國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心和北京研究員,開源芯片中科海芯最近在北京設(shè)立RISC-V車規(guī)級半導(dǎo)體技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,將圍繞國產(chǎn)車企芯片需求提升國產(chǎn)車規(guī)級芯片的研發(fā)效率、“上車”能力,國產(chǎn)汽車半導(dǎo)體自給率按下“加速鍵”鍵。
中國作為汽車制造大國,汽車產(chǎn)量繼續(xù)保持世界第一,對汽車芯片的需求旺盛,是國產(chǎn)新能源汽車特別是芯片的“大戶”。與消費(fèi)者芯片不同,汽車嘉賓芯片的信賴性、一貫性、穩(wěn)定性要求事項(xiàng)要面臨更加殘酷的環(huán)境才會(huì)更高。如果適應(yīng)-40-150極端溫度、高振動(dòng)、多灰塵、電磁干擾、適應(yīng)0-100%濕度區(qū)間等,設(shè)計(jì)壽命一般在15年或20萬公里以上,對芯片質(zhì)量提出了更高的要求。
北京開源芯片研究院首席科學(xué)家包云崗對記者說:“ARM架構(gòu)在全球芯片領(lǐng)域長期占據(jù)主導(dǎo)地位。在汽車規(guī)格芯片領(lǐng)域,中外還存在很大差異,目前絕大多數(shù)國產(chǎn)汽車的cpu核心仍要依賴國外授權(quán),面臨供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)。他表示:“從開發(fā)、生產(chǎn)、驗(yàn)證、乘車到自主控制的國產(chǎn)汽車規(guī)格芯片,加快速度迫在眉睫?!?/p>
“RISC-V架構(gòu)是中國芯片可以自主控制的‘敲門磚’,有望為提高國產(chǎn)汽車芯片自給率提供更多的可能性。國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心主任原誠寅說,在這樣的背景下,聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室應(yīng)運(yùn)而生。
根據(jù)計(jì)劃,RISC-V車規(guī)級芯片技術(shù)共同發(fā)揮實(shí)驗(yàn)室平臺(tái)和資源優(yōu)勢,在北京研究所開源芯片具有競爭力的,可信度高,自主可控的國產(chǎn)車規(guī)級IP核,由中科海芯負(fù)責(zé)將其做成產(chǎn)品,由國家在創(chuàng)造中心設(shè)計(jì),開發(fā),產(chǎn)品會(huì)形成推進(jìn)到。并通過驗(yàn)證、乘車規(guī)范化流程及相關(guān)工具,共同提高汽車個(gè)人級芯片的開發(fā)效率,不斷探索實(shí)現(xiàn)中國汽車芯片產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈自主可控。
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