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Nor Flash編程和擦除操作的詳細(xì)流程

冬至子 ? 來源:華桑電子元器件 ? 作者:華桑電子元器件 ? 2023-12-05 15:19 ? 次閱讀

Nor Flash 中的編程和擦除操作涉及寫入數(shù)據(jù)和擦除存儲單元的特定步驟。下面是Nor Flash編程和擦除的詳細(xì)流程:

編程操作:

選擇目標(biāo)存儲單元:控制器通過提供其地址來識別要編程的特定存儲單元。

施加編程電壓:將編程電壓(通常高于正常工作電壓)施加到選定的存儲單元。該電壓會產(chǎn)生強(qiáng)電場,允許電子隧道進(jìn)入浮置柵極或捕獲層,具體取決于特定的Nor Flash技術(shù)。

存儲數(shù)據(jù):所需的數(shù)據(jù)被傳輸?shù)酱鎯卧?,通過捕獲或充電浮動?xùn)艠O或捕獲層來存儲數(shù)據(jù)。 該數(shù)據(jù)表示邏輯“1”或“0”,具體取決于編程機(jī)制。

驗(yàn)證編程數(shù)據(jù):為了確保準(zhǔn)確編程,控制器讀取編程的存儲單元并將檢索到的數(shù)據(jù)與所需數(shù)據(jù)進(jìn)行比較。 如果它們匹配,則認(rèn)為編程過程成功。

擦除操作:

選擇目標(biāo)存儲塊:與編程不同,Nor Flash 中的擦除是按塊執(zhí)行的。控制器通過提供其地址來選擇要擦除的塊(由多個(gè)存儲單元組成)。

應(yīng)用擦除電壓:將較高的電壓(稱為擦除電壓)施加到所選存儲塊。該電壓從浮置柵極或捕獲層去除電荷或捕獲的電子,從而有效地擦除存儲的數(shù)據(jù)。

擦除驗(yàn)證:施加擦除電壓后,控制器驗(yàn)證被擦除的存儲單元是否已達(dá)到擦除狀態(tài)。該驗(yàn)證確保存儲單元已準(zhǔn)備好用新數(shù)據(jù)進(jìn)行編程。

塊鎖定(可選):某些 Nor Flash 器件允許塊鎖定,可以保護(hù)特定塊免遭進(jìn)一步擦除或編程。此功能可確保關(guān)鍵數(shù)據(jù)的完整性和安全性。

Nor Flash中的編程和擦除過程可能有特定的電壓和時(shí)序要求,具體取決于設(shè)備和制造商。使用 Nor Flash 時(shí),建議參考器件的數(shù)據(jù)表或編程指南以獲取準(zhǔn)確的說明。

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