電路越細(xì)半導(dǎo)體的處理能力和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量越高，還能夠抑制電力消耗，并有助于半導(dǎo)體晶片的小型化。半導(dǎo)體廠商一直在競相推進(jìn)全是益處的「電路微細(xì)化」。

回顧大規(guī)模集成電路（LSI）的歷史，英特爾在1971年推出的「Intel 4004」成為起點(diǎn)。當(dāng)時(shí)的線寬為10微米左右，換算成納米是1萬納米。從那時(shí)起，按照半導(dǎo)體晶片單位面積的性能在約2年內(nèi)翻一番的「摩爾定律」不斷實(shí)現(xiàn)微細(xì)化。

如果沒有這種半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新，智慧手機(jī)等IT產(chǎn)品就不會(huì)誕生。如今，汽車、白色家電、機(jī)器人、工業(yè)機(jī)械等所有工業(yè)產(chǎn)品的進(jìn)化均由半導(dǎo)體拉動(dòng)。

目前最尖端的是臺(tái)積電和三星將量產(chǎn)的3納米半導(dǎo)體。與之相對(duì)，英特爾的最新技術(shù)是7納米。2010年代后半期，英特爾在生產(chǎn)技術(shù)的開發(fā)上落后，被甩在后面。

這樣的英特爾能否一躍實(shí)現(xiàn)20A、也就是2納米技術(shù)？答案是否定的。不容忽視的一點(diǎn)是，英特爾并沒有明確表示「20A」指電路線寬。

實(shí)際上，5納米、3納米等指標(biāo)從約5年前開始與電路線寬的實(shí)際尺寸出現(xiàn)背離。目前還沒有關(guān)于應(yīng)測量半導(dǎo)體電路的哪個(gè)位置的國際標(biāo)準(zhǔn)，臺(tái)積電和三星正在量產(chǎn)的3納米也只是「企業(yè)方面的說辭」（半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司高管）。

英特爾宣告「埃米時(shí)代的到來」，但沒有明確說明是長度單位。這只是一個(gè)營銷口號(hào)，目的是彰顯先進(jìn)形象。

那么，現(xiàn)在的線寬指的是什么呢？通常是把單位面積的半導(dǎo)體元件數(shù)與過去的自身產(chǎn)品進(jìn)行比較，根據(jù)元件增加了多少來計(jì)算。

雖然因?yàn)楹唵我锥?jīng)常被使用，但不能單純地用這個(gè)數(shù)值來進(jìn)行性能比較。還需要關(guān)注實(shí)際的數(shù)據(jù)處理能力、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量、省電性能、訂單量等。